Выпуск | Название | |
Том 18, № 3 (2015) | ОСОБЕННОСТИ ЛЕГИРОВАНИЯ КРЕМНИЯ МЕТОДОМ ТЕРМОМИГРАЦИИ | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
В. Н. Лозовский, Л. С. Лунин, Б. М. Середин | ||
"... Characteristics of crystal doping with electrically active impurities by the thermomigration ..." | ||
№ 4 (2013) | СТАТИСТИЧЕСКИЙ АНАЛИЗ ВЛИЯНИЯ Ge НА РАДИАЦИОННУЮ И ТЕРМИЧЕСКУЮ СТАБИЛЬНОСТЬ ЭЛЕКТРОФИЗИЧЕСКИХ ХАРАКТЕРИСТИК ПРИБОРНЫХ n—p—n—p–СТРУКТУР НА ОСНОВЕ CZ–Si | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
С. В. Быткин, Т. В. Критская, С. П. Кобелева | ||
"... crystal silicon doped with ger- manium to the concentration range NGe ~ (0.05—1.5) • 1020 cm−3 have been ..." | ||
№ 3 (2012) | ЭКСПЕРИМЕНТАЛЬНОЕ ИССЛЕДОВАНИЕ ХАРАКТЕРИСТИК ТИРИСТОРОВ, ИЗГОТОВЛЕННЫХ НА Si, ПРИ ДЕЙСТВИИ ГАММА–ОБЛУЧЕНИЯ | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
С. В. Быткин, Т. В. Критская, Е. Г. Радин, В. И. Гончаров, Ю. И. Куницкий, С. П. Кобелева | ||
"... of the reference structures obtained under similar conditions on single crystals of silicon not doped ..." | ||
№ 4 (2013) | ОСОБЕННОСТИ РАСПРОСТРАНЕНИЯ ЭЛЕКТРОМАГНИТНЫХ ВОЗБУЖДЕНИЙ В НЕИДЕАЛЬНОМ 1D ФОТОННОМ КРИСТАЛЛЕ НА ОСНОВЕ КРЕМНИЯ И ЖИДКОГО КРИСТАЛЛА | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
В. В. Румянцев, С. А. Федоров | ||
"... We show that the optical characteristics of an imperfect photonic crystal can vary significantly ..." | ||
№ 3 (2013) | К ВОЗМОЖНОСТИ ВЫРАЩИВАНИЯ ОБЪЕМНЫХ КРИСТАЛЛОВ Si—Ge МЕТОДОМ ОСЕВОГО ТЕПЛОВОГО ПОТОКА ВБЛИЗИ ФРОНТА КРИСТАЛЛИЗАЦИИ | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
М. И. Гоник, Arne Cröll | ||
"... A technique for crucibleless growth of single−crystal silicon and its alloys with germanium ..." | ||
Том 18, № 3 (2015) | РАЗРАБОТКА МЕТОДИКИ ОЧИСТКИ МЕТАЛЛУРГИЧЕСКОГО КРЕМНИЯ ДО КРЕМНИЯ МАРКИ «СОЛНЕЧНЫЙ» | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
И. И. Марончук, И. E. Марончук, Д. Д. Саникович, И. Б. Широков | ||
"... by recrystallization of metallurgical silicon in fusible metals, e.g. tin, and pulling of single crystal silicon ingot ..." | ||
№ 3 (2013) | ВЫСОКОРАЗРЕШАЮЩАЯ РЕНТГЕНОВСКАЯ ДИФРАКТОМЕТРИЯ КРИСТАЛЛОВ КРЕМНИЯ, ОБЛУЧЕННЫХ ПРОТОНАМИ | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
И. С. Смирнов, И. Г. Дьячкова, Е. Г. Новоселова | ||
"... silicon crystals with a resistivity of 100 Ohm · cm. The measurements were conducted using high−definition ..." | ||
Том 18, № 2 (2015) | ОПТИМИЗАЦИЯ УРОВНЯ ЛЕГИРОВАНИЯ КРЕМНИЯ «СОЛНЕЧНОГО» КАЧЕСТВА ДЛЯ ПОВЫШЕНИЯ ПРИГОДНОГО ОБЪЕМА СЛИТКОВ И КПД СОЛНЕЧНЫХ ЭЛЕМЕНТОВ | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
А. А. Бетекбаев, Б. Н. Мукашев, Л. Пеллисер, Ф. Лай, Г. Фортин, Л. Бунас, Д. М. Скаков, А. А. Павлов | ||
"... (450 kg ingots) using boron or gallium doping. Starting from the resistivity specification given ..." | ||
№ 1 (2014) | ХИМИЯ И ФУНКЦИОНАЛЬНЫЕ МАТЕРИАЛЫ. НАУЧНАЯ ШКОЛА АКАДЕМИКА Ф. А. КУЗНЕЦОВА | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
М. Л. Косинова, И. Г. Васильева, Я. В. Васильев, Т. П. Смирнова | ||
Том 20, № 1 (2017) | ИССЛЕДОВАНИЕ ПРОЦЕССОВ ПАЙКИ КРЕМНИЕВЫХ КРИСТАЛЛОВ МОЩНЫХ ТРАНЗИСТОРОВ В ИХ КОРПУСА | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
В. С. Аносов, Д. В. Гомзиков, М. И. Ичетовкин, Л. А. Сейдман, Р. И. Тычкин | ||
"... экспериментальное исследование замены пайки кристаллов эвтектикой золото—кремний пайкой главным образом преформой из ..." | ||
№ 1 (2014) | О ГРАНИЧНЫХ ПРОЦЕССАХ В МЕЖФАЗНОЙ ОБЛАСТИ ЭЛЕКТРОЛИТ—КРЕМНИЙ ПРИ САМООРГАНИЗАЦИИ МОЗАИЧНОЙ СТРУКТУРЫ 3D–ОСТРОВКОВ НАНОКРИСТАЛЛИТОВ ПОРИСТОГО КРЕМНИЯ ПРИ ДЛИТЕЛЬНОМ АНОДНОМ ТРАВЛЕНИИ p–Si (100) В ЭЛЕКТРОЛИТЕ С ВНУТРЕННИМ ИСТОЧНИКОМ ТОКА | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
К. Б. Тыныштыкбаев, Ю. А. Рябикин, С. Ж. Токмолдин, Б. А. Ракыметов, Т. Айтмукан, Х. А. Абдуллин | ||
"... of disproportioning reactions at etching of silicon single crystals, as is the case for epitaxial growth ..." | ||
Том 21, № 1 (2018) | Геттеры в кремнии | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
В. А. Харченко | ||
"... is formed in the crystal. The packing defect as oxide precipitate with a cloud of Frank’s loops is formed ..." | ||
Том 22, № 3 (2019) | Возможность использования потока инертного газа для управления качественными характеристиками выращиваемых монокристаллов кремния | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
Т. В. Критская, В. Н. Журавлёв, В. С. Бердников | ||
"... The process of growing silicon single crystals by the Czochralski method has been improved, which ..." | ||
№ 1 (2012) | НАБЛЮДЕНИЕ ОСОБЕННОСТЕЙ ФАЗОВЫХ ПЕРЕХОДОВ В КРЕМНИИ ПРИ ВЫСОКОМ ЛОКАЛЬНОМ ДАВЛЕНИИ В УСЛОВИЯХ ИНДЕНТИРОВАНИЯ | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
С. В. Прокудин, А. С. Усеинов | ||
"... orientations and doping rates were investigated using indentation with a pyramid indentor of Berkovich type ..." | ||
Том 19, № 1 (2016) | МЕТОД ЧОХРАЛЬСКОГО: ИСТОРИЯ И РАЗВИТИЕ | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
Е. П. Маянов, А. А. Гасанов, А. В. Наумов | ||
"... 60 years ago, in July, 1956, the USSR’s first industrial germanium single crystal was grown up ..." | ||
№ 4 (2012) | ИЗОТОПНЫЕ ЭФФЕКТЫ В СПЕКТРАХ ИК–ПОГЛОЩЕНИЯ ЭЛЕКТРИЧЕСКИ АКТИВНЫХ ПРИМЕСЕЙ В КРЕМНИИ–28, 29 И 30 С ВЫСОКИМ ИЗОТОПНЫМ ОБОГАЩЕНИЕМ | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
Т. В. Котерева, А. В. Гусев, В. А. Гавва, Е. А. Козырев | ||
"... in high−purity single crystals of stable 28Si(99.99%), 29Si(99.92%) and 30Si(99,97%) silicon isotopes ..." | ||
№ 4 (2013) | ФОРМИРОВАНИЕ И СТРУКТУРА МЕЗОПОРИСТОГО КРЕМНИЯ | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
Н. И. Каргин, А. О. Султанов, А. В. Бондаренко, С. В. Редько, А. С. Ионов, В. П. Бондаренко | ||
"... . The initial substrates were single crystal silicon wafers brand IES −0,01 cut from Czochralski grown ingots ..." | ||
Том 20, № 3 (2017) | Выращивание из поликристаллического кремния солнечного качества квазимонокристаллических (mono-like) слитков методом направленной кристаллизации | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
А. А. Бетекбаев, Б. Н. Мукашев, L. Pelissier, P. Lay, G. Fortin, L. Bounaas, Д. М. Скаков, Д. А. Калыгулов, А. А. Павлов, Т. С. Турмагамбетов, В. В. Ли | ||
"... influences on the crystal defect generation (mainly dislocations) of the monocrystalline structure. Visual ..." | ||
Том 21, № 2 (2018) | Как обеспечить постоянную концентрацию примеси по высоте слитка | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
М. А. Гоник, F. Baltaretu | ||
"... для B и P в кремнии, и рекомендовать величину дополнительного легирования зоны расплава под ..." | ||
Том 18, № 2 (2015) | НАПРАВЛЕННАЯ КРИСТАЛЛИЗАЦИЯ МУЛЬТИКРИСТАЛЛИЧЕСКОГО КРЕМНИЯ В УСЛОВИЯХ ОСЛАБЛЕННОЙ КОНВЕКЦИИ РАСПЛАВА И ГАЗООБМЕНА | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
М. А. Гоник | ||
"... resulted in the absence of Marangoni convection, and the crystal grew under the conditions of reduced melt ..." | ||
№ 1 (2014) | МИКРОСПЕКТРАЛЬНОЕ РАМАНОВСКОЕ РАССЕЯНИЕ НА УПРУГИХ ДЕФОРМАЦИЯХ БАЛКИ КАНТИЛЕВЕРА | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
А. П. Кузьменко, Д. И. Тимаков | ||
"... Flexural elastic deformations of single-crystal silicon have been studied using microspectral ..." | ||
Том 18, № 2 (2015) | МЕТАЛЛИЧЕСКИЕ НАНОПЛЕНКИ НА МОНОКРИСТАЛЛИЧЕСКОМ КРЕМНИИ: РОСТ, СВОЙСТВА И ПРИМЕНЕНИЕ | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
Н. И. Плюснин | ||
"... Тонкопленочная система металл — кремний является неизоструктурной и, кроме того, характеризуется ..." | ||
Том 22, № 1 (2019) | О связи протонного облучения и термической обработки монокристаллического кремния с его структурой | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
В. Е. Асадчиков, И. Г. Дьячкова, Д. А. Золотов, Ю. С. Кривоносов, В. Т. Бублик, А. И. Шихов | ||
"... The method of two-crystal X-ray diffractometry is used to control the quality and perfection ..." | ||
№ 1 (2014) | СПЕКТРЫ DLTS КРЕМНИЕВЫХ ДИОДОВ С p+—n–ПЕРЕХОДОМ, ОБЛУЧЕННЫХ ВЫСОКОЭНЕРГЕТИЧЕСКИМИ ИОНАМИ КРИПТОНА | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
Н. А. Поклонский, Н. И. Горбачук, С. В. Шпаковский, В. А. Филипеня, А. С. Турцевич, С. В. Шведов, Куанг Нья Во, Тхи Тхань Бинь Нгуен, В. А. Скуратов, D. Wieck Andreas | ||
"... ) plane) of uniformly phosphorus doped float–zone–grown single–crystal silicon. The resistivity of silicon ..." | ||
№ 4 (2014) | ФОТОЧУВСТВИТЕЛЬНЫЕ ГЕТЕРОСТРУКТУРЫ НА ОСНОВЕ ПОРИСТОГО НАНОКРИСТАЛЛИЧЕСКОГО КРЕМНИЯ | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
Н. В. Латухина, А. С. Рогожин, С. Сайед, В. И. Чепурнов | ||
"... carbide and the porous silicon. The porous layer was formed on the surface of the single crystal silicon ..." | ||
1 - 25 из 27 результатов | 1 2 > >> |
Советы по поиску:
- Поиск ведется с учетом регистра (строчные и прописные буквы различаются)
- Служебные слова (предлоги, союзы и т.п.) игнорируются
- По умолчанию отображаются статьи, содержащие хотя бы одно слово из запроса (то есть предполагается условие OR)
- Чтобы гарантировать, что слово содержится в статье, предварите его знаком +; например, +журнал +мембрана органелла рибосома
- Для поиска статей, содержащих все слова из запроса, объединяйте их с помощью AND; например, клетка AND органелла
- Исключайте слово при помощи знака - (дефис) или NOT; например. клетка -стволовая или клетка NOT стволовая
- Для поиска точной фразы используйте кавычки; например, "бесплатные издания". Совет: используйте кавычки для поиска последовательности иероглифов; например, "中国"
- Используйте круглые скобки для создания сложных запросов; например, архив ((журнал AND конференция) NOT диссертация)