Preview

Известия высших учебных заведений. Материалы электронной техники

Расширенный поиск

Поиск


Сортировать по:     
 
Выпуск Название
 
Том 20, № 4 (2017) Дислокационная структура эпитаксиальных слоев гетероструктур AlGaN/GaN/α-Al2O3 при легировании слоя GaN углеродом и железом Аннотация  похожие документы
Т. Ф. Русак, К. Л. Енишерлова, А. В. Лютцау, В. В. Сарайкин, В. И. Корнеев
"... sections, and also single-crystal diffractometry.It is shown that doping during growth of an epitaxial GaN ..."
 
Том 23, № 2 (2020) Review on the book Nuclear Doping of Semiconductor Materials (second edition, revised) Аннотация  PDF (Rus)  похожие документы
N. A. Sobolev
 
Том 23, № 3 (2020) Модификация поверхности германия при воздействии излучения наносекундного ультрафиолетового лазера Аннотация  PDF (Rus)  похожие документы
В. Ю. Железнов, Т. В. Малинский, С. И. Миколуцкий, В. Е. Рогалин, С. А. Филин, Ю. В. Хомич, В. А. Ямщиков, И. А. Каплунов, А. И. Иванова
"... Modification of the polished {111} surface of single-crystal germanium (n-type, resistivity 47 Ohm ..."
 
Том 21, № 4 (2018) Синтез и исследование характеристик тонких, легированных железом пленок ZnO, осажденных методом химического спрей-пиролиза Аннотация  похожие документы
Т. Сринивасулу, К. Сарита, К. Рамакришна Редди
"... многофункционального материала является легирование. Для устройств оптической связи и оптоэлектроники Ti, Fe и Co ..."
 
Том 21, № 4 (2018) Влияние легирования на рабочие характеристики диодов Шотки на основе Al0,29Ga0,71As p-типа проводимости, легированного Be Аннотация  похожие документы
Н. А. Аль-Ахмади, Ф. А. Эбрахим, Х. А. Аль-Джавхари, Р. Х. Мари, М. Хенини
"... проводимости на основе Al0.29Ga0.71As, легированных Be, в температурном интервале 100—400 К. Для трех приборов ..."
 
Том 21, № 4 (2018) Осаждение легированных никелем наночастиц ZnO с повышенной чувствительностью к этанолу при низких температурах Аннотация  похожие документы
У. Годаварти, В. Д. Моте, М. Дасари
"... устойчивости, нетоксичности, возможности легирования и низкой себестоимости. метод осаждения может стать ..."
 
Том 23, № 3 (2020) Фотонные и терагерцовые применения как следующий драйвер рынка арсенида галлия Аннотация  PDF (Rus)  похожие документы
Н. А. Кульчицкий, А. В. Наумов, В. В. Старцев
"... world GaAs market drivers. This means that the current emphasize of GaAs single crystal technologies ..."
 
Том 20, № 4 (2017) Моделирование энергетической структуры p—i—n-перехода на основе GaN Аннотация  похожие документы
Ф. И. Маняхин, Л. О. Мокрецова
"... численным методом с применением программы MathCad. Электрическое поле на границе легированного слоя и ..."
 
1 - 8 из 8 результатов

Советы по поиску:

  • Поиск ведется с учетом регистра (строчные и прописные буквы различаются)
  • Служебные слова (предлоги, союзы и т.п.) игнорируются
  • По умолчанию отображаются статьи, содержащие хотя бы одно слово из запроса (то есть предполагается условие OR)
  • Чтобы гарантировать, что слово содержится в статье, предварите его знаком +; например, +журнал +мембрана органелла рибосома
  • Для поиска статей, содержащих все слова из запроса, объединяйте их с помощью AND; например, клетка AND органелла
  • Исключайте слово при помощи знака - (дефис) или NOT; например. клетка -стволовая или клетка NOT стволовая
  • Для поиска точной фразы используйте кавычки; например, "бесплатные издания". Совет: используйте кавычки для поиска последовательности иероглифов; например, "中国"
  • Используйте круглые скобки для создания сложных запросов; например, архив ((журнал AND конференция) NOT диссертация)