Preview

Известия высших учебных заведений. Материалы электронной техники

Расширенный поиск

Поиск


Сортировать по:     
 
Выпуск Название
 
№ 3 (2013) ИССЛЕДОВАНИЕ ПРОЦЕССА ТЕРМИЧЕСКОЙ АКТИВАЦИИ АКЦЕПТОРНОЙ ПРИМЕСИ В ЭПИТАКСИАЛЬНЫХ СЛОЯХ GaN : Mg Аннотация  PDF (Rus)  похожие документы
А. В. Мазалов, Д. Р. Сабитов, В. А. Курешов, А. А. Падалица, А. А. Мармалюк, Р. Х. Акчурин
"... The effect of thermal annealing of GaN:Mg layers on acceptor impurity activation has been ..."
 
№ 2 (2014) ПРОЦЕССЫ ВО ВРЕМЯ ОТЖИГА КОНТАКТНЫХ СИСТЕМ Ti—Al—Ni И Ti—Al—Ni—Au Аннотация  PDF (Rus)  похожие документы
К. Д. Ванюхин, Р. В. Захарченко, Н. И. Каргин, М. В. Пашков, Л. А. Сейдман
"... The Ti/Al/Ni/Au metallization system which is widely used in the technology of GaN based devices ..."
 
№ 3 (2013) ИССЛЕДОВАНИЕ СТРУКТУРЫ И МОРФОЛОГИИ ПОВЕРХНОСТИ ДВУХСЛОЙНОЙ КОНТАКТНОЙ МЕТАЛЛИЗАЦИИ Ti/Al Аннотация  PDF (Rus)  похожие документы
К. Д. Ванюхин, Р. В. Захарченко, Н. И. Каргин, М. В. Пашков, Л. А. Сейдман
"... Ti/Al/Ni/Au metallization widely used in the technology of GaN base devices have a very important ..."
 
№ 2 (2013) ТЕХНОЛОГИЧЕСКИЕ ОСОБЕННОСТИ ФОРМИРОВАНИЯ ПРОЗРАЧНЫХ ПРОВОДЯЩИХ КОНТАКТОВ ИЗ ПЛЕНКИ ITO ДЛЯ СВЕТОДИОДОВ НА ОСНОВЕ НИТРИДА ГАЛЛИЯ Аннотация  PDF (Rus)  похожие документы
К. Д. Ванюхин, Р. В. Захарченко, Н. И. Каргин, Л. А. Сейдман
"... , the samples were annealed in a thermal annealing furnace in air or nitrogen at 300-700 оC for 30 s ..."
 
№ 4 (2012) МОДЕЛИРОВАНИЕ ПРОЦЕССОВ ИОННОЙ ИМПЛАНТАЦИИ И БЫСТРЫХ ТЕРМООБРАБОТОК ПРИ ФОРМИРОВАНИИ АКТИВНЫХ ОБЛАСТЕЙ СУБМИКРОННЫХ И НАНОМЕТРОВЫХ ИНТЕГРАЛЬНЫХ СХЕМ НА КРЕМНИИ Аннотация  PDF (Rus)  похожие документы
Ф. Ф. Комаров, А. Ф. Комаров, А. М. Миронов, Г. М. Заяц, Ю. В. Макаревич, С. А. Мискевич
 
Том 18, № 3 (2015) Влияние отжига на недиагональный магнитоимпеданс в аморфных проводах Аннотация  PDF (Rus)  похожие документы
Н. А. Юданов, А. Т. Морченко, Л. В. Панина, В. Г. Костишин, С. А. Евстигнеева
"... and internal stress induced helical or circumferential anisotropy. We have demonstrated that annealing ..."
 
Том 20, № 2 (2017) Напряжения в пластинах кремния, возникающие в результате локального фотонного отжига Аннотация  PDF (Rus)  похожие документы
В. В. Старков, Е. А. Гостева, Д. В. Иржак, Д. В. Рощупкин
"... The effect of photon annealing on the occurrence of deformations in the crystal structure of boron ..."
 
Том 19, № 4 (2016) Структурные особенности формирования цинкосодержащих наночастиц, полученных методом ионной имплантации в Si(001) и последующим термическим отжигом Аннотация  PDF (Rus)  похожие документы
К. Б. Эйдельман, Н. Ю. Табачкова, К. Д. Щербачев, Ю. Н. Пархоменко, В. В. Привезенцев, Д. М. Мигунов
"... −stage O+ and Zn+ ion implantation followed by thermal annealing in a dry oxygen atmosphere was studied ..."
 
Том 22, № 1 (2019) О связи протонного облучения и термической обработки монокристаллического кремния с его структурой Аннотация  PDF (Rus)  похожие документы
В. Е. Асадчиков, И. Г. Дьячкова, Д. А. Золотов, Ю. С. Кривоносов, В. Т. Бублик, А. И. Шихов
"... of monocrystalline silicon obtained by implantation of hydrogen ions and subsequent thermal annealing, which is used ..."
 
№ 2 (2014) КЛЕТОЧНО–АВТОМАТНАЯ МОДЕЛЬ РАЗДЕЛЕНИЯ ФАЗ ПРИ ОТЖИГЕ СЛОЕВ НЕСТЕХИОМЕТРИЧЕСКОГО ОКСИДА КРЕМНИЯ Аннотация  PDF (Rus)  похожие документы
Г. Я. Красников, Н. А. Зайцев, И. В. Матюшкин, С. В. Коробов
"... of the order of 3—30 nm and the formation of Si nanoclusters in that layer during thermal annealing ..."
 
Том 18, № 3 (2015) ВЛИЯНИЕ КАЧЕСТВА ПОДЛОЖЕК SiC НА СТРУКТУРНОЕ НСТВО И НЕКОТОРЫЕ ЭЛЕКТРИЧЕСКИЕ ПАРАМЕТРЫ ПЛЕНОК AlGaN/GaN Аннотация  PDF (Rus)  похожие документы
К. Л. Eнишерлова, Т. Ф. Русак, В. И. Корнеев, А. Н. Зазулина
"... electrophysical parameters of AlGaN/GaN epitaxial layer heterostructures grown on them. Regions with internal ..."
 
№ 1 (2012) ВЛИЯНИЕ ИЗОТЕРМИЧЕСКОГО ОТЖИГА НА ОПТИЧЕСКИЕ ПАРАМЕТРЫ ЛАНТАН–ГАЛЛИЕВОГО ТАНТАЛАТА Аннотация  PDF (Rus)  похожие документы
О. А. Бузанов, И. С. Диденко, Н. С. Козлова, А. П. Козлова, Е. А. Скрылева, Н. А. Симинел
"... The influence of isothermal annealing on the optical pa-rameters (transmission and diffused ..."
 
Том 18, № 2 (2015) МЕТОД ОПРЕДЕЛЕНИЯ НЕРАЗРУШАЮЩИХ РЕЖИМОВ ЛАЗЕРНОГО ОТЖИГА ДИЭЛЕКТРИЧЕСКИХ И ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ПЛАСТИН Аннотация  PDF (Rus)  похожие документы
А. Ф. Коваленко, А. А. Воробьев
"... of nondestructive conditions of laser annealing of dielectric and semiconductor plates has been validated ..."
 
№ 3 (2014) ИССЛЕДОВАНИЕ МОНОКРИСТАЛЛОВ СaМoО4 С НИЗКИМ ОСТАТОЧНЫМ ПОГЛОЩЕНИЕМ Аннотация  похожие документы
Н. С. Козлова, О. А. Бузанов, М. Б. Быкова, Е. В. Забелина, В. Н. Корноухов, А. П. Козлова, А. Г. Черных
"... of isothermal annealing on the attenuation spectra in the wavelength range 350 to 700 nm is studied. The broad ..."
 
№ 3 (2014) МЕТОД ОПРЕДЕЛЕНИЯ НЕРАЗРУШАЮЩИХ РЕЖИМОВ ИМПУЛЬСНОГО ЛАЗЕРНОГО ОТЖИГА ДИЭЛЕКТРИЧЕСКИХ И ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ПЛАСТИН Аннотация  PDF (Rus)  похожие документы
А. Ф. Коваленко, А. А. Воробьев
"... Single−side heating of a wafer with a free surface by pulse laser annealing has been analyzed ..."
 
№ 2 (2013) СТРУКТУРА И МАГНИТНЫЕ СВОЙСТВА ПОРОШКА ГЕКСАФЕРРИТА СТРОНЦИЯ ПОСЛЕ ИЗМЕЛЬЧЕНИЯ В ВОДЕ И ТОЛУОЛЕ С ПОСЛЕДУЮЩИМ ОТЖИГОМ Аннотация  PDF (Rus)  похожие документы
Т. А. Булатов, С. В. Кетов, В. П. Менушенков, Ю. Д. Ягодкин
"... subsequent annealing were studied using X-ray diffraction, Scanning Electron Microscopy and Laser diffraction ..."
 
Том 18, № 3 (2015) ФОРМИРОВАНИЕ ТРЕХМЕРНЫХ СТРУКТУР В ПОДЛОЖКАХ КАРБИДА КРЕМНИЯ ПЛАЗМОХИМИЧЕСКИМ ТРАВЛЕНИЕМ Аннотация  PDF (Rus)  похожие документы
Л. А. Сейдман
"...   by etching of SiC substrates with GaN epitaxial layers, and their subsequent metallization. In this review ..."
 
Том 22, № 1 (2019) Формирование стабильных индуцированных доменов в области заряженной междоменной границы в ниобате лития с помощью зондовой микроскопии Аннотация  PDF (Rus)  похожие документы
А. М. Кислюк, Т. С. Ильина, И. В. Кубасов, Д. А. Киселев, А. А. Темиров, А. В. Турутин, М. Д. Малинкович, А. А. Полисан, Ю. Н. Пархоменко
"... in congruent x-cut lithium niobate crystals (LiNbO3) is studied. By diffusion annealing in air ambient near ..."
 
Том 22, № 4 (2019) Математическое моделирование перспективных структур оксидов металлов Аннотация  PDF (Rus)  похожие документы
П. А. Сеченых
"... used in the modeling of crystalline metal oxides. The application of the annealing simulation algorithm ..."
 
№ 1 (2012) ИССЛЕДОВАНИЕ ФАЗОВОГО СОСТАВА В ОБРАЗЦАХ НАНОКОМПОЗИТА por–Si/SnOx, ПОДВЕРЖЕННЫХ ТЕРМИЧЕСКОМУ ОКИСЛЕНИЮ, МЕТОДОМ РЕНТГЕНОВСКОЙ ФОТОЭЛЕКТРОННОЙ СПЕКТРОСКОПИИ Аннотация  PDF (Rus)  похожие документы
В. В. Болотов, С. Н. Несов, П. М. Корусенко, С. Н. Поворознюк
"... of tin and the stoichiometric coefficient x of the SnOx compound. However, annealing at 600 °C leads ..."
 
Том 23, № 1 (2020) Бидоменные сегнетоэлектрические кристаллы: свойства и перспективы применения Аннотация  похожие документы
И. В. Кубасов, А. М. Кислюк, А. В. Турутин, М. Д. Малинкович, Ю. Н. Пархоменко
 
Том 21, № 3 (2018) Влияние технологических факторов на характеристики омических контактов мощных AlGaN/GaN/SiC–HEMT Аннотация  PDF (Rus)  похожие документы
К. Л. Енишерлова, Б. К. Медведев, Э. М. Темпер, В. И. Корнеев
"... transistors made of GaN/AlGaN/GaN/SiC heterostructures. Ohmic burning contacts were formed using ..."
 
№ 3 (2013) ВЫСОКОРАЗРЕШАЮЩАЯ РЕНТГЕНОВСКАЯ ДИФРАКТОМЕТРИЯ КРИСТАЛЛОВ КРЕМНИЯ, ОБЛУЧЕННЫХ ПРОТОНАМИ Аннотация  PDF (Rus)  похожие документы
И. С. Смирнов, И. Г. Дьячкова, Е. Г. Новоселова
"... of vacancy and interstitial types. Vacuum annealing of the irradiated crystals at 600 °C enlarges ..."
 
Том 19, № 2 (2016) Нестабильность емкости ВФ–характеристик при измерении гетероcтруктур AlGaN/GaN и НЕМТ–транзисторов на их основе Аннотация  PDF (Rus)  похожие документы
К. Л. Енишерлова, В. Г. Горячев, В. В. Сарайкин, С. А. Капилин
"... A complex of studies of the AlGaN/GaN heterostructures and the AlGaN/GaN/SiC HEMT-transistors ..."
 
Том 22, № 3 (2019) Фазовые превращения при кристаллизации Sr2CrMoO6–δ Аннотация  PDF (Rus)  похожие документы
Н. А. Каланда, А. Л. Гурский, М. В. Ярмолич, И. А. Бобриков, О. Ю. Иваньшина, С. В. Сумников, А. В. Петров, F. Maia, А. Л. Желудкевич, С. Е. Демьянов
"... . Herewith, it has been observed that with the annealing temperature increase from 300 to 1270 K, the complex ..."
 
1 - 25 из 87 результатов 1 2 3 4 > >> 

Советы по поиску:

  • Поиск ведется с учетом регистра (строчные и прописные буквы различаются)
  • Служебные слова (предлоги, союзы и т.п.) игнорируются
  • По умолчанию отображаются статьи, содержащие хотя бы одно слово из запроса (то есть предполагается условие OR)
  • Чтобы гарантировать, что слово содержится в статье, предварите его знаком +; например, +журнал +мембрана органелла рибосома
  • Для поиска статей, содержащих все слова из запроса, объединяйте их с помощью AND; например, клетка AND органелла
  • Исключайте слово при помощи знака - (дефис) или NOT; например. клетка -стволовая или клетка NOT стволовая
  • Для поиска точной фразы используйте кавычки; например, "бесплатные издания". Совет: используйте кавычки для поиска последовательности иероглифов; например, "中国"
  • Используйте круглые скобки для создания сложных запросов; например, архив ((журнал AND конференция) NOT диссертация)