Поиск


Сортировать по:     
 
Выпуск Название
 
Том 18, № 2 (2015) КОНТРОЛЬ «ЖЕЛТОЙ» ФОТОЛЮМИНЕСЦЕНЦИИ ГЕТЕРОСТРУКТУР AlGaN/GaN Аннотация  PDF (Rus)  похожие документы
Н. Б. Гладышева, В. В. Груздов, М. Е. Гусев, Ю. В. Колковский, Ю. А. Концевой, Е. Ф. Певцов
"... photoluminescence with the peak in the yellow spectral region for characterizing the quality of AlGaN/GaN/SiC ..."
 
Том 19, № 2 (2016) Нестабильность емкости ВФ–характеристик при измерении гетероcтруктур AlGaN/GaN и НЕМТ–транзисторов на их основе Аннотация  PDF (Rus)  похожие документы
К. Л. Енишерлова, В. Г. Горячев, В. В. Сарайкин, С. А. Капилин
"... A complex of studies of the AlGaN/GaN heterostructures and the AlGaN/GaN/SiC HEMT-transistors ..."
 
Том 18, № 2 (2015) ИССЛЕДОВАНИЕ ВЛИЯНИЯ ПАССИВИРУЮЩИХ СЛОЕВ НА ЕМКОСТНЫЕ ХАРАКТЕРИСТИКИ ГЕТЕРОСТРУКТУР AlGaN/GaN Аннотация  PDF (Rus)  похожие документы
К. Л. Енишерлова, В. Г. Горячев, Т. Ф. Русак, С. А. Капилин
"... AlGaN/GaN heterostructures grown by MOCVD method on sapphire and silicon substrates were test ..."
 
Том 18, № 3 (2015) ВЛИЯНИЕ КАЧЕСТВА ПОДЛОЖЕК SiC НА СТРУКТУРНОЕ НСТВО И НЕКОТОРЫЕ ЭЛЕКТРИЧЕСКИЕ ПАРАМЕТРЫ ПЛЕНОК AlGaN/GaN Аннотация  PDF (Rus)  похожие документы
К. Л. Eнишерлова, Т. Ф. Русак, В. И. Корнеев, А. Н. Зазулина
"... electrophysical parameters of AlGaN/GaN epitaxial layer heterostructures grown on them. Regions with internal ..."
 
Том 18, № 1 (2015) НИТРИДНЫЕ НЕМТ ПРОТИВ АРСЕНИДНЫХ: ПОСЛЕДНЯЯ БИТВА? Аннотация  PDF (Rus)  похожие документы
Ю. В. Федоров, С. В. Михайлович
"... . In summary it could be stated that nowadays InP pHEMTs offer the highest frequencies and GaN HEMTs on SiC ..."
 
Том 18, № 1 (2015) ТЕНДЕНЦИИ РАЗВИТИЯ ЭПИТАКСИАЛЬНОЙ ТЕХНОЛОГИИ НИТРИДНЫХ СОЕДИНЕНИЙ Аннотация  PDF (Rus)  похожие документы
А. А. Арендаренко, В. А. Орешкин, Ю. Н. Свешников, И. Н. Цыпленков
"... have been presented. The AlGaN/GaN/Si heterostructures have been grown by MOCVD. We show that early ..."
 
Том 19, № 2 (2016) Задачи оптимизации наноразмерных полупроводниковых гетероструктур Аннотация  PDF (Rus)  похожие документы
К. К. Абгарян
"... optimization algorithms based on gradient methods. As an example, is considered heterostructure Al0.25GaN/GaN ..."
 
№ 3 (2012) ИССЛЕДОВАНИЕ ГЕТЕРОСТРУКТУР МЕТОДОМ РЕНТГЕНОВСКОЙ ОДНОКРИСТАЛЬНОЙ ДИФРАКТОМЕТРИИ Аннотация  PDF (Rus)  похожие документы
А. В. Лютцау, М. М. Крымко, К. Л. Енишерлова, Э. М. Темпер, И. И. Разгуляев
"...  of semiconductor heterostructures (SOS, SOI, AlGaN/GaN/Si, ion implanted silicon layers). We show that measurements ..."
 
№ 4 (2013) ИНТЕГРАЛЬНО–ДИФФЕРЕНЦИАЛЬНЫЙ МЕТОД ТЕРМОСПЕКТРОСКОПИИ ЭНЕРГЕТИЧЕСКИХ УРОВНЕЙ В ПОЛУПРОВОДНИКАХ ПО РЕЛАКСАЦИИ ИХ ЗАРЯДА Аннотация  PDF (Rus)  похожие документы
Ф. И. Маняхин
"... results of research AlGaN/ InGaN/GaN of the structures are resulted.             ..."
 
Том 18, № 1 (2015) ТЕОРЕТИЧЕСКОЕ ИССЛЕДОВАНИЕ ЭЛЕКТРОННЫХ И ГЕОМЕТРИЧЕСКИХ ХАРАКТЕРИСТИК ТОНКИХ ПЛЕНОК AlN Аннотация  PDF (Rus)  похожие документы
К. К. Абгарян, Д. И. Бажанов, И. В. Мутигуллин
"... because these films are widely used as buffer layers for GaN−based semiconductor heterostructures growth ..."
 
№ 1 (2012) НОВЫЕ НАПРАВЛЕНИЯ РАЗВИТИЯ ТЕХНОЛОГИИ ПРОИЗВОДСТВА УЛЬТРАФИОЛЕТОВЫХ СВЕТОДИОДОВ Аннотация  PDF (Rus)  похожие документы
А. А. Антипов, И. С. Бараш, В. Т. Бублик, С. Ю. Курин, Ю. Н. Макаров, Е. Н. Мохов, С. С. Нагалюк, А. Д. Роенков, Т. Ю. Чемекова, К. Д. Щербачев, Х. Хелава
"... The paper presents results of the development of ultraviolet light−emitting diodes based on GaN ..."
 
№ 3 (2013) ИССЛЕДОВАНИЕ СТРУКТУРЫ И МОРФОЛОГИИ ПОВЕРХНОСТИ ДВУХСЛОЙНОЙ КОНТАКТНОЙ МЕТАЛЛИЗАЦИИ Ti/Al Аннотация  PDF (Rus)  похожие документы
К. Д. Ванюхин, Р. В. Захарченко, Н. И. Каргин, М. В. Пашков, Л. А. Сейдман
"... Ti/Al/Ni/Au metallization widely used in the technology of GaN base devices have a very important ..."
 
Том 19, № 2 (2016) Структурные, электрические и люминесцентные характеристики ультрафиолетовых светодиодов, выращенных методом хлорид–гидридной эпитаксии Аннотация  PDF (Rus)  похожие документы
А. Я. Поляков, Jin−Hyeon Yun, А. С. Усиков, Е. Б. Якимов, Н. Б. Смирнов, К. Д. Щербачев, Н. Helava, Y. N. Makarov, С. Ю. Курин, Н. М. Шмидт, О. И. Рабинович, С. И. Диденко, С. А. Тарелкин, Б. П. Папченко, In−Hwan Lee
"... in the structural quality (dislocation density, density of dislocations agglomerates) of the GaN active layers ..."
 
№ 3 (2013) ИССЛЕДОВАНИЕ ПРОЦЕССА ТЕРМИЧЕСКОЙ АКТИВАЦИИ АКЦЕПТОРНОЙ ПРИМЕСИ В ЭПИТАКСИАЛЬНЫХ СЛОЯХ GaN : Mg Аннотация  PDF (Rus)  похожие документы
А. В. Мазалов, Д. Р. Сабитов, В. А. Курешов, А. А. Падалица, А. А. Мармалюк, Р. Х. Акчурин
"... The effect of thermal annealing of GaN:Mg layers on acceptor impurity activation has been ..."
 
Том 18, № 3 (2015) ФОРМИРОВАНИЕ ТРЕХМЕРНЫХ СТРУКТУР В ПОДЛОЖКАХ КАРБИДА КРЕМНИЯ ПЛАЗМОХИМИЧЕСКИМ ТРАВЛЕНИЕМ Аннотация  PDF (Rus)  похожие документы
Л. А. Сейдман
"...   by etching of SiC substrates with GaN epitaxial layers, and their subsequent metallization. In this review ..."
 
№ 2 (2013) ТЕХНОЛОГИЧЕСКИЕ ОСОБЕННОСТИ ФОРМИРОВАНИЯ ПРОЗРАЧНЫХ ПРОВОДЯЩИХ КОНТАКТОВ ИЗ ПЛЕНКИ ITO ДЛЯ СВЕТОДИОДОВ НА ОСНОВЕ НИТРИДА ГАЛЛИЯ Аннотация  PDF (Rus)  похожие документы
К. Д. Ванюхин, Р. В. Захарченко, Н. И. Каргин, Л. А. Сейдман
"... well as the transparent conducting electrode in the light emitting diodes based on GaN. ..."
 
Том 18, № 3 (2015) ИССЛЕДОВАНИЕ ИОННО–ЭЛЕКТРОННОЙ ЭМИССИИ В ПРОЦЕССЕ РЕАКТИВНОГО ИОННО–ЛУЧЕВОГО ТРАВЛЕНИЯ ДИЭЛЕКТРИЧЕСКИХ ТОНКОПЛЕНОЧНЫХ ГЕТЕРОСТРУКТУР Аннотация  PDF (Rus)  похожие документы
А. С. Курочка, А. А. Сергиенко, С. П. Курочка
"... –ЛУЧЕВОГО ТРАВЛЕНИЯ ДИЭЛЕКТРИЧЕСКИХ ТОНКОПЛЕНОЧНЫХ ГЕТЕРОСТРУКТУР © 2015 г. А. С. Курочка1, А. А ..."
 
Том 19, № 3 (2016) БУФЕРНЫЕ СЛОИ В ГЕТЕРОСТРУКТУРАХ Аннотация  PDF (Rus)  похожие документы
В. А. Харченко
"... гетероструктур с контролируемым уровнем механических напряжений и низкой плотностью дефектов в объеме и на ..."
 
№ 4 (2012) РАССЛОЕНИЕ ТВЕРДОГО РАСТВОРА GeSi НА ПОДЛОЖКАХ GaAs И Si Аннотация  PDF (Rus)  похожие документы
Е. Ф. Венгер, Л. А. Матвеева, П. Л. Нелюба
"... см−1 в образцах с раз- ным изотопным составом. Установлена зависимость частот максимумов линий ..."
 
№ 1 (2013) ЭЛЕКТРОФИЗИЧЕСКИЕ И ФОТОЭЛЕКТРИЧЕСКИЕ ХАРАКТЕРИСТИКИ МДП–СТРУКТУР НА ОСНОВЕ ГЕТЕРОЭПИТАКСИАЛЬНОГО HgCdTe, ПОЛУЧЕННОГО МЕТОДОМ МОЛЕКУЛЯРНО–ЛУЧЕВОЙ ЭПИТАКСИИ, C НЕОДНОРОДНЫМ РАСПРЕДЕЛЕНИЕМ СОСТАВА Аннотация  PDF (Rus)  похожие документы
А. В. Войцеховский, С. Н. Несмелов, С. М. Дзядух
"... смещения и частоты. Исследованы характеристики МДП-структур на основе n-Hg0,7Cd0,3Te с периодически ..."
 
№ 3 (2012) ВЛИЯНИЕ УСЛОВИЙ ФОРМИРОВАНИЯ ПЕРВОГО КАСКАДА ТРЕХКАСКАДНОГО СОЛНЕЧНОГО ЭЛЕМЕНТА НА РАСПРЕДЕЛЕНИЕ ФОСФОРА В ГЕРМАНИИ Аннотация  PDF (Rus)  похожие документы
С. П. Кобелева, И. М. Анфимов, Б. В. Жалнин, О. В. Торопова, Т. В. Критская
"... . Н. Радиационная стойкость биполярных транзисторов / Э. Н. Вологдин, А. П. Лысенко. − М., 2000 ..."
 
№ 1 (2014) ДИАГНОСТИКА ТЕХНОЛОГИЧЕСКИХ ХАРАКТЕРИСТИК МОЩНЫХ ТРАНЗИСТОРОВ С ПОМОЩЬЮ РЕЛАКСАЦИОННОГО ИМПЕДАНС–СПЕКТРОМЕТРА ТЕПЛОВЫХ ПРОЦЕССОВ Аннотация  PDF (Rus)  похожие документы
О. С. Васьков, В. С. Нисс, В. К. Кононенко, А. С. Турцевич, И. И. Рубцевич, Я. А. Соловьев, А. Ф. Керенцев
"... апробирован эффективный метод определения тепловых параметров мощных полевых транзисторов. С помощью ..."
 
№ 4 (2014) ФОТОЧУВСТВИТЕЛЬНЫЕ ГЕТЕРОСТРУКТУРЫ НА ОСНОВЕ ПОРИСТОГО НАНОКРИСТАЛЛИЧЕСКОГО КРЕМНИЯ Аннотация  PDF (Rus)  похожие документы
Н. В. Латухина, А. С. Рогожин, С. Сайед, В. И. Чепурнов
"... образованию гетероструктур SiC/Si, проведена методом газотранспортной эндотаксии в потоке водорода в ..."
 
Том 19, № 1 (2016) ТИПОВАЯ МОДЕЛЬ ГЕТЕРОСТРУКТУРЫ ДЛЯ СВЧ−УСТРОЙСТВ Аннотация  PDF (Rus)  похожие документы
К. К. Абгарян, В. А. Харченко
"... гетероструктур, базирующихся на отечественных материалах и технологиях, с привязкой к конкретным типам СВЧ ..."
 
№ 3 (2013) ФОТОЭЛЕКТРИЧЕСКИЕ ПРЕОБРАЗОВАТЕЛИ В СИСТЕМЕ СО СПЕКТРАЛЬНЫМ РАСЩЕПЛЕНИЕМСОЛНЕЧНОЙ ЭНЕРГИИ Аннотация  PDF (Rus)  похожие документы
С. Ю. Курин, В. Д. Доронин, А. А. Антипов, Б. П. Папченко, Х. И. Хелава, М. И. Воронова, А. С. Усиков, Ю. Н. Макаров, К. Б. Эйдельман
"... on InGaN/GaN, GaAs/AlGaAs single−junction heterostructures and monocrystalline silicon c−Si. Special ..."
 
1 - 25 из 104 результатов 1 2 3 4 5 > >> 

Советы по поиску:

  • Поиск ведется с учетом регистра (строчные и прописные буквы различаются)
  • Служебные слова (предлоги, союзы и т.п.) игнорируются
  • По умолчанию отображаются статьи, содержащие хотя бы одно слово из запроса (то есть предполагается условие OR)
  • Чтобы гарантировать, что слово содержится в статье, предварите его знаком +; например, +журнал +мембрана органелла рибосома
  • Для поиска статей, содержащих все слова из запроса, объединяйте их с помощью AND; например, клетка AND органелла
  • Исключайте слово при помощи знака - (дефис) или NOT; например. клетка -стволовая или клетка NOT стволовая
  • Для поиска точной фразы используйте кавычки; например, "бесплатные издания". Совет: используйте кавычки для поиска последовательности иероглифов; например, "中国"
  • Используйте круглые скобки для создания сложных запросов; например, архив ((журнал AND конференция) NOT диссертация)