Сортировать по:
| Выпуск | Название | |
| Том 20, № 1 (2017) | ИССЛЕДОВАНИЕ ПРОЦЕССОВ ПАЙКИ КРЕМНИЕВЫХ КРИСТАЛЛОВ МОЩНЫХ ТРАНЗИСТОРОВ В ИХ КОРПУСА | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
| В. С. Аносов, Д. В. Гомзиков, М. И. Ичетовкин, Л. А. Сейдман, Р. И. Тычкин | ||
| "... −power silicon transistors manufacturing with retention of their low thermal resistance. To this end we ..." | ||
| № 4 (2012) | ВОДОРОДНО–ИНДУЦИРОВАННОЕ СКАЛЫВАНИЕ ПЛАСТИН КРЕМНИЯ С ПОМОЩЬЮ ЭЛЕКТРОХИМИЧЕСКОГО ТРАВЛЕНИЯ | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
| К. Н. Тыныштыкбаев, Ю. А. Рябикин, С. Ж. Токмолдин, Б. А. Рахметов, Т. Айтмукан | ||
| "... This paper presents the method for obtaining hidden layers of porous and nonporous silicon ..." | ||
| № 4 (2013) | РАСПРЕДЕЛЕНИЕ КИСЛОРОДА И ЭРБИЯ В КРЕМНИИ ПРИ ДИФФУЗИОННОМ ЛЕГИРОВАНИИ | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
| М. Н. Дроздов, Н. В. Латухина, М. В. Степихова, В. А. Покоева, М. А. Сурин | ||
| "... The composition of diffusion silicon layers doped by rare earth erbium was investigated ..." | ||
| № 2 (2014) | НАНОЧАСТИЦЫ ОКСИДОВ МЕТАЛЛОВ, ПОЛУЧЕННЫЕ НА ПОДЛОЖКАХ ПОРИСТОГО КРЕМНИЯ | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
| И. Е. Кононова, А. С. Леньшин, М. Г. Аньчков, В. А. Мошников | ||
| "... Tin, iron and nickel oxides were prepared in micro porous silicon from sols. The morphology ..." | ||
| Том 20, № 2 (2017) | Напряжения в пластинах кремния, возникающие в результате локального фотонного отжига | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
| В. В. Старков, Е. А. Гостева, Д. В. Иржак, Д. В. Рощупкин | ||
| "... −doped silicon wafers produced by the Czochralski (Cz−Si) was studied by the method of triple−X−ray ..." | ||
| № 4 (2012) | ВЛИЯНИЕ ГЕРМАНИЯ, ИМПЛАНТИРОВАННОГО В СТРУКТУРУ «ДИОКСИД КРЕМНИЯ НА КРЕМНИИ», НА ПРОЦЕССЫ НАКОПЛЕНИЯ ЗАРЯДА ПРИ ВОЗДЕЙСТВИИ НИЗКОЭНЕРГЕТИЧЕСКОГО СТАЦИОНАРНОГО ИОНИЗИРУЮЩЕГО ИЗЛУЧЕНИЯ | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
| О. Г. Гуськова, М. В. Воротынцев, Е. Л. Шоболов, Н. Д. Абросимова | ||
| "... accumulation are presented. Ge embedding in the silicon dioxide/ silicon system has been analyzed theoretically ..." | ||
| № 4 (2014) | ПЕРСПЕКТИВЫ РЫНКА ПОЛИКРИСТАЛЛИЧЕСКОГО КРЕМНИЯ | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
| А. В. Некрасов, А. В. Наумов | ||
| "... XinJiang Silicon, LDK, Daqo New Energy, Tokuyama and SunEdison (ex−MEMC) — have a total production capacity ..." | ||
| № 4 (2014) | СИНТЕЗ ПОРИСТОГО КРЕМНИЯ С НАНОЧАСТИЦАМИ СЕРЕБРА МЕТОДОМ НИЗКОЭНЕРГЕТИЧЕСКОЙ ИОННОЙ ИМПЛАНТАЦИИ | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
| Р. И. Баталов, В. Ф. Валеев, В. И. Нуждин, В. В. Воробьев, Ю. Н. Осин, Д. В. Лебедев, А. А. Бухараев, А. Л. Степанов | ||
| "... In this paper a new technique for synthesis of porous silicon layers with silver nanoparticles ..." | ||
| № 1 (2014) | ФОРМИРОВАНИЕ СКВОЗНЫХ СТРУКТУР С РАЗЛИЧНОЙ ПОРИСТОСТЬЮ НА ТОЛСТЫХ ПЛАСТИНАХ МОНОКРИСТАЛЛИЧЕСКОГО КРЕМНИЯ | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
| В. А. Юзова, Ф. Ф. Меркушев, Е. А. Ляйком | ||
| "... Through three−layered structure has been formed on silicon wafers 500 microns thick ..." | ||
| № 4 (2012) | НАПРЯЖЕНИЕ И АДГЕЗИЯ ПОЛИКРИСТАЛЛИЧЕСКИХ ПЛЕНОК 3C–SiC, ВЫРАЩЕННЫХ МЕТОДОМ ОСАЖДЕНИЯ ИЗ ГАЗОВОЙ ФАЗЫ НА КРЕМНИЕВЫХ ПОДЛОЖКАХ | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
| Т. М. Ткачева, Л. М. Иванова, К. Д. Демаков, М. Н. Шахов | ||
| "... Polycrystalline 3C−SiC films have been grown on silicon substrates by CVD method using ..." | ||
| № 4 (2012) | ДИФРАКЦИОННЫЕ ИССЛЕДОВАНИЯ ФОРМИРОВАНИЯ НАНОКРИСТАЛЛОВ КРЕМНИЯ В СТРУКТУРАХ SiOx/Si С ИОННОЙ ИМПЛАНТАЦИЕЙ УГЛЕРОДА | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
| В. А. Терехов, Д. И. Тетельбаум, И. Е. Занин, К. Н. Панков, Д. Е. Спирин, А. Н. Михайлов, А. И. Белов, А. В. Ершов | ||
| "... The films have been deposited on the silicon subtracts with the (111) and (100) orientations ..." | ||
| № 1 (2012) | НАБЛЮДЕНИЕ ОСОБЕННОСТЕЙ ФАЗОВЫХ ПЕРЕХОДОВ В КРЕМНИИ ПРИ ВЫСОКОМ ЛОКАЛЬНОМ ДАВЛЕНИИ В УСЛОВИЯХ ИНДЕНТИРОВАНИЯ | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
| С. В. Прокудин, А. С. Усеинов | ||
| "... in crystalline materials such as silicon.In the present work silicon samples with different crystallographic ..." | ||
| № 4 (2013) | УСИЛЕННЫЙ МАГНИТОРЕЗИСТИВНЫЙ ЭФФЕКТ В МАССИВАХ НАНОСТОЛБИКОВ НИКЕЛЯ НА КРЕМНИЕВЫХ ПОДЛОЖКАХ | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
| Ю. А. Федотова, Д. К. Иванов, Ю. А. Иванова, А. Саад, А. В. Мазаник, И. А. Свито, Е. А. Стрельцов, А. К. Федотов, С. И. Тютюнников, П. Ю. Апель | ||
| "... an additional (transverse) electric field to the nanostructure between the silicon substrate (functioning ..." | ||
| № 4 (2013) | СТАТИСТИЧЕСКИЙ АНАЛИЗ ВЛИЯНИЯ Ge НА РАДИАЦИОННУЮ И ТЕРМИЧЕСКУЮ СТАБИЛЬНОСТЬ ЭЛЕКТРОФИЗИЧЕСКИХ ХАРАКТЕРИСТИК ПРИБОРНЫХ n—p—n—p–СТРУКТУР НА ОСНОВЕ CZ–Si | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
| С. В. Быткин, Т. В. Критская, С. П. Кобелева | ||
| "... crystal silicon doped with ger- manium to the concentration range NGe ~ (0.05—1.5) • 1020 cm−3 have been ..." | ||
| № 4 (2013) | СВОЙСТВА ПОРИСТЫХ ПЛЕНОЧНЫХ СТРУКТУР Si–КВАНТОВЫЕ ТОЧКИ/SiOx, ПОЛУЧЕННЫХ ПО ФТОРОВОДОРОДНОЙ ТЕХНОЛОГИИ | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
| В. А. Данько, С. А. Злобин, И. З. Индутный, И. П. Лисовский, В. Г. Литовченко, Е. В. Михайловская, П. Е. Шепелявый, Е. Бегун | ||
| "... technology of forming silicon nanoparticles in porous silicon oxide matrices has been performed. A physical ..." | ||
| № 2 (2012) | ОСОБЕННОСТИ ДЕФЕКТООБРАЗОВАНИЯ В ПРОЦЕССЕ ТЕРМООБРАБОТКИ БИЗДИСЛОКАЦИОННЫХ МОНОКРИСТАЛЛИЧЕСКИХ ПЛАСТИН КРЕМНИЯ БОЛЬШОГО ДИАМЕТРА С ЗАДАННЫМ РАСПРЕДЕЛЕНИЕМ В ОБЪЕМЕ КИСЛОРОДСОДЕРЖАЩИХ ГЕТТЕРИРУЮЩИХ ЦЕНТРОВ | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
| Ю. Б. Васильев, Н. А. Верезуб, М. В. Меженный, В. С. Просолович, А. И. Простомолотов, В. Я. Резник | ||
| "... in dislocation−free silicon wafers. The RTA application is based on an opportunity of effective influence ..." | ||
| № 3 (2014) | СИНТЕЗ И ХАРАКТЕРИЗАЦИЯ ТРИМЕТИЛ(ФЕНИЛ)СИЛАНА — ПРЕДШЕСТВЕННИКА ДЛЯ ГАЗОФАЗНЫХ ПРОЦЕССОВ ОСАЖДЕНИЯ ПЛЕНОК SiCx : H | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
| Е. Н. Ермакова, С. В. Сысоев, Л. Д. Никулина, И. П. Цырендоржиева, В. И. Рахлин, М. Л. Косинова, Ф. А. Кузнецов | ||
| "... dielectric films of hydrogenated silicon carbide has been demonstrated. ..." | ||
| Том 18, № 2 (2015) | ОПТИМИЗАЦИЯ УРОВНЯ ЛЕГИРОВАНИЯ КРЕМНИЯ «СОЛНЕЧНОГО» КАЧЕСТВА ДЛЯ ПОВЫШЕНИЯ ПРИГОДНОГО ОБЪЕМА СЛИТКОВ И КПД СОЛНЕЧНЫХ ЭЛЕМЕНТОВ | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
| А. А. Бетекбаев, Б. Н. Мукашев, Л. Пеллисер, Ф. Лай, Г. Фортин, Л. Бунас, Д. М. Скаков, А. А. Павлов | ||
| "... as it requires much less energy for purification compared to Silicon grades using gas transformation ..." | ||
| Том 19, № 1 (2016) | О СОВМЕСТНОМ ДЕЙСТВИИ ТЕМПЕРАТУРЫ И ЭЛЕКТРИЧЕСКОГО ТОКА НА ПЛАСТИЧНОСТЬ МОНОКРИСТАЛЛОВ КРЕМНИЯ | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
| А. Р. Велиханов | ||
| "... In low−resistance p−type single−crystalline silicon to explored particularities of the behavior ..." | ||
| Том 23, № 2 (2020) | Моделирование полевых элементов Холла на основе наноразмерных гетероструктур «кремний на изоляторе» | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
| В. Н. Мордкович, К. К. Абгарян, Д. Л. Ревизников, А. В. Леонов | ||
| "... on the "silicon on insulator" structure with two control gates. To solve the problem, a two-level local-one ..." | ||
| Том 20, № 3 (2017) | Выращивание из поликристаллического кремния солнечного качества квазимонокристаллических (mono-like) слитков методом направленной кристаллизации | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
| А. А. Бетекбаев, Б. Н. Мукашев, L. Pelissier, P. Lay, G. Fortin, L. Bounaas, Д. М. Скаков, Д. А. Калыгулов, А. А. Павлов, Т. С. Турмагамбетов, В. В. Ли | ||
| "... and monocrystalline structure performances. As a raw material the mc-Solar Grade silicon (SoG-Si) was used because ..." | ||
| № 1 (2013) | ВЛИЯНИЕ СВОЙСТВ СЛОЯ КРЕМНИЯ НА ЕМКОСТНЫЕ ПАРАМЕТРЫ МДП/КНС–СТРУКТУР | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
| К. Л. Енишерлова, В. Г. Горячев, Э. М. Темпер, С. А. Капилин | ||
| "... The influence of the epitaxial layer features and so silicon-sapphire interface in SOS-structures ..." | ||
| № 2 (2014) | СТРУКТУРА И ЭЛЕКТРОННЫЕ СВОЙСТВА ДЕФЕКТОВ НА ГРАНИЦЕ СОЕДИНЕННЫХ ПЛАСТИН КРЕМНИЯ | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
| А. Н. Терещенко, Э. А. Штейнман, А. А. Мазилкин, М. А. Хорошева, О. Конончук | ||
| Том 18, № 2 (2015) | МЕТАЛЛИЧЕСКИЕ НАНОПЛЕНКИ НА МОНОКРИСТАЛЛИЧЕСКОМ КРЕМНИИ: РОСТ, СВОЙСТВА И ПРИМЕНЕНИЕ | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
| Н. И. Плюснин | ||
| "... The metal–silicon thin−film system is not isostructural and furthermore exhibits pronounced ..." | ||
| Том 18, № 3 (2015) | ФОРМИРОВАНИЕ ТРЕХМЕРНЫХ СТРУКТУР В ПОДЛОЖКАХ КАРБИДА КРЕМНИЯ ПЛАЗМОХИМИЧЕСКИМ ТРАВЛЕНИЕМ | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
| Л. А. Сейдман | ||
| "... in silicon carbide substrates. The technological solution of these problems ion−stimulation plasmochemistry ..." | ||
| 26 - 50 из 120 результатов | << < 1 2 3 4 5 > >> | |
Советы по поиску:
- Поиск ведется с учетом регистра (строчные и прописные буквы различаются)
- Служебные слова (предлоги, союзы и т.п.) игнорируются
- По умолчанию отображаются статьи, содержащие хотя бы одно слово из запроса (то есть предполагается условие OR)
- Чтобы гарантировать, что слово содержится в статье, предварите его знаком +; например, +журнал +мембрана органелла рибосома
- Для поиска статей, содержащих все слова из запроса, объединяйте их с помощью AND; например, клетка AND органелла
- Исключайте слово при помощи знака - (дефис) или NOT; например. клетка -стволовая или клетка NOT стволовая
- Для поиска точной фразы используйте кавычки; например, "бесплатные издания". Совет: используйте кавычки для поиска последовательности иероглифов; например, "中国"
- Используйте круглые скобки для создания сложных запросов; например, архив ((журнал AND конференция) NOT диссертация)
