Preview

Известия высших учебных заведений. Материалы электронной техники

Расширенный поиск

Поиск


Сортировать по:     
 
Выпуск Название
 
Том 19, № 3 (2016) Рынок монокристаллов GaAs — тенденции развития Аннотация  PDF (Rus)  похожие документы
Е. П. Маянов, С. Н. Князев, А. В. Наумов
"... A review of the current state of the GaAs market as well as the state and the prospects ..."
 
№ 4 (2012) РАССЛОЕНИЕ ТВЕРДОГО РАСТВОРА GeSi НА ПОДЛОЖКАХ GaAs И Si Аннотация  PDF (Rus)  похожие документы
Е. Ф. Венгер, Л. А. Матвеева, П. Л. Нелюба
"... films on the GaAs (x = 0–0.04) and Si (x = 0.75) substrates have been studied. We used ..."
 
№ 3 (2014) ИЗУЧЕНИЕ ДЕГРАДАЦИИ ФОТОЭЛЕКТРИЧЕСКИХ ПРЕОБРАЗОВАТЕЛЕЙ НА ОСНОВЕ НАНОГЕТЕРОСТРУКТУР АIIIВV В УСЛОВИЯХ ИОНИЗИРУЮЩЕГО ИЗЛУЧЕНИЯ Аннотация  PDF (Rus)  похожие документы
М. Н. Орлова, С. Ю. Юрчук, С. И. Диденко, К. И. Таперо
"... studies of single−degradation characteristics of solar cells (SE) based on GaAs with Ge substrate due ..."
 
Том 19, № 4 (2016) Особенности создания омических контактов к гетероструктурам AlGaAs/GaAs с двумерным электронным газом Аннотация  PDF (Rus)  похожие документы
С. П. Курочка, М. В. Степушкин, В. И. Борисов
"... /GaAs heterostructures with a 2D electron gas with high electron mobility. The process of annealing ..."
 
№ 4 (2013) ЗАВИСИМОСТЬ ДЕФОРМАЦИОННОГО СОСТОЯНИЯ ПЛЕНОК GaAs НА ВИЦИНАЛЬНЫХ ПОДЛОЖКАХ Si(001) ОТ СПОСОБА ФОРМИРОВАНИЯ ПЕРВЫХ МОНОСЛОЕВ ПРОСЛОЙКИ GaP Аннотация  PDF (Rus)  похожие документы
И. Д. Лошкарев, А. П. Василенко, Е. М. Труханов, А. В. Колесников, А. С. Ильин, М. А. Путято, Б. Р. Семягин, В. В. Преображенский
"... A significant dependence of the strain state of GaAs film lattice grown by molecular−beam epitaxy ..."
 
№ 2 (2013) ПРОЗРАЧНЫЕ МАТЕРИАЛЫ ДЛЯ МОЩНЫХ ИМПУЛЬСНЫХ СО2-ЛАЗЕРОВ Аннотация  PDF (Rus)  похожие документы
В. Е. Рогалин
"... , RbI, AgCl, CsI, KРС-5, KPC-6, ZnSe, ZnS, GaAs и Ge. Experimentally and theoretically we compared ..."
 
№ 4 (2014) ПЕРСПЕКТИВЫ РЫНКА ПОЛИКРИСТАЛЛИЧЕСКОГО КРЕМНИЯ Аннотация  PDF (Rus)  похожие документы
А. В. Некрасов, А. В. Наумов
"... of today’s global polysilicon market is given, including technology assessments, supply capabilities ..."
 
Том 18, № 3 (2015) ИНВЕСТИЦИОННЫЕ ЦИКЛЫ РЫНКА ПОЛИКРЕМНИЯ Аннотация  PDF (Rus)  похожие документы
А. В. Наумов
"... A historical  review of the  market of polysilicon  from the 1980th has been provided ..."
 
Том 20, № 2 (2017) Развитие рынка и технологии производства поликристаллического кремния Аннотация  PDF (Rus)  похожие документы
В. В. Митин, А. А. Кох
"... and power electronics and photovoltaics. The article includes polycrystalline silicon market dynamics ..."
 
№ 3 (2013) ФОТОЭЛЕКТРИЧЕСКИЕ ПРЕОБРАЗОВАТЕЛИ В СИСТЕМЕ СО СПЕКТРАЛЬНЫМ РАСЩЕПЛЕНИЕМСОЛНЕЧНОЙ ЭНЕРГИИ Аннотация  PDF (Rus)  похожие документы
С. Ю. Курин, В. Д. Доронин, А. А. Антипов, Б. П. Папченко, Х. И. Хелава, М. И. Воронова, А. С. Усиков, Ю. Н. Макаров, К. Б. Эйдельман
"... on InGaN/GaN, GaAs/AlGaAs single−junction heterostructures and monocrystalline silicon c−Si. Special ..."
 
Том 21, № 3 (2018) Расчет теплопереноса в наноразмерных гетероструктурах Аннотация  PDF (Rus)  похожие документы
К. К. Абгарян, И. С. Колбин
"... Abstract. The article discusses the calculation of the temperature regime in nanoscale AlAs/GaAs ..."
 
№ 4 (2013) СПОСОБ РАЗДЕЛЬНОГО ОПРЕДЕЛЕНИЯ СОПРОТИВЛЕНИЙ ОБРАЗЦА ВЫСОКООМНОГО ПОЛУПРОВОДНИКА И КОНТАКТОВ К ОБРАЗЦУ Аннотация  PDF (Rus)  похожие документы
В. А. Голубятников, Ф. И. Григорьев, А. П. Лысенко, Н. И. Строганкова, М. Б. Шадов, А. Г. Белов, В. Е. Каневский
"... - sible to determine total contact resistance. The method was approbated on n−type semiinsulating GaAs ..."
 
Том 21, № 4 (2018) Использование атомно-силового микроскопа для создания одномерной структуры на основе гетероструктуры GaAs/AlGaAs Аннотация  похожие документы
М. В. Степушкин, В. Г. Костишин
 
№ 2 (2014) ОСОБЕННОСТИ ИОННО–ЭЛЕКТРОННОЙ ЭМИССИИ С ПОВЕРХНОСТИ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ МАТЕРИАЛОВ В ПРОЦЕССЕ РЕАКТИВНОГО ИОННО–ЛУЧЕВОГО ТРАВЛЕНИЯ Аннотация  PDF (Rus)  похожие документы
А. С. Курочка, А. А. Сергиенко, С. П. Курочка, В. И. Колыбелкин
"... barrier (electron affinity) χ of Ge, Si, GaAs, GaP and SiC semiconductor materials. We found no clearly ..."
 
№ 3 (2014) ПОЛУЧЕНИЕ ГЕКСАФЕРРИТА БАРИЯ С ПОВЫШЕННЫМИ ИЗОТРОПНЫМИ СВОЙСТВАМИ  Аннотация  PDF (Rus)  похожие документы
И. И. Канева, В. Г. Костишин, В. Г. Андреев, Д. Н. Читанов, А. Н. Николаев, Е. И. Кислякова
"... about 75 % of the world market of permanent magnets.  Upon receipt of a standard isotropic hexaferrite ..."
 
1 - 15 из 15 результатов

Советы по поиску:

  • Поиск ведется с учетом регистра (строчные и прописные буквы различаются)
  • Служебные слова (предлоги, союзы и т.п.) игнорируются
  • По умолчанию отображаются статьи, содержащие хотя бы одно слово из запроса (то есть предполагается условие OR)
  • Чтобы гарантировать, что слово содержится в статье, предварите его знаком +; например, +журнал +мембрана органелла рибосома
  • Для поиска статей, содержащих все слова из запроса, объединяйте их с помощью AND; например, клетка AND органелла
  • Исключайте слово при помощи знака - (дефис) или NOT; например. клетка -стволовая или клетка NOT стволовая
  • Для поиска точной фразы используйте кавычки; например, "бесплатные издания". Совет: используйте кавычки для поиска последовательности иероглифов; например, "中国"
  • Используйте круглые скобки для создания сложных запросов; например, архив ((журнал AND конференция) NOT диссертация)