Выпуск | Название | |
Том 18, № 1 (2015) | ВЛИЯНИЕ ВЫБОРА ПАРАМЕТРОВ ПЕРВОПРИНЦИПНЫХ РАСЧЕТОВ НА ПРЕДСКАЗАНИЯ ЭНЕРГЕТИКИ ТОЧЕЧНЫХ ДЕФЕКТОВ В КРЕМНИИ | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
М. Г. Ганченкова, И. А. Супрядкина, К. К. Абгарян, Д. И. Бажанов, И. В. Мутигуллин, В. А. Бородин | ||
"... of microstructures for use in silicon devices allows one to optimize the conditions of their production, improve ..." | ||
№ 1 (2012) | МОНТЕ—КАРЛО–МОДЕЛИРОВАНИЕ ПРОЦЕССА ФОРМИРОВАНИЯ НАНОКЛАСТЕРОВ КРЕМНИЯ В ДИОКСИДЕ КРЕМНИЯ | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
А. Н. Карпов, Е. А. Михантьев, С. В. Усенков, Н. Л. Шварц | ||
"... The process of silicon nanocluster formation during annealing of single SiO layers and multilayer ..." | ||
№ 3 (2012) | МОДЕЛИРОВАНИЕ ЗАВИСИМОСТИ КВАНТОВОГО ВЫХОДА InGaN/Si–СВЕТОДИОДОВ ОТ ПЛОТНОСТИ ТОКА | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
О. И. Рабинович, В. П. Сушков | ||
"... and the positive results of using the silicon substrates in nanoheterostructures for light−emitting diodes. ..." | ||
№ 2 (2012) | ОСОБЕННОСТИ ДЕФЕКТООБРАЗОВАНИЯ В ПРОЦЕССЕ ТЕРМООБРАБОТКИ БИЗДИСЛОКАЦИОННЫХ МОНОКРИСТАЛЛИЧЕСКИХ ПЛАСТИН КРЕМНИЯ БОЛЬШОГО ДИАМЕТРА С ЗАДАННЫМ РАСПРЕДЕЛЕНИЕМ В ОБЪЕМЕ КИСЛОРОДСОДЕРЖАЩИХ ГЕТТЕРИРУЮЩИХ ЦЕНТРОВ | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
Ю. Б. Васильев, Н. А. Верезуб, М. В. Меженный, В. С. Просолович, А. И. Простомолотов, В. Я. Резник | ||
"... in dislocation−free silicon wafers. The RTA application is based on an opportunity of effective influence ..." | ||
Том 23, № 2 (2020) | Моделирование полевых элементов Холла на основе наноразмерных гетероструктур «кремний на изоляторе» | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
В. Н. Мордкович, К. К. Абгарян, Д. Л. Ревизников, А. В. Леонов | ||
"... on the "silicon on insulator" structure with two control gates. To solve the problem, a two-level local-one ..." | ||
Том 18, № 4 (2015) | МОЛЕКУЛЯРНО–ДИНАМИЧЕСКОЕ МОДЕЛИРОВАНИЕ НАЧАЛЬНЫХ ЭТАПОВ ПРОЦЕССА НИТРИДИЗАЦИИ ПОВЕРХНОСТИ Si(111) В Атмосфере NH₃ | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
К. К. Абгарян, Ю. Г. Евтушенко, И. В. Мутигуллин, С. И. Уваров | ||
"... of silicon has been carried out. We have used the process of parametric identification of interatomic ..." | ||
№ 4 (2012) | МОДЕЛИРОВАНИЕ ПРОЦЕССОВ ИОННОЙ ИМПЛАНТАЦИИ И БЫСТРЫХ ТЕРМООБРАБОТОК ПРИ ФОРМИРОВАНИИ АКТИВНЫХ ОБЛАСТЕЙ СУБМИКРОННЫХ И НАНОМЕТРОВЫХ ИНТЕГРАЛЬНЫХ СХЕМ НА КРЕМНИИ | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
Ф. Ф. Комаров, А. Ф. Комаров, А. М. Миронов, Г. М. Заяц, Ю. В. Макаревич, С. А. Мискевич | ||
"... моделирования процессов и приборов интегральной электроники Silvaco ATHENA, дает возможность использовать модели ..." | ||
№ 1 (2014) | ХИМИЯ И ФУНКЦИОНАЛЬНЫЕ МАТЕРИАЛЫ. НАУЧНАЯ ШКОЛА АКАДЕМИКА Ф. А. КУЗНЕЦОВА | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
М. Л. Косинова, И. Г. Васильева, Я. В. Васильев, Т. П. Смирнова | ||
Том 18, № 1 (2015) | МАТЕМАТИЧЕСКОЕ МОДЕЛИРОВАНИЕ ПРОЦЕССОВ ФОРМИРОВАНИЯ КЛАСТЕРОВ ТОЧЕЧНЫХ ДЕФЕКТОВ В КРЕМНИИ НА БАЗЕ МОЛЕКУЛЯРНО–ДИНАМИЧЕСКОГО ПОДХОДА | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
К. К. Абгарян, О. В. Володина, С. И. Уваров | ||
"... light−emitting diodes on the basis of silicon is theoretical research into the formation of point defect ..." | ||
Том 18, № 1 (2015) | ДИСТАНЦИОННОЕ И СОПРЯЖЕННОЕ МОДЕЛИРОВАНИЕ ТЕПЛОМАССОПЕРЕНОСА И ДЕФЕКТООБРАЗОВАНИЕ В ТЕХНОЛОГИЧЕСКИХ ПРОЦЕССАХ | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
А. И. Простомолотов, Н. А. Верезуб, Х. Х. Ильясов | ||
"... of CrystmoNet code to a number of tasks related to the conjugated simulation of Czochralski silicon single ..." | ||
Том 21, № 2 (2018) | Как обеспечить постоянную концентрацию примеси по высоте слитка | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
М. А. Гоник, F. Baltaretu | ||
"... На основе исследования сегрегации при выращивании германия и кремния из тонкого слоя расплава с ..." | ||
Том 18, № 1 (2015) | ИССЛЕДОВАНИЕ ПУТЕЙ ОПТИМИЗАЦИИ МАТЕРИАЛОВ ДЛЯ СОЛНЕЧНЫХ БАТАРЕЙ ВТОРОГО ПОКОЛЕНИЯ МЕТОДОМ МНОГОУРОВНЕВОГО МОДЕЛИРОВАНИЯ | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
Д. Н. Красиков, А. В. Книжник, А. В. Гавриков, Б. В. Потапкин | ||
"... properties of CdTe after Cl−treatment, we complemented the quasichemical defect model by a deep acceptor ..." | ||
1 - 12 из 12 результатов |
Советы по поиску:
- Поиск ведется с учетом регистра (строчные и прописные буквы различаются)
- Служебные слова (предлоги, союзы и т.п.) игнорируются
- По умолчанию отображаются статьи, содержащие хотя бы одно слово из запроса (то есть предполагается условие OR)
- Чтобы гарантировать, что слово содержится в статье, предварите его знаком +; например, +журнал +мембрана органелла рибосома
- Для поиска статей, содержащих все слова из запроса, объединяйте их с помощью AND; например, клетка AND органелла
- Исключайте слово при помощи знака - (дефис) или NOT; например. клетка -стволовая или клетка NOT стволовая
- Для поиска точной фразы используйте кавычки; например, "бесплатные издания". Совет: используйте кавычки для поиска последовательности иероглифов; например, "中国"
- Используйте круглые скобки для создания сложных запросов; например, архив ((журнал AND конференция) NOT диссертация)