Preview

Известия высших учебных заведений. Материалы электронной техники

Расширенный поиск

Поиск


Сортировать по:     
 
Выпуск Название
 
№ 4 (2012) ВОДОРОДНО–ИНДУЦИРОВАННОЕ СКАЛЫВАНИЕ ПЛАСТИН КРЕМНИЯ С ПОМОЩЬЮ ЭЛЕКТРОХИМИЧЕСКОГО ТРАВЛЕНИЯ Аннотация  PDF (Rus)  похожие документы
К. Н. Тыныштыкбаев, Ю. А. Рябикин, С. Ж. Токмолдин, Б. А. Рахметов, Т. Айтмукан
"... and the parameters of the samples. We show that the formation of hidden layers during high voltage etching may occur ..."
 
№ 3 (2013) ИССЛЕДОВАНИЕ ВОЗМОЖНОСТЕЙ УЛУЧШЕНИЯЭНЕРГОМАССОВЫХ ХАРАКТЕРИСТИК СОЛНЕЧНЫХ ЭЛЕМЕНТОВ С ИСПОЛЬЗОВАНИЕМ ПРОЦЕССА ПЛАЗМОХИМИЧЕСКОГО ТРАВЛЕНИЯ Аннотация  PDF (Rus)  похожие документы
П. Б. Лагов, А. С. Дренин, Е. С. Роговский, А. М. Леднев
"... been conducted to assess the efficiency of plasma−chemical etching of (100) orientation single crystal ..."
 
№ 4 (2012) ОСОБЕННОСТИ ПОРИСТОГО КРЕМНИЯ, ПОЛУЧЕННОГО ХИМИЧЕСКИМ ТРАВЛЕНИЕМ Аннотация  PDF (Rus)  похожие документы
Т. Ю. Белик
"... and the relationship between etching parameters and porous layer properties. We show that the conductivity of porous ..."
 
Том 18, № 3 (2015) ФОРМИРОВАНИЕ ТРЕХМЕРНЫХ СТРУКТУР В ПОДЛОЖКАХ КАРБИДА КРЕМНИЯ ПЛАЗМОХИМИЧЕСКИМ ТРАВЛЕНИЕМ Аннотация  PDF (Rus)  похожие документы
Л. А. Сейдман
"... etching in its various modifications, the most successful being by ICP sources (sources of inductively ..."
 
Том 21, № 1 (2018) Влияние травления теллурида кадмия на качество поверхности эпитаксиальных структур Аннотация  PDF (Rus)  похожие документы
В. В. Парамонов, О. В. Новикова, В. Г. Косушкин
"... The etching of wafers of cadmium telluride in aqueous and nonaqueous solutions before ..."
 
№ 3 (2012) ИССЛЕДОВАНИЕ ПРОЦЕССА ФОРМИРОВАНИЯ НАНОПОРИСТЫХ И НАНОТРУБЧАТЫХ СЛОЕВ ОКСИДА ТИТАНА МЕТОДОМ ЭЛЕКТРОХИМИЧЕСКОЙ ИМПЕДАНСНОЙ СПЕКТРОСКОПИИ Аннотация  PDF (Rus)  похожие документы
Л. А. Балагуров, М. А. Агафонова, Е. А. Петрова, А. Г. Яковенко
"... Nanoporous and nanotubular titanium oxide layers were fabricated by electrochemical etching ..."
 
№ 2 (2014) ОСОБЕННОСТИ ИОННО–ЭЛЕКТРОННОЙ ЭМИССИИ С ПОВЕРХНОСТИ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ МАТЕРИАЛОВ В ПРОЦЕССЕ РЕАКТИВНОГО ИОННО–ЛУЧЕВОГО ТРАВЛЕНИЯ Аннотация  PDF (Rus)  похожие документы
А. С. Курочка, А. А. Сергиенко, С. П. Курочка, В. И. Колыбелкин
"... of the etching process from one layer to another and determining the end of the etching process ..."
 
Том 18, № 3 (2015) ИССЛЕДОВАНИЕ ИОННО–ЭЛЕКТРОННОЙ ЭМИССИИ В ПРОЦЕССЕ РЕАКТИВНОГО ИОННО–ЛУЧЕВОГО ТРАВЛЕНИЯ ДИЭЛЕКТРИЧЕСКИХ ТОНКОПЛЕНОЧНЫХ ГЕТЕРОСТРУКТУР Аннотация  PDF (Rus)  похожие документы
А. С. Курочка, А. А. Сергиенко, С. П. Курочка
"... control  of reactive ion−beam etching of different dielectric thin film materials for electronics have ..."
 
№ 1 (2014) ФОРМИРОВАНИЕ СКВОЗНЫХ СТРУКТУР С РАЗЛИЧНОЙ ПОРИСТОСТЬЮ НА ТОЛСТЫХ ПЛАСТИНАХ МОНОКРИСТАЛЛИЧЕСКОГО КРЕМНИЯ Аннотация  PDF (Rus)  похожие документы
В. А. Юзова, Ф. Ф. Меркушев, Е. А. Ляйком
"... by electrochemical etching in a solution of hydrofluoric acid without using additional deletions monocrystalline ..."
 
№ 1 (2014) О ГРАНИЧНЫХ ПРОЦЕССАХ В МЕЖФАЗНОЙ ОБЛАСТИ ЭЛЕКТРОЛИТ—КРЕМНИЙ ПРИ САМООРГАНИЗАЦИИ МОЗАИЧНОЙ СТРУКТУРЫ 3D–ОСТРОВКОВ НАНОКРИСТАЛЛИТОВ ПОРИСТОГО КРЕМНИЯ ПРИ ДЛИТЕЛЬНОМ АНОДНОМ ТРАВЛЕНИИ p–Si (100) В ЭЛЕКТРОЛИТЕ С ВНУТРЕННИМ ИСТОЧНИКОМ ТОКА Аннотация  PDF (Rus)  похожие документы
К. Б. Тыныштыкбаев, Ю. А. Рябикин, С. Ж. Токмолдин, Б. А. Ракыметов, Т. Айтмукан, Х. А. Абдуллин
"... anodic etching of p-type conductivity Si (100) (p-Si) in electrolytes with an internal power source has ..."
 
№ 4 (2013) ОСОБЕННОСТИ РАСПРОСТРАНЕНИЯ ЭЛЕКТРОМАГНИТНЫХ ВОЗБУЖДЕНИЙ В НЕИДЕАЛЬНОМ 1D ФОТОННОМ КРИСТАЛЛЕ НА ОСНОВЕ КРЕМНИЯ И ЖИДКОГО КРИСТАЛЛА Аннотация  PDF (Rus)  похожие документы
В. В. Румянцев, С. А. Федоров
 
№ 4 (2014) ФОТОЧУВСТВИТЕЛЬНЫЕ ГЕТЕРОСТРУКТУРЫ НА ОСНОВЕ ПОРИСТОГО НАНОКРИСТАЛЛИЧЕСКОГО КРЕМНИЯ Аннотация  PDF (Rus)  похожие документы
Н. В. Латухина, А. С. Рогожин, С. Сайед, В. И. Чепурнов
"... substrates by the method of electrolytic etching in fluoride containing solutions. Plates with different ..."
 
№ 3 (2013) ИССЛЕДОВАНИЕ СТРУКТУРЫ И МОРФОЛОГИИ ПОВЕРХНОСТИ ДВУХСЛОЙНОЙ КОНТАКТНОЙ МЕТАЛЛИЗАЦИИ Ti/Al Аннотация  PDF (Rus)  похожие документы
К. Д. Ванюхин, Р. В. Захарченко, Н. И. Каргин, М. В. Пашков, Л. А. Сейдман
"... more resistant to following anneals, oxidation and chemical etching. After annealing the surface ..."
 
Том 20, № 2 (2017) О природе изменения эффективного поверхностного заряда на кристаллах InAs при выращивании анодного оксидного слоя Аннотация  PDF (Rus)  похожие документы
А. В. Артамонов, В. П. Астахов, И. Б. Варлашов, П. Д. Гиндин, Н. И. Евстафьева, П. В. Митасов, И. Н. Мирошникова
"... etching. At the same time, based on grown layers there were produced MIS structures, and from calculation ..."
 
Том 18, № 1 (2015) ПРОБЛЕМЫ НАДЕЖНОСТИ ЭЛЕКТРОННЫХ КОМПОНЕНТОВ Аннотация  PDF (Rus)  похожие документы
В. А. Харченко
"... with burn−in test program. This testing reveals components with «hidden defects», counterfeit parts ..."
 
№ 1 (2012) СТРУКТУРНО–МОРФОЛОГИЧЕСКИЙ КОНТРОЛЬ НАНОЧАСТИЦ И ЕГО ПРОБЛЕМЫ Аннотация  PDF (Rus)  похожие документы
К. С. Максимов, С. К. Максимов
"... структуры нанообъектов с дефектной структурой, включающей двойники и антифазные границы. Описаны методы ..."
 
№ 4 (2013) РАСПРЕДЕЛЕНИЕ КИСЛОРОДА И ЭРБИЯ В КРЕМНИИ ПРИ ДИФФУЗИОННОМ ЛЕГИРОВАНИИ Аннотация  PDF (Rus)  похожие документы
М. Н. Дроздов, Н. В. Латухина, М. В. Степихова, В. А. Покоева, М. А. Сурин
"... consecutive etching of layers. The erbium diffusion coefficient at 1240 °C was estimated to be 4.8 · 10−13 cm2 ..."
 
№ 4 (2012) ОСОБЕННОСТИ ПРОЦЕССОВ ФОРМИРОВАНИЯ МИКРОВКЛЮЧЕНИЙ В КРИСТАЛЛАХ МУЛЬТИКРЕМНИЯ, ВЫРАЩЕННЫХ ИЗ МЕТАЛЛУРГИЧЕСКОГО РАФИНИРОВАННОГО КРЕМНИЯ МЕТОДОМ БРИДЖМЕНА—СТОКБАРГЕРА Аннотация  PDF (Rus)  похожие документы
С. М. Пещерова, Л. А. Павлова, А. И. Непомнящих, И. А. Елисеев,, Ю. В. Сокольникова
"... условиях кристаллизации. Изучены размеры и характер распределения микровключений на полированных, травленых ..."
 
№ 4 (2012) НАПРЯЖЕНИЕ И АДГЕЗИЯ ПОЛИКРИСТАЛЛИЧЕСКИХ ПЛЕНОК 3C–SiC, ВЫРАЩЕННЫХ МЕТОДОМ ОСАЖДЕНИЯ ИЗ ГАЗОВОЙ ФАЗЫ НА КРЕМНИЕВЫХ ПОДЛОЖКАХ Аннотация  PDF (Rus)  похожие документы
Т. М. Ткачева, Л. М. Иванова, К. Д. Демаков, М. Н. Шахов
"... топографии исследована дефектная структура подложки монокристаллического кремния с нанесенной пленкой 3C−SiC ..."
 
Том 18, № 4 (2015) ФОРМИРОВАНИЕ ЗАРЯДОВЫХ НАСОСОВ В СТРУКТУРЕ ФОТОПРЕОБРАЗОВАТЕЛЕЙ Аннотация  PDF (Rus)  похожие документы
В. В. Старков, В. А. Гусев, Н. О. Кулаковская, Е. А. Гостева, Ю. Н. Пархоменко
"... фотоэлектических преобразователей. Зарядовые насосы обусловлены образованием пространственных дефектно−примесных ..."
 
Том 19, № 1 (2016) ВЛИЯНИЕ ТЕМПЕРАТУРЫ ЭКСТРУЗИИ НА ФОРМИРОВАНИЕ СТРУКТУРЫ Bi0,5Sb1,5Te3 p–ТИПА ПРОВОДИМОСТИ Аннотация  PDF (Rus)  похожие документы
И. В. Тарасова, В. Т. Бублик
"... На основе изучения закономерностей формирования дефектной структуры и текстуры термоэлектрических ..."
 
Том 20, № 3 (2017) Современное состояние и перспективы для перовскитных солнечных элементов: кристаллические структуры и образование тонких пленок, морфология, обработка, деградация, повышение стабильности углеродными нанотрубками Аннотация  похожие документы
Н. Ашуров, Б. Oksengendler, Sergry Maksimov, Sayyora Rashiodva, А. Иштеев, Danila Saranin, Igor Burmistrov, Denis Kuznetsov, Anvar Zakhisov
"... проблемы, в частности, электронная структура решетки, дефектно-примесные состояния в чистых и смешанных ..."
 
Том 21, № 1 (2018) Геттеры в кремнии Аннотация  PDF (Rus)  похожие документы
В. А. Харченко
"... формируется сложная дефектная среда состоящая из различного рода преципитат-дислокационных скоплений ..."
 
Том 19, № 4 (2016) Структурные особенности формирования цинкосодержащих наночастиц, полученных методом ионной имплантации в Si(001) и последующим термическим отжигом Аннотация  PDF (Rus)  похожие документы
К. Б. Эйдельман, Н. Ю. Табачкова, К. Д. Щербачев, Ю. Н. Пархоменко, В. В. Привезенцев, Д. М. Мигунов
"... дефектном слое и образование в приповерхностном слое кремния на глубине 25 нм частиц Zn2SiO4  со средним ..."
 
1 - 24 из 24 результатов

Советы по поиску:

  • Поиск ведется с учетом регистра (строчные и прописные буквы различаются)
  • Служебные слова (предлоги, союзы и т.п.) игнорируются
  • По умолчанию отображаются статьи, содержащие хотя бы одно слово из запроса (то есть предполагается условие OR)
  • Чтобы гарантировать, что слово содержится в статье, предварите его знаком +; например, +журнал +мембрана органелла рибосома
  • Для поиска статей, содержащих все слова из запроса, объединяйте их с помощью AND; например, клетка AND органелла
  • Исключайте слово при помощи знака - (дефис) или NOT; например. клетка -стволовая или клетка NOT стволовая
  • Для поиска точной фразы используйте кавычки; например, "бесплатные издания". Совет: используйте кавычки для поиска последовательности иероглифов; например, "中国"
  • Используйте круглые скобки для создания сложных запросов; например, архив ((журнал AND конференция) NOT диссертация)