Поиск


Сортировать по:     
 
Выпуск Название
 
Том 19, № 1 (2016) ВЛИЯНИЕ ТЕМПЕРАТУРЫ ЭКСТРУЗИИ НА ФОРМИРОВАНИЕ СТРУКТУРЫ Bi0,5Sb1,5Te3 p–ТИПА ПРОВОДИМОСТИ Аннотация  PDF (Rus)  похожие документы
И. В. Тарасова, В. Т. Бублик
"... This article deals with regularities of defect structure and texture formation for extrusion ..."
 
№ 2 (2012) МЕХАНИЗМЫ ЭЛЕКТРОПРОВОДНОСТИ КРЕМНИЙ–УГЛЕРОДНЫХ НАНОКОМПОЗИТОВ С НАНОРАЗМЕРНЫМИ ВКЛЮЧЕНИЯМИ ВОЛЬФРАМА В ИНТЕРВАЛЕ ТЕМПЕРАТУР 20—200 °С Аннотация  PDF (Rus)  похожие документы
И. М. Анфимов, С. П. Кобелева, М. Д. Малинкович, И. В. Щемеров, О. В. Торопова, Ю. Н. Пархоменко
"... Temperature dependance of the resistivity of carbon−silicon 1 mkm film containing nanocise ..."
 
№ 2 (2013) СОЛНЕЧНЫЕ ЭЛЕМЕНТЫ С ЗАРЯДОВОЙ ПОДКАЧКОЙ: ТЕОРЕТИЧЕСКИЕ ПЕРСПЕКТИВЫ И ТЕХНОЛОГИЧЕСКИЕ АСПЕКТЫ ПРИМЕНЕНИЯ Аннотация  PDF (Rus)  похожие документы
В. А. Гусев, В. В. Старков, А. В. Тетерский
"... silicon converters structure with charges pumps (SCSCP) is lead. Charges pumps represented local n+-areas ..."
 
№ 4 (2013) СПОСОБ РАЗДЕЛЬНОГО ОПРЕДЕЛЕНИЯ СОПРОТИВЛЕНИЙ ОБРАЗЦА ВЫСОКООМНОГО ПОЛУПРОВОДНИКА И КОНТАКТОВ К ОБРАЗЦУ Аннотация  PDF (Rus)  похожие документы
В. А. Голубятников, Ф. И. Григорьев, А. П. Лысенко, Н. И. Строганкова, М. Б. Шадов, А. Г. Белов, В. Е. Каневский
"... OJSC «OKB−Planeta» Formation and Structure of Mesoporous Silicon ..........4 This article presents ..."
 
№ 2 (2012) МОДЕЛИРОВАНИЕ ВЛИЯНИЯ ВНУТРЕННИХ МЕХАНИЧЕСКИХ НАПРЯЖЕНИЙ НА СКОРОСТЬ РОСТА КИСЛОРОДНЫХ ПРЕЦИПИТАТОВ В КРЕМНИИ Аннотация  PDF (Rus)  похожие документы
Р. В. Гольдштейн, Т. М. Махвиладзе, М. Е. Сарычев
"... In the work an approach to modeling the influence of mechanical stresses generated in a silicon ..."
 
Том 19, № 1 (2016) ТИПОВАЯ МОДЕЛЬ ГЕТЕРОСТРУКТУРЫ ДЛЯ СВЧ−УСТРОЙСТВ Аннотация  PDF (Rus)  похожие документы
К. К. Абгарян, В. А. Харченко
"... .g. choice of initial material, substrate material, structure of layers, their sequences, thickness of layers ..."
 
№ 1 (2014) МАГНИТНЫЙ СТРУКТУРНЫЙ ЭФФЕКТ В ЭПИТАКСИАЛЬНЫХ ПЛЕНКАХ ОКСИДА ЦЕРИЯ И ЦИРКОНАТА ЛАНТАНА Аннотация  PDF (Rus)  похожие документы
Ф. Х. Чибирова, Г. В. Котина, Е. А. Бовина, А. В. Клочихина, Д. В. Тарасова, В. Р. Халилов, А. А. Полисан, Юрий Николаевич Пархоменко
"... of diffraction peak (200) indicate a well developed epitaxial structure of CeO2 and La2Zr2O7 layers. The texture ..."
 
№ 1 (2012) НАБЛЮДЕНИЕ ОСОБЕННОСТЕЙ ФАЗОВЫХ ПЕРЕХОДОВ В КРЕМНИИ ПРИ ВЫСОКОМ ЛОКАЛЬНОМ ДАВЛЕНИИ В УСЛОВИЯХ ИНДЕНТИРОВАНИЯ Аннотация  PDF (Rus)  похожие документы
С. В. Прокудин, А. С. Усеинов
"... in crystalline materials such as silicon.In the present work silicon samples with different crystallographic ..."
 
Том 18, № 1 (2015) МАГНЕТОСОПРОТИВЛЕНИЕ ОБЛУЧЕННЫХ ПРОТОНАМИ НИТЕВИДНЫХ КРИСТАЛЛОВ Si0,97Ge0,03 Аннотация  PDF (Rus)  похожие документы
Н. Т. Павловская, П. Г. Литовченко, Ю. О. Угрин, Ю. В. Павловский, И. П. Островский, К. Рогацкий
"... —181. 3. Voronin, V. Silicon whiskers for mechanical sensors / V. Vo- ronin, I. Maryamova, Y ..."
 
№ 4 (2014) ДИАГНОСТИКА ПРИМЕСНОГО СОСТАВА ВЫСОКОЧИСТОГО МОНОСИЛАНА ПО РЕЗУЛЬТАТАМ АНАЛИЗА КОНТРОЛЬНОГО МОНОКРИСТАЛЛА КРЕМНИЯ Аннотация  PDF (Rus)  похожие документы
В. А. Гавва, А. В. Гусев, Т. В. Котерева
"... in silicon. The estimation technique of carbon, boron and phosphorus impurity content in high−purity ..."
 
Том 18, № 1 (2015) ИССЛЕДОВАНИЯ МАГНИТНЫХ И ЭЛЕКТРИЧЕСКИХ СВЕРХТОНКИХ ВЗАИМОДЕЙСТВИЙ В ЭПИТАКСИАЛЬНОЙ ПЛЕНКЕ ЖЕЛЕЗОИТТРИЕВОГО ГРАНАТА МЕТОДОМ КОНВЕРСИОННОЙ ЭЛЕКТРОННОЙ МЕССБАУЭРОВСКОЙ СПЕКТРОСКОПИИ Аннотация  PDF (Rus)  похожие документы
В. В. Мокляк
"... the magnetic and electric hyperfine interactions in the surface layers of epitaxial films of yttrium iron ..."
 
№ 3 (2013) ИССЛЕДОВАНИЕ ЭФФЕКТОВ, ИНДУЦИРОВАННЫХ СЛАБЫМ МАГНИТНЫМ ПОЛЕМ В ПОРОШКАХ ЖЕЛЕЗА Аннотация  PDF (Rus)  похожие документы
Е. А. Скрылева, Н. Ю. Табачкова, К. Д. Щербачев, М. И. Воронова
"... The effect of magnetic field treatment on the structure and chemical composition of reduced iron ..."
 
Том 18, № 4 (2015) ВЛИЯНИЕ ЛЕГИРУЮЩЕЙ ПРИМЕСИ ОКСИДА ИТТРИЯ НА СТРУКТУРУ И СВОЙСТВА КРИСТАЛЛОВ (ZrO₂)0,91−x(Sc₂O₃)0,09(Y₂O₃)х (x = 0÷0,02) Аннотация  PDF (Rus)  похожие документы
Д. А. Агарков, М. А. Борик, С. И. Бредихин, В. Т. Бублик, Л. Д. Исхакова, А. В. Кулебякин, И. Е. Курицына, Е. Е. Ломонова, Ф. О. Милович, В. А. Мызина, С. В. Серяков, Н. Ю. Табачкова
"... , structure and electrical properties of the ZrO2 — 9 mol.% Sc2O3 solid solution. We have shown ..."
 
№ 4 (2012) ИЗОТОПНЫЕ ЭФФЕКТЫ В СПЕКТРАХ ИК–ПОГЛОЩЕНИЯ ЭЛЕКТРИЧЕСКИ АКТИВНЫХ ПРИМЕСЕЙ В КРЕМНИИ–28, 29 И 30 С ВЫСОКИМ ИЗОТОПНЫМ ОБОГАЩЕНИЕМ Аннотация  PDF (Rus)  похожие документы
Т. В. Котерева, А. В. Гусев, В. А. Гавва, Е. А. Козырев
"... in high−purity single crystals of stable 28Si(99.99%), 29Si(99.92%) and 30Si(99,97%) silicon isotopes ..."
 
№ 4 (2012) ОСОБЕННОСТИ ПРОЦЕССОВ ФОРМИРОВАНИЯ МИКРОВКЛЮЧЕНИЙ В КРИСТАЛЛАХ МУЛЬТИКРЕМНИЯ, ВЫРАЩЕННЫХ ИЗ МЕТАЛЛУРГИЧЕСКОГО РАФИНИРОВАННОГО КРЕМНИЯ МЕТОДОМ БРИДЖМЕНА—СТОКБАРГЕРА Аннотация  PDF (Rus)  похожие документы
С. М. Пещерова, Л. А. Павлова, А. И. Непомнящих, И. А. Елисеев,, Ю. В. Сокольникова
"... metallurgical silicon by the vertical Bridgman−Stockbarger method have been studied. The chemical composition ..."
 
№ 4 (2012) МОДЕЛИРОВАНИЕ ПРОЦЕССОВ ИОННОЙ ИМПЛАНТАЦИИ И БЫСТРЫХ ТЕРМООБРАБОТОК ПРИ ФОРМИРОВАНИИ АКТИВНЫХ ОБЛАСТЕЙ СУБМИКРОННЫХ И НАНОМЕТРОВЫХ ИНТЕГРАЛЬНЫХ СХЕМ НА КРЕМНИИ Аннотация  PDF (Rus)  похожие документы
Ф. Ф. Комаров, А. Ф. Комаров, А. М. Миронов, Г. М. Заяц, Ю. В. Макаревич, С. А. Мискевич
"... clustering in silicon / F. F. Komarov, O. I. Velichko, V. A. Dobrushkin, A. M. Mironov // Phys. Rev. − 2006 ..."
 
№ 4 (2012) ИССЛЕДОВАНИЕ ОДНОРОДНОСТИ ПОВЕРХНОСТНОГО СОПРОТИВЛЕНИЯ МЕТАЛЛИЧЕСКИХ ПЛЕНОК Ti, Al, Ni, Cr и Au НА КРЕМНИИ Аннотация  PDF (Rus)  похожие документы
К. Д. Ванюхин, С. П. Кобелева, Ю. А. Концевой, В. А. Курмачев, Л. А. Сейдман
"... Ti, Al, Ni, Cr and Au metal films have been deposited onto silicon (100) n−type 100 mm substrates ..."
 
Том 19, № 3 (2016) К вопросу об определении объемного времени жизни по спаду фотопроводимости на непассивированных образцах монокристаллического кремния Аннотация  PDF (Rus)  похожие документы
И. М. Анфимов, С. П. Кобелева, А. В. Пыльнев, И. В. Щемеров, Д. С. Егоров, С. Ю. Юрчук
"... In indirect band gap semiconductors, for example, in silicon, the free carrier recombination ..."
 
№ 4 (2014) ПЕРСПЕКТИВЫ РЫНКА ПОЛИКРИСТАЛЛИЧЕСКОГО КРЕМНИЯ Аннотация  PDF (Rus)  похожие документы
А. В. Некрасов, А. В. Наумов
"... XinJiang Silicon, LDK, Daqo New Energy, Tokuyama and SunEdison (ex−MEMC) — have a total production capacity ..."
 
Том 19, № 1 (2016) МЕТОД ЧОХРАЛЬСКОГО: ИСТОРИЯ И РАЗВИТИЕ Аннотация  PDF (Rus)  похожие документы
Е. П. Маянов, А. А. Гасанов, А. В. Наумов
"... single crystals, e.g. silicon, germanium, a number of oxide crystals and multicomponent compounds ..."
 
Том 19, № 3 (2016) Эволюция системы моделей и алгоритмов для расчетов параметров технологических процессов получения материалов микро- и наноэлектроники Аннотация  PDF (Rus)  похожие документы
В. В. Крапухин, В. Г. Косушкин, Л. В. Кожитов, В. Г. Костишин, Д. Г. Муратов, А. В. Попкова
"... structures the typical dimensions of which are within several tens of nanometers. A scientific model ..."
 
№ 3 (2013) ФОТОЭЛЕКТРИЧЕСКИЕ ПРЕОБРАЗОВАТЕЛИ В СИСТЕМЕ СО СПЕКТРАЛЬНЫМ РАСЩЕПЛЕНИЕМСОЛНЕЧНОЙ ЭНЕРГИИ Аннотация  PDF (Rus)  похожие документы
С. Ю. Курин, В. Д. Доронин, А. А. Антипов, Б. П. Папченко, Х. И. Хелава, М. И. Воронова, А. С. Усиков, Ю. Н. Макаров, К. Б. Эйдельман
"... on InGaN/GaN, GaAs/AlGaAs single−junction heterostructures and monocrystalline silicon c−Si. Special ..."
 
№ 4 (2013) ДЕГРАДАЦИЯ СОЛНЕЧНЫХ ЭЛЕМЕНТОВ НА ОСНОВЕ ГИДРОГЕНИЗИРОВАННОГО АМОРФНОГО КРЕМНИЯ Аннотация  PDF (Rus)  похожие документы
В. Н. Мурашев, С. А. Леготин, А. А. Краснов, А. А. Дудкин, Д. А. Зезин
"... The operating experience of hydrogenated amorphous silicon (a−Si : H) based solar cells has shown ..."
 
№ 4 (2012) РАССЛОЕНИЕ ТВЕРДОГО РАСТВОРА GeSi НА ПОДЛОЖКАХ GaAs И Si Аннотация  PDF (Rus)  похожие документы
Е. Ф. Венгер, Л. А. Матвеева, П. Л. Нелюба
"... that the Ge1−xSix films can change composition with the formation of other solid solution structures both ..."
 
№ 2 (2013) ТЕХНОЛОГИЧЕСКИЕ ОСОБЕННОСТИ ФОРМИРОВАНИЯ ПРОЗРАЧНЫХ ПРОВОДЯЩИХ КОНТАКТОВ ИЗ ПЛЕНКИ ITO ДЛЯ СВЕТОДИОДОВ НА ОСНОВЕ НИТРИДА ГАЛЛИЯ Аннотация  PDF (Rus)  похожие документы
К. Д. Ванюхин, Р. В. Захарченко, Н. И. Каргин, Л. А. Сейдман
"... Система InGaN/GaN МКЯ 0,07 мкм n−GaN (Si) 3 мкм GaN 1 мкм Сапфир 430 мкм Рис. 1. Структура подложки ..."
 
101 - 125 из 180 результатов << < 1 2 3 4 5 6 7 8 > >> 

Советы по поиску:

  • Поиск ведется с учетом регистра (строчные и прописные буквы различаются)
  • Служебные слова (предлоги, союзы и т.п.) игнорируются
  • По умолчанию отображаются статьи, содержащие хотя бы одно слово из запроса (то есть предполагается условие OR)
  • Чтобы гарантировать, что слово содержится в статье, предварите его знаком +; например, +журнал +мембрана органелла рибосома
  • Для поиска статей, содержащих все слова из запроса, объединяйте их с помощью AND; например, клетка AND органелла
  • Исключайте слово при помощи знака - (дефис) или NOT; например. клетка -стволовая или клетка NOT стволовая
  • Для поиска точной фразы используйте кавычки; например, "бесплатные издания". Совет: используйте кавычки для поиска последовательности иероглифов; например, "中国"
  • Используйте круглые скобки для создания сложных запросов; например, архив ((журнал AND конференция) NOT диссертация)