Preview

Известия высших учебных заведений. Материалы электронной техники

Расширенный поиск

Поиск


Сортировать по:     
 
Выпуск Название
 
Том 21, № 1 (2018) Геттеры в кремнии Аннотация  PDF (Rus)  похожие документы
В. А. Харченко
"... The processes of gettering of fast-diffusing metal impurities and structure defects in silicon ..."
 
Том 21, № 1 (2018) Моделирование процессов массообмена при выращивании кристаллов KDP из раствора Аннотация  PDF (Rus)  похожие документы
Н. А. Верезуб, В. Л. Маноменова, А. И. Простомолотов
"... of defects. The requirements to the crystallizers that provide the «necessary» hydrodynamics in the solution ..."
 
Том 22, № 2 (2019) Влияние осаждения частиц кобальта на квантовые поправки к проводимости Друде в твистированном CVD графене Аннотация  PDF (Rus)  похожие документы
А. К. Федотов, С. Л. Прищепа, А. С. Федотов, В Э. Гуменник, И. В. Комиссаров, А. О. Конаков, С. А. Воробьева, О. А. Ивашкевич, А. А. Харченко
"... твистированном CVD графене, который декорирован электрохимически осажденными частицами Co, образующими омический ..."
 
Том 21, № 3 (2018) Влияние технологических факторов на характеристики омических контактов мощных AlGaN/GaN/SiC–HEMT Аннотация  PDF (Rus)  похожие документы
К. Л. Енишерлова, Б. К. Медведев, Э. М. Темпер, В. И. Корнеев
"... and other defects of the epitaxial layers of the source and drain regions of the nitride HEMT transistors ..."
 
Том 21, № 1 (2018) Термостимулированная десорбция кислорода в Sr2FeMoO6-δ Аннотация  PDF (Rus)  похожие документы
Н. А. Каланда
 
Том 20, № 4 (2017) Применение методик исследования материалов и структур электроники в разработке медицинских титановых эндопротезов с повышенной эффективностью фиброинтеграции Аннотация  похожие документы
А. И. Шайхалиев, А. А. Полисан, С. Ю. Иванов, Д. А. Киселев, Ю. Н. Пархоменко, М. Д. Малинкович, И. В. Черкесов, С. А. Молчанов
"... -слоевого осаждения. В работе проведены исследования, направленные на выявление оптимальной обработки ..."
 
Том 21, № 4 (2018) Использование атомно-силового микроскопа для создания одномерной структуры на основе гетероструктуры GaAs/AlGaAs Аннотация  похожие документы
М. В. Степушкин, В. Г. Костишин
"... отсутствие заметного количества вносимых дефектов. ..."
 
1 - 7 из 7 результатов

Советы по поиску:

  • Поиск ведется с учетом регистра (строчные и прописные буквы различаются)
  • Служебные слова (предлоги, союзы и т.п.) игнорируются
  • По умолчанию отображаются статьи, содержащие хотя бы одно слово из запроса (то есть предполагается условие OR)
  • Чтобы гарантировать, что слово содержится в статье, предварите его знаком +; например, +журнал +мембрана органелла рибосома
  • Для поиска статей, содержащих все слова из запроса, объединяйте их с помощью AND; например, клетка AND органелла
  • Исключайте слово при помощи знака - (дефис) или NOT; например. клетка -стволовая или клетка NOT стволовая
  • Для поиска точной фразы используйте кавычки; например, "бесплатные издания". Совет: используйте кавычки для поиска последовательности иероглифов; например, "中国"
  • Используйте круглые скобки для создания сложных запросов; например, архив ((журнал AND конференция) NOT диссертация)