Preview

Известия высших учебных заведений. Материалы электронной техники

Расширенный поиск

Поиск


Сортировать по:     
 
Выпуск Название
 
Том 20, № 1 (2017) РАЗДЕЛЬНОЕ ОПРЕДЕЛЕНИЕ ФОТОЭЛЕКТРИЧЕСКИХ ПАРАМЕТРОВ БАЗОВОЙ ОБЛАСТИ КРЕМНИЕВЫХ СТРУКТУР P+—N(P)—N+–ТИПА БЕСКОНТАКТНЫМ МЕТОДОМ ПО ОТНОШЕНИЯМ КОЭФФИЦИЕНТОВ СОБИРАНИЯ ПРИ ДВУХ ДЛИНАХ ВОЛН Аннотация  PDF (Rus)  похожие документы
О. Г. Кошелев, Н. Г. Васильев
"... of silicon n+−p(n)−p+ structures is considered. The method is based on local illumination of the investigated ..."
 
Том 19, № 1 (2016) МИКРОСКОПИЧЕСКИЕ И РЕНТГЕНОСПЕКТРАЛЬНЫЕ ИССЛЕДОВАНИЯ МАССИВОВ СТОЛБИКОВ НИКЕЛЯ В МАТРИЦЕ ДИОКСИДА КРЕМНИЯ Аннотация  PDF (Rus)  похожие документы
С. Ю. Турищев, Е. В. Паринова, Д. А. Коюда, Д. Е. Спирин, Д. Н. Нестеров, Р. В. Романцов, Ю. А. Федотова, Е. А. Стрельцов, Н. В. Малащенок, А. К. Федотов
"... Ni rods distributed in silicon dioxide matrix formed on silicon wafers have been characterized ..."
 
Том 18, № 2 (2015) НАПРАВЛЕННАЯ КРИСТАЛЛИЗАЦИЯ МУЛЬТИКРИСТАЛЛИЧЕСКОГО КРЕМНИЯ В УСЛОВИЯХ ОСЛАБЛЕННОЙ КОНВЕКЦИИ РАСПЛАВА И ГАЗООБМЕНА Аннотация  PDF (Rus)  похожие документы
М. А. Гоник
"... layer of SiC of the special structure. During the crystallization, the plate was on the melt surface ..."
 
№ 4 (2013) УСИЛЕННЫЙ МАГНИТОРЕЗИСТИВНЫЙ ЭФФЕКТ В МАССИВАХ НАНОСТОЛБИКОВ НИКЕЛЯ НА КРЕМНИЕВЫХ ПОДЛОЖКАХ Аннотация  PDF (Rus)  похожие документы
Ю. А. Федотова, Д. К. Иванов, Ю. А. Иванова, А. Саад, А. В. Мазаник, И. А. Свито, Е. А. Стрельцов, А. К. Федотов, С. И. Тютюнников, П. Ю. Апель
"... nanogranular nickel pillars in verticals pores of the SiO2 layer differ considerably from those properties ..."
 
№ 2 (2013) ВЛИЯНИЕ ОБРАБОТКИ ПОВЕРХНОСТИ ПОРИСТОГО КРЕМНИЯ В РАСТВОРЕ ПОЛИАКРИЛОВОЙ КИСЛОТЫ НА ЕГО ФОТОЛЮМИНЕСЦЕНТНЫЕ СВОЙСТВА Аннотация  PDF (Rus)  похожие документы
В. М. Кашкаров, А. С. Леньшин, П. В. Середин, Д. А. Минаков, Б. Л. Агапов, В. Н. Ципенюк
"... Porous silicon (por-Si) has a unique set of physic−chemical properties of characteristics — well ..."
 
№ 4 (2012) НАПРЯЖЕНИЕ И АДГЕЗИЯ ПОЛИКРИСТАЛЛИЧЕСКИХ ПЛЕНОК 3C–SiC, ВЫРАЩЕННЫХ МЕТОДОМ ОСАЖДЕНИЯ ИЗ ГАЗОВОЙ ФАЗЫ НА КРЕМНИЕВЫХ ПОДЛОЖКАХ Аннотация  PDF (Rus)  похожие документы
Т. М. Ткачева, Л. М. Иванова, К. Д. Демаков, М. Н. Шахов
"... been determined. The defect structure of the silicon substrate with deposited 3C−SiC film has been ..."
 
№ 4 (2013) СВОЙСТВА ПОРИСТЫХ ПЛЕНОЧНЫХ СТРУКТУР Si–КВАНТОВЫЕ ТОЧКИ/SiOx, ПОЛУЧЕННЫХ ПО ФТОРОВОДОРОДНОЙ ТЕХНОЛОГИИ Аннотация  PDF (Rus)  похожие документы
В. А. Данько, С. А. Злобин, И. З. Индутный, И. П. Лисовский, В. Г. Литовченко, Е. В. Михайловская, П. Е. Шепелявый, Е. Бегун
"... A detailed study of Si quantum dots/SiOx film structures synthesized using a new hydrofluoric ..."
 
№ 4 (2012) ОСОБЕННОСТИ ПОРИСТОГО КРЕМНИЯ, ПОЛУЧЕННОГО ХИМИЧЕСКИМ ТРАВЛЕНИЕМ Аннотация  PDF (Rus)  похожие документы
Т. Ю. Белик
"... The paper describes a complex study of chemically etched porous silicon layers ..."
 
Том 19, № 2 (2016) Нестабильность емкости ВФ–характеристик при измерении гетероcтруктур AlGaN/GaN и НЕМТ–транзисторов на их основе Аннотация  PDF (Rus)  похожие документы
К. Л. Енишерлова, В. Г. Горячев, В. В. Сарайкин, С. А. Капилин
"... the causes of the capacitance instability in some cases was made. It is shown that in most cases ..."
 
№ 2 (2012) АНАЛИЗ ПРОЦЕССОВ РАСПРОСТРАНЕНИЯ ТЕПЛА В СТРУКТУРАХ ИМПУЛЬСНЫХ СИЛОВЫХ ПРИБОРОВ ВБЛИЗИ ПЛОСКОСТЕЙ СПАЯ КРЕМНИЕВЫХ ПЛАСТИН В ВЫСОКОВОЛЬТНЫЕ «СТОЛБЫ» Аннотация  PDF (Rus)  похожие документы
А. Л. Глазов, В. А. Козлов, О. Корольков, К. Л. Муратиков
"... Processes of heat transfer through interfaces of semiconductor diode stack structures of high ..."
 
№ 4 (2012) НАНОРАЗМЕРНЫЙ КРЕМНИЙ, ИЗГОТОВЛЕННЫЙ С ИСПОЛЬЗОВАНИЕМ ЭЛЕКТРОЛИТА HCl : HF : C2H5OH Аннотация  PDF (Rus)  похожие документы
Ю. Н. Пархоменко, А. И. Белогорохов, А. П. Блиев, В. Г. Созанов
"... Results of experimental work with nanosized silicon (NcSi) samples which are not degraded under ..."
 
Том 20, № 1 (2017) ИССЛЕДОВАНИЕ ПРОЦЕССОВ ПАЙКИ КРЕМНИЕВЫХ КРИСТАЛЛОВ МОЩНЫХ ТРАНЗИСТОРОВ В ИХ КОРПУСА Аннотация  PDF (Rus)  похожие документы
В. С. Аносов, Д. В. Гомзиков, М. И. Ичетовкин, Л. А. Сейдман, Р. И. Тычкин
"... −power silicon transistors manufacturing with retention of their low thermal resistance. To this end we ..."
 
Том 20, № 2 (2017) О природе изменения эффективного поверхностного заряда на кристаллах InAs при выращивании анодного оксидного слоя Аннотация  PDF (Rus)  похожие документы
А. В. Артамонов, В. П. Астахов, И. Б. Варлашов, П. Д. Гиндин, Н. И. Евстафьева, П. В. Митасов, И. Н. Мирошникова
"... etching. At the same time, based on grown layers there were produced MIS structures, and from calculation ..."
 
№ 4 (2013) РАСПРЕДЕЛЕНИЕ КИСЛОРОДА И ЭРБИЯ В КРЕМНИИ ПРИ ДИФФУЗИОННОМ ЛЕГИРОВАНИИ Аннотация  PDF (Rus)  похожие документы
М. Н. Дроздов, Н. В. Латухина, М. В. Степихова, В. А. Покоева, М. А. Сурин
"... The composition of diffusion silicon layers doped by rare earth erbium was investigated ..."
 
Том 19, № 1 (2016) О СОВМЕСТНОМ ДЕЙСТВИИ ТЕМПЕРАТУРЫ И ЭЛЕКТРИЧЕСКОГО ТОКА НА ПЛАСТИЧНОСТЬ МОНОКРИСТАЛЛОВ КРЕМНИЯ Аннотация  PDF (Rus)  похожие документы
А. Р. Велиханов
"... In low−resistance p−type single−crystalline silicon to explored particularities of the behavior ..."
 
№ 4 (2013) ОСОБЕННОСТИ РАСПРОСТРАНЕНИЯ ЭЛЕКТРОМАГНИТНЫХ ВОЗБУЖДЕНИЙ В НЕИДЕАЛЬНОМ 1D ФОТОННОМ КРИСТАЛЛЕ НА ОСНОВЕ КРЕМНИЯ И ЖИДКОГО КРИСТАЛЛА Аннотация  PDF (Rus)  похожие документы
В. В. Румянцев, С. А. Федоров
"... crystal with two elements (layers) in the unit cell: the first layer is silicon, and the second one ..."
 
№ 1 (2014) О ГРАНИЧНЫХ ПРОЦЕССАХ В МЕЖФАЗНОЙ ОБЛАСТИ ЭЛЕКТРОЛИТ—КРЕМНИЙ ПРИ САМООРГАНИЗАЦИИ МОЗАИЧНОЙ СТРУКТУРЫ 3D–ОСТРОВКОВ НАНОКРИСТАЛЛИТОВ ПОРИСТОГО КРЕМНИЯ ПРИ ДЛИТЕЛЬНОМ АНОДНОМ ТРАВЛЕНИИ p–Si (100) В ЭЛЕКТРОЛИТЕ С ВНУТРЕННИМ ИСТОЧНИКОМ ТОКА Аннотация  PDF (Rus)  похожие документы
К. Б. Тыныштыкбаев, Ю. А. Рябикин, С. Ж. Токмолдин, Б. А. Ракыметов, Т. Айтмукан, Х. А. Абдуллин
"... The formation and self−organization of porous silicon (por-Si) surface mosaic structure at long ..."
 
Том 18, № 3 (2015) РАЗРАБОТКА МЕТОДИКИ ОЧИСТКИ МЕТАЛЛУРГИЧЕСКОГО КРЕМНИЯ ДО КРЕМНИЯ МАРКИ «СОЛНЕЧНЫЙ» Аннотация  PDF (Rus)  похожие документы
И. И. Марончук, И. E. Марончук, Д. Д. Саникович, И. Б. Широков
"... Experimental results demonstrating the possibility of obtaining solar grade silicon ..."
 
№ 2 (2014) СТРУКТУРА И ЭЛЕКТРОННЫЕ СВОЙСТВА ДЕФЕКТОВ НА ГРАНИЦЕ СОЕДИНЕННЫХ ПЛАСТИН КРЕМНИЯ Аннотация  PDF (Rus)  похожие документы
А. Н. Терещенко, Э. А. Штейнман, А. А. Мазилкин, М. А. Хорошева, О. Конончук
"... Comprehensive studies of the structure and electronic properties of defects occurring ..."
 
Том 19, № 3 (2016) Буферные слои в гетероструктурах Аннотация  PDF (Rus)  похожие документы
В. А. Харченко
"... The problem of choosing the architecture of buffer layers is considered. This is typical problem ..."
 
№ 3 (2013) К ВОЗМОЖНОСТИ ВЫРАЩИВАНИЯ ОБЪЕМНЫХ КРИСТАЛЛОВ Si—Ge МЕТОДОМ ОСЕВОГО ТЕПЛОВОГО ПОТОКА ВБЛИЗИ ФРОНТА КРИСТАЛЛИЗАЦИИ Аннотация  PDF (Rus)  похожие документы
М. И. Гоник, Arne Cröll
"... of molten silicon, the casing surface was coated with SiC having a special nano−crystalline structure ..."
 
№ 4 (2014) РАСПРЕДЕЛЕНИЕ Ge В СЛИТКЕ СПЛАВА Si0,9Ge0,1 ПРИ ВЫРАЩИВАНИИ КРИСТАЛЛА ИЗ ТОНКОГО СЛОЯ РАСПЛАВА Аннотация  PDF (Rus)  похожие документы
М. А. Гоник, A. Cröll, A. Wagner
"... for conditions of Sb (Ga) doped Ge growth from a thin melt layer in the presence of a heater submerged ..."
 
№ 4 (2013) СТАТИСТИЧЕСКИЙ АНАЛИЗ ВЛИЯНИЯ Ge НА РАДИАЦИОННУЮ И ТЕРМИЧЕСКУЮ СТАБИЛЬНОСТЬ ЭЛЕКТРОФИЗИЧЕСКИХ ХАРАКТЕРИСТИК ПРИБОРНЫХ n—p—n—p–СТРУКТУР НА ОСНОВЕ CZ–Si

Аннотация  PDF (Rus)  похожие документы
С. В. Быткин, Т. В. Критская, С. П. Кобелева
"... crystal silicon doped with ger- manium to the concentration range NGe ~ (0.05—1.5) • 1020 cm−3 have been ..."
 
Том 20, № 1 (2017) УПРУГОНАПРЯЖЕННЫЕ СЛОИ И НАНООСТРОВКИ GESISN В МНОГОСЛОЙНЫХ ПЕРИОДИЧЕСКИХ СТРУКТУРАХ Аннотация  PDF (Rus)  похожие документы
В. А. Тимофеев, А. И. Никифоров, А. Р. Туктамышев, А. А. Блошкин, В. И. Машанов, С. А. Тийс, И. Д. Лошкарев, Н. А. Байдакова
"... periodic structures with pseudomorphic GeSiSn layers and GeSiSn island array have been obtained ..."
 
№ 2 (2014) ФОРМИРОВАНИЕ МАЛОУГЛОВОЙ ГРАНИЦЫ В ВИЦИНАЛЬНОЙ ГЕТЕРОСИСТЕМЕ GeSi/Si (001) Аннотация  PDF (Rus)  похожие документы
А. В. Колесников, Е. М. Труханов, А. С. Ильин, И. Д. Лошкарев
"... for the determination of epitaxial layer structural parameters based on the X−ray diffractometry data. It has been ..."
 
26 - 50 из 191 результатов << < 1 2 3 4 5 6 7 8 > >> 

Советы по поиску:

  • Поиск ведется с учетом регистра (строчные и прописные буквы различаются)
  • Служебные слова (предлоги, союзы и т.п.) игнорируются
  • По умолчанию отображаются статьи, содержащие хотя бы одно слово из запроса (то есть предполагается условие OR)
  • Чтобы гарантировать, что слово содержится в статье, предварите его знаком +; например, +журнал +мембрана органелла рибосома
  • Для поиска статей, содержащих все слова из запроса, объединяйте их с помощью AND; например, клетка AND органелла
  • Исключайте слово при помощи знака - (дефис) или NOT; например. клетка -стволовая или клетка NOT стволовая
  • Для поиска точной фразы используйте кавычки; например, "бесплатные издания". Совет: используйте кавычки для поиска последовательности иероглифов; например, "中国"
  • Используйте круглые скобки для создания сложных запросов; например, архив ((журнал AND конференция) NOT диссертация)