Сортировать по:
| Выпуск | Название | |
| Том 19, № 4 (2016) | XI Конференция и X Школа молодых ученых и специалистов по актуальным проблемам физики, материаловедения, технологии и диагностики кремния, нанометровых структур и приборов на его основе «КРЕМНИЙ–2016» (12—15 сентября 2016 г., Новосибирск) | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
| статья Редакционная | ||
| Том 19, № 4 (2016) | «Кремний–2016»: ученые обсудили будущее электроники | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
| П. Красин | ||
| Том 18, № 3 (2015) | РАЗРАБОТКА МЕТОДИКИ ОЧИСТКИ МЕТАЛЛУРГИЧЕСКОГО КРЕМНИЯ ДО КРЕМНИЯ МАРКИ «СОЛНЕЧНЫЙ» | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
| И. И. Марончук, И. E. Марончук, Д. Д. Саникович, И. Б. Широков | ||
| "... Experimental results demonstrating the possibility of obtaining solar grade silicon ..." | ||
| Том 18, № 3 (2015) | ОСОБЕННОСТИ ЛЕГИРОВАНИЯ КРЕМНИЯ МЕТОДОМ ТЕРМОМИГРАЦИИ | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
| В. Н. Лозовский, Л. С. Лунин, Б. М. Середин | ||
| "... of silicon) have been analyzed. We have found that the concentration range of doping for the two ..." | ||
| № 4 (2014) | ВЫСОКОЭФФЕКТИВНЫЕ ФОТОЭЛЕКТРОДЫ НА ОСНОВЕ ПОРИСТОГО КРЕМНИЯ | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
| К. Б. Тыныштыкбаев, В. Б. Глазман, Д. А. Муратов, Б. А. Рахметов, Н. С. Токмолдин, С. Ж. Токмолдин | ||
| "... one of the problems of water photoelectrolysis on silicon electrodes, i.e. their energetic ..." | ||
| № 4 (2014) | ФОТОЧУВСТВИТЕЛЬНЫЕ ГЕТЕРОСТРУКТУРЫ НА ОСНОВЕ ПОРИСТОГО НАНОКРИСТАЛЛИЧЕСКОГО КРЕМНИЯ | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
| Н. В. Латухина, А. С. Рогожин, С. Сайед, В. И. Чепурнов | ||
| "... of the silicon photosensitive structures have been represented. The structures included layers of the silicon ..." | ||
| № 4 (2014) | ПЕРСПЕКТИВЫ РЫНКА ПОЛИКРИСТАЛЛИЧЕСКОГО КРЕМНИЯ | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
| А. В. Некрасов, А. В. Наумов | ||
| "... XinJiang Silicon, LDK, Daqo New Energy, Tokuyama and SunEdison (ex−MEMC) — have a total production capacity ..." | ||
| № 4 (2014) | СИНТЕЗ ПОРИСТОГО КРЕМНИЯ С НАНОЧАСТИЦАМИ СЕРЕБРА МЕТОДОМ НИЗКОЭНЕРГЕТИЧЕСКОЙ ИОННОЙ ИМПЛАНТАЦИИ | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
| Р. И. Баталов, В. Ф. Валеев, В. И. Нуждин, В. В. Воробьев, Ю. Н. Осин, Д. В. Лебедев, А. А. Бухараев, А. Л. Степанов | ||
| "... In this paper a new technique for synthesis of porous silicon layers with silver nanoparticles ..." | ||
| Том 18, № 2 (2015) | ОПТИМИЗАЦИЯ УРОВНЯ ЛЕГИРОВАНИЯ КРЕМНИЯ «СОЛНЕЧНОГО» КАЧЕСТВА ДЛЯ ПОВЫШЕНИЯ ПРИГОДНОГО ОБЪЕМА СЛИТКОВ И КПД СОЛНЕЧНЫХ ЭЛЕМЕНТОВ | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
| А. А. Бетекбаев, Б. Н. Мукашев, Л. Пеллисер, Ф. Лай, Г. Фортин, Л. Бунас, Д. М. Скаков, А. А. Павлов | ||
| "... as it requires much less energy for purification compared to Silicon grades using gas transformation ..." | ||
| Том 18, № 2 (2015) | МЕТАЛЛИЧЕСКИЕ НАНОПЛЕНКИ НА МОНОКРИСТАЛЛИЧЕСКОМ КРЕМНИИ: РОСТ, СВОЙСТВА И ПРИМЕНЕНИЕ | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
| Н. И. Плюснин | ||
| "... The metal–silicon thin−film system is not isostructural and furthermore exhibits pronounced ..." | ||
| Том 18, № 3 (2015) | ФОРМИРОВАНИЕ ТРЕХМЕРНЫХ СТРУКТУР В ПОДЛОЖКАХ КАРБИДА КРЕМНИЯ ПЛАЗМОХИМИЧЕСКИМ ТРАВЛЕНИЕМ | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
| Л. А. Сейдман | ||
| "... in silicon carbide substrates. The technological solution of these problems ion−stimulation plasmochemistry ..." | ||
| № 4 (2014) | ДИАГНОСТИКА ПРИМЕСНОГО СОСТАВА ВЫСОКОЧИСТОГО МОНОСИЛАНА ПО РЕЗУЛЬТАТАМ АНАЛИЗА КОНТРОЛЬНОГО МОНОКРИСТАЛЛА КРЕМНИЯ | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
| В. А. Гавва, А. В. Гусев, Т. В. Котерева | ||
| "... in silicon. The estimation technique of carbon, boron and phosphorus impurity content in high−purity ..." | ||
| № 4 (2014) | РАСПРЕДЕЛЕНИЕ ЦЕНТРОВ ДИСЛОКАЦИОННОЙ ЛЮМИНЕСЦЕНЦИИ D1 В КРЕМНИИ, ПОДВЕРГНУТОМ ИМПЛАНТАЦИИ ИОНОВ Si+, И МОДЕЛЬ ФОТОЛЮМИНЕСЦЕНЦИИ | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
| С. Н. Нагорных, В. И. Павленков, Д. И. Тетельбаум, А. Н. Михайлов, А. И. Белов, Д. С. Королев, А. Н. Шушунов, А. И. Бобров, Д. А. Павлов, Е. И. Шек | ||
| "... Using step−by−step removal of silicon layers, in which dislocation−related photoluminescence ..." | ||
| Том 18, № 2 (2015) | НАПРАВЛЕННАЯ КРИСТАЛЛИЗАЦИЯ МУЛЬТИКРИСТАЛЛИЧЕСКОГО КРЕМНИЯ В УСЛОВИЯХ ОСЛАБЛЕННОЙ КОНВЕКЦИИ РАСПЛАВА И ГАЗООБМЕНА | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
| М. А. Гоник | ||
| "... For the first time silicon was grown by means of directional crystallization and using ..." | ||
| № 4 (2014) | РАСПРЕДЕЛЕНИЕ Ge В СЛИТКЕ СПЛАВА Si0,9Ge0,1 ПРИ ВЫРАЩИВАНИИ КРИСТАЛЛА ИЗ ТОНКОГО СЛОЯ РАСПЛАВА | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
| М. А. Гоник, A. Cröll, A. Wagner | ||
| "... монокристаллического сплава SiGe, обогащенного со стороны кремния. Содержание второй компоненты в кристалле диаметром ..." | ||
| Том 19, № 4 (2016) | Структурные особенности формирования цинкосодержащих наночастиц, полученных методом ионной имплантации в Si(001) и последующим термическим отжигом | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
| К. Б. Эйдельман, Н. Ю. Табачкова, К. Д. Щербачев, Ю. Н. Пархоменко, В. В. Привезенцев, Д. М. Мигунов | ||
| "... This work deals with structural transformations in the near− surface layers of silicon after ion ..." | ||
| № 4 (2014) | РЕШЕНИЕ X КОНФЕРЕНЦИИ ПО АКТУАЛЬНЫМ ПРОБЛЕМАМ ФИЗИКИ, МАТЕРИАЛОВЕДЕНИЯ, ТЕХНОЛОГИИ И ДИАГНОСТИКИ КРЕМНИЯ, НАНОРАЗМЕРНЫХ СТРУКТУР И ПРИБОРОВ НА ЕГО ОСНОВЕ («КРЕМНИЙ−2014») | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
| А. И. Непомнящих, А. И. Елисеев | ||
| Том 18, № 3 (2015) | ВЛИЯНИЕ КАЧЕСТВА ПОДЛОЖЕК SiC НА СТРУКТУРНОЕ НСТВО И НЕКОТОРЫЕ ЭЛЕКТРИЧЕСКИЕ ПАРАМЕТРЫ ПЛЕНОК AlGaN/GaN | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
| К. Л. Eнишерлова, Т. Ф. Русак, В. И. Корнеев, А. Н. Зазулина | ||
| "... из карбида кремния обнаружено наличие областей с внутренними напряжениями, источниками которых, как ..." | ||
| Том 18, № 2 (2015) | ИССЛЕДОВАНИЕ ВЛИЯНИЯ ПАССИВИРУЮЩИХ СЛОЕВ НА ЕМКОСТНЫЕ ХАРАКТЕРИСТИКИ ГЕТЕРОСТРУКТУР AlGaN/GaN | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
| К. Л. Енишерлова, В. Г. Горячев, Т. Ф. Русак, С. А. Капилин | ||
| "... AlGaN/GaN heterostructures grown by MOCVD method on sapphire and silicon substrates were test ..." | ||
| Том 19, № 2 (2016) | Нестабильность емкости ВФ–характеристик при измерении гетероcтруктур AlGaN/GaN и НЕМТ–транзисторов на их основе | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
| К. Л. Енишерлова, В. Г. Горячев, В. В. Сарайкин, С. А. Капилин | ||
| "... зафиксировано на структурах с частично легированным кремнием барьерным слоем AlGaN и на гетероструктурах с ..." | ||
| Том 18, № 3 (2015) | ИНВЕСТИЦИОННЫЕ ЦИКЛЫ РЫНКА ПОЛИКРЕМНИЯ | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
| А. В. Наумов | ||
| "... −silicon will be balanced by a growth in its consumption in the next 3−4 years. Then today’s low ..." | ||
| 1 - 21 из 21 результатов | ||
Советы по поиску:
- Поиск ведется с учетом регистра (строчные и прописные буквы различаются)
- Служебные слова (предлоги, союзы и т.п.) игнорируются
- По умолчанию отображаются статьи, содержащие хотя бы одно слово из запроса (то есть предполагается условие OR)
- Чтобы гарантировать, что слово содержится в статье, предварите его знаком +; например, +журнал +мембрана органелла рибосома
- Для поиска статей, содержащих все слова из запроса, объединяйте их с помощью AND; например, клетка AND органелла
- Исключайте слово при помощи знака - (дефис) или NOT; например. клетка -стволовая или клетка NOT стволовая
- Для поиска точной фразы используйте кавычки; например, "бесплатные издания". Совет: используйте кавычки для поиска последовательности иероглифов; например, "中国"
- Используйте круглые скобки для создания сложных запросов; например, архив ((журнал AND конференция) NOT диссертация)
