Поиск


Сортировать по:     
 
Выпуск Название
 
Том 18, № 2 (2015) ИССЛЕДОВАНИЕ ВЛИЯНИЯ ПАССИВИРУЮЩИХ СЛОЕВ НА ЕМКОСТНЫЕ ХАРАКТЕРИСТИКИ ГЕТЕРОСТРУКТУР AlGaN/GaN Аннотация  PDF (Rus)  похожие документы
К. Л. Енишерлова, В. Г. Горячев, Т. Ф. Русак, С. А. Капилин
"... AlGaN/GaN heterostructures grown by MOCVD method on sapphire and silicon substrates were test ..."
 
Том 18, № 2 (2015) КОНТРОЛЬ «ЖЕЛТОЙ» ФОТОЛЮМИНЕСЦЕНЦИИ ГЕТЕРОСТРУКТУР AlGaN/GaN Аннотация  PDF (Rus)  похожие документы
Н. Б. Гладышева, В. В. Груздов, М. Е. Гусев, Ю. В. Колковский, Ю. А. Концевой, Е. Ф. Певцов
"... photoluminescence with the peak in the yellow spectral region for characterizing the quality of AlGaN/GaN/SiC ..."
 
Том 19, № 2 (2016) Нестабильность емкости ВФ–характеристик при измерении гетероcтруктур AlGaN/GaN и НЕМТ–транзисторов на их основе Аннотация  PDF (Rus)  похожие документы
К. Л. Енишерлова, В. Г. Горячев, В. В. Сарайкин, С. А. Капилин
"... A complex of studies of the AlGaN/GaN heterostructures and the AlGaN/GaN/SiC HEMT-transistors ..."
 
Том 18, № 3 (2015) ВЛИЯНИЕ КАЧЕСТВА ПОДЛОЖЕК SiC НА СТРУКТУРНОЕ НСТВО И НЕКОТОРЫЕ ЭЛЕКТРИЧЕСКИЕ ПАРАМЕТРЫ ПЛЕНОК AlGaN/GaN Аннотация  PDF (Rus)  похожие документы
К. Л. Eнишерлова, Т. Ф. Русак, В. И. Корнеев, А. Н. Зазулина
"... electrophysical parameters of AlGaN/GaN epitaxial layer heterostructures grown on them. Regions with internal ..."
 
№ 4 (2013) ИНТЕГРАЛЬНО–ДИФФЕРЕНЦИАЛЬНЫЙ МЕТОД ТЕРМОСПЕКТРОСКОПИИ ЭНЕРГЕТИЧЕСКИХ УРОВНЕЙ В ПОЛУПРОВОДНИКАХ ПО РЕЛАКСАЦИИ ИХ ЗАРЯДА Аннотация  PDF (Rus)  похожие документы
Ф. И. Маняхин
"... results of research AlGaN/ InGaN/GaN of the structures are resulted.             ..."
 
Том 18, № 1 (2015) ТЕНДЕНЦИИ РАЗВИТИЯ ЭПИТАКСИАЛЬНОЙ ТЕХНОЛОГИИ НИТРИДНЫХ СОЕДИНЕНИЙ Аннотация  PDF (Rus)  похожие документы
А. А. Арендаренко, В. А. Орешкин, Ю. Н. Свешников, И. Н. Цыпленков
"... have been presented. The AlGaN/GaN/Si heterostructures have been grown by MOCVD. We show that early ..."
 
№ 3 (2012) ИССЛЕДОВАНИЕ ГЕТЕРОСТРУКТУР МЕТОДОМ РЕНТГЕНОВСКОЙ ОДНОКРИСТАЛЬНОЙ ДИФРАКТОМЕТРИИ Аннотация  PDF (Rus)  похожие документы
А. В. Лютцау, М. М. Крымко, К. Л. Енишерлова, Э. М. Темпер, И. И. Разгуляев
"...  of semiconductor heterostructures (SOS, SOI, AlGaN/GaN/Si, ion implanted silicon layers). We show that measurements ..."
 
№ 2 (2013) ТЕХНОЛОГИЧЕСКИЕ ОСОБЕННОСТИ ФОРМИРОВАНИЯ ПРОЗРАЧНЫХ ПРОВОДЯЩИХ КОНТАКТОВ ИЗ ПЛЕНКИ ITO ДЛЯ СВЕТОДИОДОВ НА ОСНОВЕ НИТРИДА ГАЛЛИЯ Аннотация  PDF (Rus)  похожие документы
К. Д. Ванюхин, Р. В. Захарченко, Н. И. Каргин, Л. А. Сейдман
"... by using a quartz crystal thickness monitor, resulting in films having 200 nm. After the deposition ..."
 
№ 3 (2013) ИССЛЕДОВАНИЕ СТРУКТУРЫ И МОРФОЛОГИИ ПОВЕРХНОСТИ ДВУХСЛОЙНОЙ КОНТАКТНОЙ МЕТАЛЛИЗАЦИИ Ti/Al Аннотация  PDF (Rus)  похожие документы
К. Д. Ванюхин, Р. В. Захарченко, Н. И. Каргин, М. В. Пашков, Л. А. Сейдман
"... Ti/Al/Ni/Au metallization widely used in the technology of GaN base devices have a very important ..."
 
№ 1 (2012) НОВЫЕ НАПРАВЛЕНИЯ РАЗВИТИЯ ТЕХНОЛОГИИ ПРОИЗВОДСТВА УЛЬТРАФИОЛЕТОВЫХ СВЕТОДИОДОВ Аннотация  PDF (Rus)  похожие документы
А. А. Антипов, И. С. Бараш, В. Т. Бублик, С. Ю. Курин, Ю. Н. Макаров, Е. Н. Мохов, С. С. Нагалюк, А. Д. Роенков, Т. Ю. Чемекова, К. Д. Щербачев, Х. Хелава
"... The paper presents results of the development of ultraviolet light−emitting diodes based on GaN ..."
 
Том 18, № 3 (2015) ФОРМИРОВАНИЕ ТРЕХМЕРНЫХ СТРУКТУР В ПОДЛОЖКАХ КАРБИДА КРЕМНИЯ ПЛАЗМОХИМИЧЕСКИМ ТРАВЛЕНИЕМ Аннотация  PDF (Rus)  похожие документы
Л. А. Сейдман
"...   by etching of SiC substrates with GaN epitaxial layers, and their subsequent metallization. In this review ..."
 
Том 18, № 1 (2015) НИТРИДНЫЕ НЕМТ ПРОТИВ АРСЕНИДНЫХ: ПОСЛЕДНЯЯ БИТВА? Аннотация  PDF (Rus)  похожие документы
Ю. В. Федоров, С. В. Михайлович
"... . In summary it could be stated that nowadays InP pHEMTs offer the highest frequencies and GaN HEMTs on SiC ..."
 
Том 19, № 2 (2016) Структурные, электрические и люминесцентные характеристики ультрафиолетовых светодиодов, выращенных методом хлорид–гидридной эпитаксии Аннотация  PDF (Rus)  похожие документы
А. Я. Поляков, Jin−Hyeon Yun, А. С. Усиков, Е. Б. Якимов, Н. Б. Смирнов, К. Д. Щербачев, Н. Helava, Y. N. Makarov, С. Ю. Курин, Н. М. Шмидт, О. И. Рабинович, С. И. Диденко, С. А. Тарелкин, Б. П. Папченко, In−Hwan Lee
"... in the structural quality (dislocation density, density of dislocations agglomerates) of the GaN active layers ..."
 
№ 1 (2014) МАГНИТНЫЙ СТРУКТУРНЫЙ ЭФФЕКТ В ЭПИТАКСИАЛЬНЫХ ПЛЕНКАХ ОКСИДА ЦЕРИЯ И ЦИРКОНАТА ЛАНТАНА Аннотация  PDF (Rus)  похожие документы
Ф. Х. Чибирова, Г. В. Котина, Е. А. Бовина, А. В. Клочихина, Д. В. Тарасова, В. Р. Халилов, А. А. Полисан, Юрий Николаевич Пархоменко
"... of orientation: only one diffraction peak with (200) indexes is observed in the X-ray spectrum. X-ray settings ..."
 
Том 18, № 2 (2015) О РОЛИ ВЛИЯНИЯ ЛЕГИРУЮЩИХ ДОБАВОК НА СТРУКТУРУ И СВОЙСТВА МАГНИЙ–ЦИНКОВЫХ ФЕРРИТОВ Аннотация  PDF (Rus)  похожие документы
В. Г. Андреев, С. Б. Меньшова, В. Г. Костишин, Д. Н. Читанов, А. Ю. Кирина, С. Б. Бибиков, М. В. Прокофьев, В. М. Прохоров
"... . Эти материалы интенсивно поглощают электромагнитные волны в интервале частот от 50 до 1000 МГц ..."
 
№ 2 (2012) МЕХАНИЗМЫ ЭЛЕКТРОПРОВОДНОСТИ КРЕМНИЙ–УГЛЕРОДНЫХ НАНОКОМПОЗИТОВ С НАНОРАЗМЕРНЫМИ ВКЛЮЧЕНИЯМИ ВОЛЬФРАМА В ИНТЕРВАЛЕ ТЕМПЕРАТУР 20—200 °С Аннотация  PDF (Rus)  похожие документы
И. М. Анфимов, С. П. Кобелева, М. Д. Малинкович, И. В. Щемеров, О. В. Торопова, Ю. Н. Пархоменко
"... in the temperature range 20—200 °С for films with resistivity at room temperature of about 0,03—15 Ohm  cm ..."
 
№ 3 (2013) ИССЛЕДОВАНИЕ ПРОЦЕССА ТЕРМИЧЕСКОЙ АКТИВАЦИИ АКЦЕПТОРНОЙ ПРИМЕСИ В ЭПИТАКСИАЛЬНЫХ СЛОЯХ GaN : Mg Аннотация  PDF (Rus)  похожие документы
А. В. Мазалов, Д. Р. Сабитов, В. А. Курешов, А. А. Падалица, А. А. Мармалюк, Р. Х. Акчурин
"... The effect of thermal annealing of GaN:Mg layers on acceptor impurity activation has been ..."
 
№ 3 (2013) ИССЛЕДОВАНИЕ ЭФФЕКТОВ, ИНДУЦИРОВАННЫХ СЛАБЫМ МАГНИТНЫМ ПОЛЕМ В ПОРОШКАХ ЖЕЛЕЗА Аннотация  PDF (Rus)  похожие документы
Е. А. Скрылева, Н. Ю. Табачкова, К. Д. Щербачев, М. И. Воронова
"... ,1 Тл и частоте 21 Гц не привела к каким−либо изменениям в структуре и фазовом составе. Форма частиц ..."
 
№ 1 (2013) ЭЛЕКТРОФИЗИЧЕСКИЕ И ФОТОЭЛЕКТРИЧЕСКИЕ ХАРАКТЕРИСТИКИ МДП–СТРУКТУР НА ОСНОВЕ ГЕТЕРОЭПИТАКСИАЛЬНОГО HgCdTe, ПОЛУЧЕННОГО МЕТОДОМ МОЛЕКУЛЯРНО–ЛУЧЕВОЙ ЭПИТАКСИИ, C НЕОДНОРОДНЫМ РАСПРЕДЕЛЕНИЕМ СОСТАВА Аннотация  PDF (Rus)  похожие документы
А. В. Войцеховский, С. Н. Несмелов, С. М. Дзядух
"... смещения и частоты. Исследованы характеристики МДП-структур на основе n-Hg0,7Cd0,3Te с периодически ..."
 
№ 3 (2013) ВЫСОКОРАЗРЕШАЮЩАЯ РЕНТГЕНОВСКАЯ ДИФРАКТОМЕТРИЯ КРИСТАЛЛОВ КРЕМНИЯ, ОБЛУЧЕННЫХ ПРОТОНАМИ Аннотация  PDF (Rus)  похожие документы
И. С. Смирнов, И. Г. Дьячкова, Е. Г. Новоселова
"... X−ray diffraction (HDD). We show that sequential implantation of protons with energies of 100 + 200 ..."
 
Том 18, № 1 (2015) ТЕОРЕТИЧЕСКОЕ ИССЛЕДОВАНИЕ ЭЛЕКТРОННЫХ И ГЕОМЕТРИЧЕСКИХ ХАРАКТЕРИСТИК ТОНКИХ ПЛЕНОК AlN Аннотация  PDF (Rus)  похожие документы
К. К. Абгарян, Д. И. Бажанов, И. В. Мутигуллин
"... because these films are widely used as buffer layers for GaN−based semiconductor heterostructures growth ..."
 
№ 1 (2014) МИКРОСПЕКТРАЛЬНОЕ РАМАНОВСКОЕ РАССЕЯНИЕ НА УПРУГИХ ДЕФОРМАЦИЯХ БАЛКИ КАНТИЛЕВЕРА Аннотация  PDF (Rus)  похожие документы
А. П. Кузьменко, Д. И. Тимаков
"... пика микроспектрального рамановского рассеяния в балке кантилевера из монокристаллического кремния при ..."
 
№ 1 (2014) СПЕКТРЫ DLTS КРЕМНИЕВЫХ ДИОДОВ С p+—n–ПЕРЕХОДОМ, ОБЛУЧЕННЫХ ВЫСОКОЭНЕРГЕТИЧЕСКИМИ ИОНАМИ КРИПТОНА Аннотация  PDF (Rus)  похожие документы
Н. А. Поклонский, Н. И. Горбачук, С. В. Шпаковский, В. А. Филипеня, А. С. Турцевич, С. В. Шведов, Куанг Нья Во, Тхи Тхань Бинь Нгуен, В. А. Скуратов, D. Wieck Andreas
"... (DLTS — Deep−level transient spectroscopy). Спектры DLTS регистрировали на частоте 1 МГц в интервале ..."
 
№ 2 (2013) ПРОЗРАЧНЫЕ МАТЕРИАЛЫ ДЛЯ МОЩНЫХ ИМПУЛЬСНЫХ СО2-ЛАЗЕРОВ Аннотация  PDF (Rus)  похожие документы
В. Е. Рогалин
"... » импульса практически полностью поглощается плазмой низкопорогового оптического пробоя воздуха, а «пик ..."
 
Том 18, № 4 (2015) ВЛИЯНИЕ БАЗОВОГО СОСТАВА И МИКРОСТРУКТУРЫ НИКЕЛЬ–ЦИНКОВЫХ ФЕРРИТОВ НА УРОВЕНЬ ПОГЛОЩЕНИЯ ЭЛЕКТРОМАГНИТНОГО ИЗЛУЧЕНИЯ Аннотация  PDF (Rus)  похожие документы
В. Г. Андреев, С. Б. Меньшова, В. Г. Костишин, Д. Н. Читанов, А. Н. Климов, А. Ю. Кирина, Р. М. Вергазов, С. Б. Бибиков, М. В. Прокофьев
"... интенсивно поглощают электромагнитные волны в интервале частот от 50 до 1000 МГц. Проведены исследования ..."
 
1 - 25 из 125 результатов 1 2 3 4 5 > >> 

Советы по поиску:

  • Поиск ведется с учетом регистра (строчные и прописные буквы различаются)
  • Служебные слова (предлоги, союзы и т.п.) игнорируются
  • По умолчанию отображаются статьи, содержащие хотя бы одно слово из запроса (то есть предполагается условие OR)
  • Чтобы гарантировать, что слово содержится в статье, предварите его знаком +; например, +журнал +мембрана органелла рибосома
  • Для поиска статей, содержащих все слова из запроса, объединяйте их с помощью AND; например, клетка AND органелла
  • Исключайте слово при помощи знака - (дефис) или NOT; например. клетка -стволовая или клетка NOT стволовая
  • Для поиска точной фразы используйте кавычки; например, "бесплатные издания". Совет: используйте кавычки для поиска последовательности иероглифов; например, "中国"
  • Используйте круглые скобки для создания сложных запросов; например, архив ((журнал AND конференция) NOT диссертация)