.png)
.png)
Сортировать по:
| Выпуск | Название | |
| № 1 (2013) | ИССЛЕДОВАНИЕ ДЕФЕКТОВ В МНОГОСЛОЙНЫХ ЭПИТАКСИАЛЬНЫХ СИЛОВЫХ ПРИБОРАХ НА ОСНОВЕ КРЕМНИЯ МЕТОДАМИ РЕНТГЕНОВСКОЙ ТОПОГРАФИИ | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
| И. Л. Шульпина, В. А. Козлов | ||
| "... in the form of dense rows (dislocation walls) or slip bands were principal defects in initial epitaxial layers ..." | ||
| № 3 (2012) | О НЕКОТОРЫХ МЕТОДАХ ИНДУЦИРОВАНИЯ ВЫСОКОКОЭРЦИТИВНОГО СОСТОЯНИЯ В ЭПИТАКСИАЛЬНЫХ ПЛЕНКАХ МАГНИТНЫХ ГРАНАТОВ ДЛЯ ТЕРМОМАГНИТНОЙ ЗАПИСИ ИНФОРМАЦИИ | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
| В. Г. Костишин, А. Т. Морченко, Д. Н. Читанов, В. М. Трухан | ||
| "... epitaxial magnetic garnet films are presented. It is shown that the reason of high values of both coercivity ..." | ||
| № 1 (2014) | ДАЛЬНОДЕЙСТВУЮЩИЕ НАПРЯЖЕНИЯ В ЭПИТАКСИАЛЬНОЙ ПЛЕНКЕ, СОЗДАННЫЕ ДИСЛОКАЦИЯМИ НЕСООТВЕТСТВИЯ | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
| Е. М. Труханов, А. В. Колесников, И. Д. Лошкарев | ||
| "... The equation connecting the misfit parameter f, the number of misfit dislocation (MD) families ..." | ||
| Том 18, № 3 (2015) | ВЛИЯНИЕ КАЧЕСТВА ПОДЛОЖЕК SiC НА СТРУКТУРНОЕ НСТВО И НЕКОТОРЫЕ ЭЛЕКТРИЧЕСКИЕ ПАРАМЕТРЫ ПЛЕНОК AlGaN/GaN | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
| К. Л. Eнишерлова, Т. Ф. Русак, В. И. Корнеев, А. Н. Зазулина | ||
| "... electrophysical parameters of AlGaN/GaN epitaxial layer heterostructures grown on them. Regions with internal ..." | ||
| № 1 (2014) | МАГНИТНЫЙ СТРУКТУРНЫЙ ЭФФЕКТ В ЭПИТАКСИАЛЬНЫХ ПЛЕНКАХ ОКСИДА ЦЕРИЯ И ЦИРКОНАТА ЛАНТАНА | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
| Ф. Х. Чибирова, Г. В. Котина, Е. А. Бовина, А. В. Клочихина, Д. В. Тарасова, В. Р. Халилов, А. А. Полисан, Юрий Николаевич Пархоменко | ||
| "... current, i.e. increasing the number of low angle grain boundaries (<5°) in the epitaxial superconducting ..." | ||
| № 3 (2013) | ИССЛЕДОВАНИЕ ПРОЦЕССА ТЕРМИЧЕСКОЙ АКТИВАЦИИ АКЦЕПТОРНОЙ ПРИМЕСИ В ЭПИТАКСИАЛЬНЫХ СЛОЯХ GaN : Mg | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
| А. В. Мазалов, Д. Р. Сабитов, В. А. Курешов, А. А. Падалица, А. А. Мармалюк, Р. Х. Акчурин | ||
| "... Исследовано влияние условий термического отжига эпитаксиальных слоев GaN : Mg на активацию атомов ..." | ||
| № 2 (2013) | ИССЛЕДОВАНИЕ МОРФОЛОГИИ И СТРУКТУРЫ ТОНКИХ ПЛЕНОК 3C–SiC НА КРЕМНИИ МЕТОДАМИ ЭЛЕКТРОННОЙ МИКРОСКОПИИ И РЕНТГЕНОВСКОЙ ДИФРАКТОМЕТРИИ | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
| А. С. Гусев, С. М. Рындя, А. В. Зенкевич, Н. И. Каргин, Д. В. Аверьянов, М. М. Грехов | ||
| "... Методом вакуумного лазерного испарения керамической мишени получены субмикронные эпитаксиальные ..." | ||
| Том 18, № 1 (2015) | ТЕНДЕНЦИИ РАЗВИТИЯ ЭПИТАКСИАЛЬНОЙ ТЕХНОЛОГИИ НИТРИДНЫХ СОЕДИНЕНИЙ | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
| А. А. Арендаренко, В. А. Орешкин, Ю. Н. Свешников, И. Н. Цыпленков | ||
| "... substrates [16] Рис. 7. Области применения нитридных гетероструктур на подложке кремния в приборах силовой ..." | ||
| Том 21, № 1 (2018) | Влияние травления теллурида кадмия на качество поверхности эпитаксиальных структур | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
| В. В. Парамонов, О. В. Новикова, В. Г. Косушкин | ||
| "... the epitaxial process of building structures CdxHg1-xTe and its influence on the surface quality of epitaxial ..." | ||
| Том 18, № 3 (2015) | ФОРМИРОВАНИЕ ТРЕХМЕРНЫХ СТРУКТУР В ПОДЛОЖКАХ КАРБИДА КРЕМНИЯ ПЛАЗМОХИМИЧЕСКИМ ТРАВЛЕНИЕМ | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
| Л. А. Сейдман | ||
| "... by etching of SiC substrates with GaN epitaxial layers, and their subsequent metallization. In this review ..." | ||
| № 1 (2013) | ЭЛЕКТРОФИЗИЧЕСКИЕ И ФОТОЭЛЕКТРИЧЕСКИЕ ХАРАКТЕРИСТИКИ МДП–СТРУКТУР НА ОСНОВЕ ГЕТЕРОЭПИТАКСИАЛЬНОГО HgCdTe, ПОЛУЧЕННОГО МЕТОДОМ МОЛЕКУЛЯРНО–ЛУЧЕВОЙ ЭПИТАКСИИ, C НЕОДНОРОДНЫМ РАСПРЕДЕЛЕНИЕМ СОСТАВА | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
| А. В. Войцеховский, С. Н. Несмелов, С. М. Дзядух | ||
| "... ЭПИТАКСИАЛЬНЫЕ СЛОИ И МНОГОСЛОЙНЫЕ КОМПОЗИЦИИ Рис. 5. Зависимости фотоЭДС от частоты модуляции в силь- ной ..." | ||
| Том 21, № 3 (2018) | Влияние технологических факторов на характеристики омических контактов мощных AlGaN/GaN/SiC–HEMT | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
| К. Л. Енишерлова, Б. К. Медведев, Э. М. Темпер, В. И. Корнеев | ||
| "... Abstract. In this paper are considers the effect of the microrelief, dislocation structure ..." | ||
| Том 18, № 2 (2015) | ИССЛЕДОВАНИЕ ВЛИЯНИЯ ПАССИВИРУЮЩИХ СЛОЕВ НА ЕМКОСТНЫЕ ХАРАКТЕРИСТИКИ ГЕТЕРОСТРУКТУР AlGaN/GaN | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
| К. Л. Енишерлова, В. Г. Горячев, Т. Ф. Русак, С. А. Капилин | ||
| "... that frequency at which the peak is registered can depend on the dislocation density in heterostructures ..." | ||
| № 1 (2014) | О ГРАНИЧНЫХ ПРОЦЕССАХ В МЕЖФАЗНОЙ ОБЛАСТИ ЭЛЕКТРОЛИТ—КРЕМНИЙ ПРИ САМООРГАНИЗАЦИИ МОЗАИЧНОЙ СТРУКТУРЫ 3D–ОСТРОВКОВ НАНОКРИСТАЛЛИТОВ ПОРИСТОГО КРЕМНИЯ ПРИ ДЛИТЕЛЬНОМ АНОДНОМ ТРАВЛЕНИИ p–Si (100) В ЭЛЕКТРОЛИТЕ С ВНУТРЕННИМ ИСТОЧНИКОМ ТОКА | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
| К. Б. Тыныштыкбаев, Ю. А. Рябикин, С. Ж. Токмолдин, Б. А. Ракыметов, Т. Айтмукан, Х. А. Абдуллин | ||
| "... of disproportioning reactions at etching of silicon single crystals, as is the case for epitaxial growth ..." | ||
| № 1 (2012) | ИССЛЕДОВАНИЕ МОДЕЛИ ДИСЛОКАЦИОННОГО ИСТОЧНИКА ФРАНКА—РИДА | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
| В. В. Благовещенский, И. Г. Панин | ||
| "... dislocation source. The model is based on numerical solution of parabolic type partial differential equations ..." | ||
| Том 18, № 2 (2015) | ОБРАЗОВАНИЕ ДИСЛОКАЦИОННОГО СКОПЛЕНИЯ ИСТОЧНИКОМ ФРАНКА—РИДА | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
| В. В. Благовещенский, И. Г. Панин, Д. С. Андрианов, С. Н. Суслина | ||
| "... Dislocation pileups play an important role in the formation and propagation of strain in single ..." | ||
| № 2 (2012) | АНАЛИЗ ПРОЦЕССОВ РАСПРОСТРАНЕНИЯ ТЕПЛА В СТРУКТУРАХ ИМПУЛЬСНЫХ СИЛОВЫХ ПРИБОРОВ ВБЛИЗИ ПЛОСКОСТЕЙ СПАЯ КРЕМНИЕВЫХ ПЛАСТИН В ВЫСОКОВОЛЬТНЫЕ «СТОЛБЫ» | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
| А. Л. Глазов, В. А. Козлов, О. Корольков, К. Л. Муратиков | ||
| "... полупроводни- ковые переключатели. Введение Работа современных силовых полупроводниковых приборов при ..." | ||
| № 4 (2013) | СТАТИСТИЧЕСКИЙ АНАЛИЗ ВЛИЯНИЯ Ge НА РАДИАЦИОННУЮ И ТЕРМИЧЕСКУЮ СТАБИЛЬНОСТЬ ЭЛЕКТРОФИЗИЧЕСКИХ ХАРАКТЕРИСТИК ПРИБОРНЫХ n—p—n—p–СТРУКТУР НА ОСНОВЕ CZ–Si | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
| С. В. Быткин, Т. В. Критская, С. П. Кобелева | ||
| "... The characteristics of low−power and high−power thyristors basen of dislocation−free single ..." | ||
| Том 21, № 1 (2018) | Геттеры в кремнии | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
| В. А. Харченко | ||
| "... , it is necessary to create internal sources for generation of dislocations and formation of precipitate ..." | ||
| № 2 (2012) | ОСОБЕННОСТИ ДЕФЕКТООБРАЗОВАНИЯ В ПРОЦЕССЕ ТЕРМООБРАБОТКИ БИЗДИСЛОКАЦИОННЫХ МОНОКРИСТАЛЛИЧЕСКИХ ПЛАСТИН КРЕМНИЯ БОЛЬШОГО ДИАМЕТРА С ЗАДАННЫМ РАСПРЕДЕЛЕНИЕМ В ОБЪЕМЕ КИСЛОРОДСОДЕРЖАЩИХ ГЕТТЕРИРУЮЩИХ ЦЕНТРОВ | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
| Ю. Б. Васильев, Н. А. Верезуб, М. В. Меженный, В. С. Просолович, А. И. Простомолотов, В. Я. Резник | ||
| "... in dislocation−free silicon wafers. The RTA application is based on an opportunity of effective influence ..." | ||
| № 4 (2013) | ИССЛЕДОВАНИЕ СТРУКТУРЫ КРУПНОГАБАРИТНЫХ МОНОКРИСТАЛЛОВ АНТИМОНИДА ГАЛЛИЯ, ВЫРАЩЕННЫХ МЕТОДОМ ЧОХРАЛЬСКОГО В КРИСТАЛЛОГРАФИЧЕСКОМ НАПРАВЛЕНИИ [100] | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
| В. С. Ежлов, А. Г. Мильвидская, Е. В. Молодцова, М. В. Меженный | ||
| "... studied. We found that the dislocation density reduction in large undoped crystals can be achieved both ..." | ||
| № 1 (2013) | ВЛИЯНИЕ УСЛОВИЙ РОСТА НА СТРУКТУРНОЕ СОВЕРШЕНСТВО СЛОЕВ AlN, ПОЛУЧЕННЫХ МЕТОДОМ МОС–ГИДРИДНОЙ ЭПИТАКСИИ | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
| А. В. Мазалов, Д. Р. Сабитов, В. А. Курешов, А. А. Падалица, А. А. Мармалюк, Р. Х. Акчурин | ||
| "... V и III групп (V/III), на кристаллическое совершенство эпитаксиальных слоев AlN, выращенных методом ..." | ||
| № 4 (2014) | РЕШЕНИЕ X КОНФЕРЕНЦИИ ПО АКТУАЛЬНЫМ ПРОБЛЕМАМ ФИЗИКИ, МАТЕРИАЛОВЕДЕНИЯ, ТЕХНОЛОГИИ И ДИАГНОСТИКИ КРЕМНИЯ, НАНОРАЗМЕРНЫХ СТРУКТУР И ПРИБОРОВ НА ЕГО ОСНОВЕ («КРЕМНИЙ−2014») | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
| А. И. Непомнящих, А. И. Елисеев | ||
| "... приборов на его основе, предназначенных для использования в микро− и наноэлектронике, силовой электронике ..." | ||
| № 4 (2014) | РАСПРЕДЕЛЕНИЕ ЦЕНТРОВ ДИСЛОКАЦИОННОЙ ЛЮМИНЕСЦЕНЦИИ D1 В КРЕМНИИ, ПОДВЕРГНУТОМ ИМПЛАНТАЦИИ ИОНОВ Si+, И МОДЕЛЬ ФОТОЛЮМИНЕСЦЕНЦИИ | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
| С. Н. Нагорных, В. И. Павленков, Д. И. Тетельбаум, А. Н. Михайлов, А. И. Белов, Д. С. Королев, А. Н. Шушунов, А. И. Бобров, Д. А. Павлов, Е. И. Шек | ||
| "... Using step−by−step removal of silicon layers, in which dislocation−related photoluminescence ..." | ||
| Том 19, № 1 (2016) | ЭФФЕКТЫ НИЗКОИНТЕНСИВНОГО ОБЛУЧЕНИЯ В ПРИБОРАХ И ИНТЕГРАЛЬНЫХ СХЕМАХ НА БАЗЕ КРЕМНИЯ | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
| К. И. Таперо | ||
| "... Рассмотрены дозовые ионизационные эффекты в полупроводниковых приборах и интегральных схемах на ..." | ||
| 1 - 25 из 135 результатов | 1 2 3 4 5 6 > >> | |
Советы по поиску:
- Поиск ведется с учетом регистра (строчные и прописные буквы различаются)
- Служебные слова (предлоги, союзы и т.п.) игнорируются
- По умолчанию отображаются статьи, содержащие хотя бы одно слово из запроса (то есть предполагается условие OR)
- Чтобы гарантировать, что слово содержится в статье, предварите его знаком +; например, +журнал +мембрана органелла рибосома
- Для поиска статей, содержащих все слова из запроса, объединяйте их с помощью AND; например, клетка AND органелла
- Исключайте слово при помощи знака - (дефис) или NOT; например. клетка -стволовая или клетка NOT стволовая
- Для поиска точной фразы используйте кавычки; например, "бесплатные издания". Совет: используйте кавычки для поиска последовательности иероглифов; например, "中国"
- Используйте круглые скобки для создания сложных запросов; например, архив ((журнал AND конференция) NOT диссертация)