Сортировать по:
| Выпуск | Название | |
| № 4 (2014) | ДИАГНОСТИКА ПРИМЕСНОГО СОСТАВА ВЫСОКОЧИСТОГО МОНОСИЛАНА ПО РЕЗУЛЬТАТАМ АНАЛИЗА КОНТРОЛЬНОГО МОНОКРИСТАЛЛА КРЕМНИЯ | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
| В. А. Гавва, А. В. Гусев, Т. В. Котерева | ||
| "... in silicon. The estimation technique of carbon, boron and phosphorus impurity content in high−purity ..." | ||
| № 4 (2014) | РАСПРЕДЕЛЕНИЕ ЦЕНТРОВ ДИСЛОКАЦИОННОЙ ЛЮМИНЕСЦЕНЦИИ D1 В КРЕМНИИ, ПОДВЕРГНУТОМ ИМПЛАНТАЦИИ ИОНОВ Si+, И МОДЕЛЬ ФОТОЛЮМИНЕСЦЕНЦИИ | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
| С. Н. Нагорных, В. И. Павленков, Д. И. Тетельбаум, А. Н. Михайлов, А. И. Белов, Д. С. Королев, А. Н. Шушунов, А. И. Бобров, Д. А. Павлов, Е. И. Шек | ||
| "... Using step−by−step removal of silicon layers, in which dislocation−related photoluminescence ..." | ||
| Том 18, № 4 (2015) | МОЛЕКУЛЯРНО–ДИНАМИЧЕСКОЕ МОДЕЛИРОВАНИЕ НАЧАЛЬНЫХ ЭТАПОВ ПРОЦЕССА НИТРИДИЗАЦИИ ПОВЕРХНОСТИ Si(111) В Атмосфере NH₃ | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
| К. К. Абгарян, Ю. Г. Евтушенко, И. В. Мутигуллин, С. И. Уваров | ||
| "... of silicon has been carried out. We have used the process of parametric identification of interatomic ..." | ||
| Том 20, № 1 (2017) | РАЗДЕЛЬНОЕ ОПРЕДЕЛЕНИЕ ФОТОЭЛЕКТРИЧЕСКИХ ПАРАМЕТРОВ БАЗОВОЙ ОБЛАСТИ КРЕМНИЕВЫХ СТРУКТУР P+—N(P)—N+–ТИПА БЕСКОНТАКТНЫМ МЕТОДОМ ПО ОТНОШЕНИЯМ КОЭФФИЦИЕНТОВ СОБИРАНИЯ ПРИ ДВУХ ДЛИНАХ ВОЛН | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
| О. Г. Кошелев, Н. Г. Васильев | ||
| "... of silicon n+−p(n)−p+ structures is considered. The method is based on local illumination of the investigated ..." | ||
| № 1 (2014) | ДАЛЬНОДЕЙСТВУЮЩИЕ НАПРЯЖЕНИЯ В ЭПИТАКСИАЛЬНОЙ ПЛЕНКЕ, СОЗДАННЫЕ ДИСЛОКАЦИЯМИ НЕСООТВЕТСТВИЯ | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
| Е. М. Труханов, А. В. Колесников, И. Д. Лошкарев | ||
| № 1 (2012) | ИССЛЕДОВАНИЕ ФАЗОВОГО СОСТАВА В ОБРАЗЦАХ НАНОКОМПОЗИТА por–Si/SnOx, ПОДВЕРЖЕННЫХ ТЕРМИЧЕСКОМУ ОКИСЛЕНИЮ, МЕТОДОМ РЕНТГЕНОВСКОЙ ФОТОЭЛЕКТРОННОЙ СПЕКТРОСКОПИИ | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
| В. В. Болотов, С. Н. Несов, П. М. Корусенко, С. Н. Поворознюк | ||
| Том 22, № 3 (2019) | Возможность использования потока инертного газа для управления качественными характеристиками выращиваемых монокристаллов кремния | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
| Т. В. Критская, В. Н. Журавлёв, В. С. Бердников | ||
| "... The process of growing silicon single crystals by the Czochralski method has been improved, which ..." | ||
| № 3 (2012) | МОДЕЛИРОВАНИЕ ЗАВИСИМОСТИ КВАНТОВОГО ВЫХОДА InGaN/Si–СВЕТОДИОДОВ ОТ ПЛОТНОСТИ ТОКА | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
| О. И. Рабинович, В. П. Сушков | ||
| "... and the positive results of using the silicon substrates in nanoheterostructures for light−emitting diodes. ..." | ||
| № 4 (2012) | ИЗУЧЕНИЕ ЭЛЕКТРОФИЗИЧЕСКИХ СВОЙСТВ ДИОДОВ ШОТКИ, ИЗГОТОВЛЕННЫХ НА ОСНОВЕ КРЕМНИЯ С РАЗЛИЧНЫМИ МЕТАЛЛИЧЕСКИМИ СЛОЯМИ | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
| И. Г. Пашаев | ||
| № 2 (2012) | МОДЕЛИРОВАНИЕ ВЛИЯНИЯ ВНУТРЕННИХ МЕХАНИЧЕСКИХ НАПРЯЖЕНИЙ НА СКОРОСТЬ РОСТА КИСЛОРОДНЫХ ПРЕЦИПИТАТОВ В КРЕМНИИ | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
| Р. В. Гольдштейн, Т. М. Махвиладзе, М. Е. Сарычев | ||
| "... In the work an approach to modeling the influence of mechanical stresses generated in a silicon ..." | ||
| Том 18, № 2 (2015) | НАПРАВЛЕННАЯ КРИСТАЛЛИЗАЦИЯ МУЛЬТИКРИСТАЛЛИЧЕСКОГО КРЕМНИЯ В УСЛОВИЯХ ОСЛАБЛЕННОЙ КОНВЕКЦИИ РАСПЛАВА И ГАЗООБМЕНА | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
| М. А. Гоник | ||
| "... For the first time silicon was grown by means of directional crystallization and using ..." | ||
| Том 19, № 1 (2016) | ЭФФЕКТЫ НИЗКОИНТЕНСИВНОГО ОБЛУЧЕНИЯ В ПРИБОРАХ И ИНТЕГРАЛЬНЫХ СХЕМАХ НА БАЗЕ КРЕМНИЯ | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
| К. И. Таперо | ||
| "... This paper is a review on total ionizing dose effects in silicon semiconductor devices ..." | ||
| Том 22, № 1 (2019) | О связи протонного облучения и термической обработки монокристаллического кремния с его структурой | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
| В. Е. Асадчиков, И. Г. Дьячкова, Д. А. Золотов, Ю. С. Кривоносов, В. Т. Бублик, А. И. Шихов | ||
| "... of monocrystalline silicon obtained by implantation of hydrogen ions and subsequent thermal annealing, which is used ..." | ||
| № 1 (2014) | МИКРОСПЕКТРАЛЬНОЕ РАМАНОВСКОЕ РАССЕЯНИЕ НА УПРУГИХ ДЕФОРМАЦИЯХ БАЛКИ КАНТИЛЕВЕРА | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
| А. П. Кузьменко, Д. И. Тимаков | ||
| "... Flexural elastic deformations of single-crystal silicon have been studied using microspectral ..." | ||
| № 4 (2013) | ДЕГРАДАЦИЯ СОЛНЕЧНЫХ ЭЛЕМЕНТОВ НА ОСНОВЕ ГИДРОГЕНИЗИРОВАННОГО АМОРФНОГО КРЕМНИЯ | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
| В. Н. Мурашев, С. А. Леготин, А. А. Краснов, А. А. Дудкин, Д. А. Зезин | ||
| "... The operating experience of hydrogenated amorphous silicon (a−Si : H) based solar cells has shown ..." | ||
| № 1 (2013) | ИССЛЕДОВАНИЕ ДЕФЕКТОВ В МНОГОСЛОЙНЫХ ЭПИТАКСИАЛЬНЫХ СИЛОВЫХ ПРИБОРАХ НА ОСНОВЕ КРЕМНИЯ МЕТОДАМИ РЕНТГЕНОВСКОЙ ТОПОГРАФИИ | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
| И. Л. Шульпина, В. А. Козлов | ||
| "... The defects in silicon based multilayer epitaxial structures intended for power epitaxial ..." | ||
| № 4 (2013) | ОСОБЕННОСТИ РАСПРОСТРАНЕНИЯ ЭЛЕКТРОМАГНИТНЫХ ВОЗБУЖДЕНИЙ В НЕИДЕАЛЬНОМ 1D ФОТОННОМ КРИСТАЛЛЕ НА ОСНОВЕ КРЕМНИЯ И ЖИДКОГО КРИСТАЛЛА | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
| В. В. Румянцев, С. А. Федоров | ||
| "... crystal with two elements (layers) in the unit cell: the first layer is silicon, and the second one ..." | ||
| № 3 (2013) | К ВОЗМОЖНОСТИ ВЫРАЩИВАНИЯ ОБЪЕМНЫХ КРИСТАЛЛОВ Si—Ge МЕТОДОМ ОСЕВОГО ТЕПЛОВОГО ПОТОКА ВБЛИЗИ ФРОНТА КРИСТАЛЛИЗАЦИИ | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
| М. И. Гоник, Arne Cröll | ||
| "... A technique for crucibleless growth of single−crystal silicon and its alloys with germanium ..." | ||
| № 1 (2014) | СПЕКТРЫ DLTS КРЕМНИЕВЫХ ДИОДОВ С p+—n–ПЕРЕХОДОМ, ОБЛУЧЕННЫХ ВЫСОКОЭНЕРГЕТИЧЕСКИМИ ИОНАМИ КРИПТОНА | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
| Н. А. Поклонский, Н. И. Горбачук, С. В. Шпаковский, В. А. Филипеня, А. С. Турцевич, С. В. Шведов, Куанг Нья Во, Тхи Тхань Бинь Нгуен, В. А. Скуратов, D. Wieck Andreas | ||
| "... ) plane) of uniformly phosphorus doped float–zone–grown single–crystal silicon. The resistivity of silicon ..." | ||
| № 1 (2014) | ХИМИЯ И ФУНКЦИОНАЛЬНЫЕ МАТЕРИАЛЫ. НАУЧНАЯ ШКОЛА АКАДЕМИКА Ф. А. КУЗНЕЦОВА | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
| М. Л. Косинова, И. Г. Васильева, Я. В. Васильев, Т. П. Смирнова | ||
| № 2 (2013) | ИССЛЕДОВАНИЕ МОРФОЛОГИИ И СТРУКТУРЫ ТОНКИХ ПЛЕНОК 3C–SiC НА КРЕМНИИ МЕТОДАМИ ЭЛЕКТРОННОЙ МИКРОСКОПИИ И РЕНТГЕНОВСКОЙ ДИФРАКТОМЕТРИИ | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
| А. С. Гусев, С. М. Рындя, А. В. Зенкевич, Н. И. Каргин, Д. В. Аверьянов, М. М. Грехов | ||
| "... Silicon carbide thin epilayers were grown on Si substrates by pulsed laser ablation of ceramic ..." | ||
| Том 19, № 1 (2016) | МЕТОД ЧОХРАЛЬСКОГО: ИСТОРИЯ И РАЗВИТИЕ | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
| Е. П. Маянов, А. А. Гасанов, А. В. Наумов | ||
| "... single crystals, e.g. silicon, germanium, a number of oxide crystals and multicomponent compounds ..." | ||
| Том 23, № 2 (2020) | Оптимизация процесса пассивации при изготовлении СВЧ-транзисторов на основе AlGaN/GaN гетероструктур методом ICP CVD | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
| А. А. Слепцова, С. В. Черных, Д. А. Подгорный, И. А. Жильников | ||
| "... In present study is considered the influence of the regimes of passivating dielectric silicon ..." | ||
| № 4 (2012) | ОСОБЕННОСТИ ПРОЦЕССОВ ФОРМИРОВАНИЯ МИКРОВКЛЮЧЕНИЙ В КРИСТАЛЛАХ МУЛЬТИКРЕМНИЯ, ВЫРАЩЕННЫХ ИЗ МЕТАЛЛУРГИЧЕСКОГО РАФИНИРОВАННОГО КРЕМНИЯ МЕТОДОМ БРИДЖМЕНА—СТОКБАРГЕРА | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
| С. М. Пещерова, Л. А. Павлова, А. И. Непомнящих, И. А. Елисеев,, Ю. В. Сокольникова | ||
| "... metallurgical silicon by the vertical Bridgman−Stockbarger method have been studied. The chemical composition ..." | ||
| № 4 (2012) | ИССЛЕДОВАНИЕ ОДНОРОДНОСТИ ПОВЕРХНОСТНОГО СОПРОТИВЛЕНИЯ МЕТАЛЛИЧЕСКИХ ПЛЕНОК Ti, Al, Ni, Cr и Au НА КРЕМНИИ | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
| К. Д. Ванюхин, С. П. Кобелева, Ю. А. Концевой, В. А. Курмачев, Л. А. Сейдман | ||
| "... Ti, Al, Ni, Cr and Au metal films have been deposited onto silicon (100) n−type 100 mm substrates ..." | ||
| 51 - 75 из 120 результатов | << < 1 2 3 4 5 > >> | |
Советы по поиску:
- Поиск ведется с учетом регистра (строчные и прописные буквы различаются)
- Служебные слова (предлоги, союзы и т.п.) игнорируются
- По умолчанию отображаются статьи, содержащие хотя бы одно слово из запроса (то есть предполагается условие OR)
- Чтобы гарантировать, что слово содержится в статье, предварите его знаком +; например, +журнал +мембрана органелла рибосома
- Для поиска статей, содержащих все слова из запроса, объединяйте их с помощью AND; например, клетка AND органелла
- Исключайте слово при помощи знака - (дефис) или NOT; например. клетка -стволовая или клетка NOT стволовая
- Для поиска точной фразы используйте кавычки; например, "бесплатные издания". Совет: используйте кавычки для поиска последовательности иероглифов; например, "中国"
- Используйте круглые скобки для создания сложных запросов; например, архив ((журнал AND конференция) NOT диссертация)
