Preview

Известия высших учебных заведений. Материалы электронной техники

Расширенный поиск

Поиск


Сортировать по:     
 
Выпуск Название
 
№ 3 (2013) ИССЛЕДОВАНИЕ ПРОЦЕССА ТЕРМИЧЕСКОЙ АКТИВАЦИИ АКЦЕПТОРНОЙ ПРИМЕСИ В ЭПИТАКСИАЛЬНЫХ СЛОЯХ GaN : Mg Аннотация  PDF (Rus)  похожие документы
А. В. Мазалов, Д. Р. Сабитов, В. А. Курешов, А. А. Падалица, А. А. Мармалюк, Р. Х. Акчурин
"... in the GaN layers. The optimum time of annealing at 1000 oC has been determined. The hole concentration ..."
 
№ 2 (2014) ПРОЦЕССЫ ВО ВРЕМЯ ОТЖИГА КОНТАКТНЫХ СИСТЕМ Ti—Al—Ni И Ti—Al—Ni—Au Аннотация  PDF (Rus)  похожие документы
К. Д. Ванюхин, Р. В. Захарченко, Н. И. Каргин, М. В. Пашков, Л. А. Сейдман
"... The Ti/Al/Ni/Au metallization system which is widely used in the technology of GaN based devices ..."
 
№ 3 (2013) ИССЛЕДОВАНИЕ СТРУКТУРЫ И МОРФОЛОГИИ ПОВЕРХНОСТИ ДВУХСЛОЙНОЙ КОНТАКТНОЙ МЕТАЛЛИЗАЦИИ Ti/Al Аннотация  PDF (Rus)  похожие документы
К. Д. Ванюхин, Р. В. Захарченко, Н. И. Каргин, М. В. Пашков, Л. А. Сейдман
"... Ti/Al/Ni/Au metallization widely used in the technology of GaN base devices have a very important ..."
 
№ 2 (2013) ТЕХНОЛОГИЧЕСКИЕ ОСОБЕННОСТИ ФОРМИРОВАНИЯ ПРОЗРАЧНЫХ ПРОВОДЯЩИХ КОНТАКТОВ ИЗ ПЛЕНКИ ITO ДЛЯ СВЕТОДИОДОВ НА ОСНОВЕ НИТРИДА ГАЛЛИЯ Аннотация  PDF (Rus)  похожие документы
К. Д. Ванюхин, Р. В. Захарченко, Н. И. Каргин, Л. А. Сейдман
"... , the samples were annealed in a thermal annealing furnace in air or nitrogen at 300-700 оC for 30 s ..."
 
№ 4 (2012) МОДЕЛИРОВАНИЕ ПРОЦЕССОВ ИОННОЙ ИМПЛАНТАЦИИ И БЫСТРЫХ ТЕРМООБРАБОТОК ПРИ ФОРМИРОВАНИИ АКТИВНЫХ ОБЛАСТЕЙ СУБМИКРОННЫХ И НАНОМЕТРОВЫХ ИНТЕГРАЛЬНЫХ СХЕМ НА КРЕМНИИ Аннотация  PDF (Rus)  похожие документы
Ф. Ф. Комаров, А. Ф. Комаров, А. М. Миронов, Г. М. Заяц, Ю. В. Макаревич, С. А. Мискевич
 
Том 18, № 3 (2015) Влияние отжига на недиагональный магнитоимпеданс в аморфных проводах Аннотация  PDF (Rus)  похожие документы
Н. А. Юданов, А. Т. Морченко, Л. В. Панина, В. Г. Костишин, С. А. Евстигнеева
"... and internal stress induced helical or circumferential anisotropy. We have demonstrated that annealing ..."
 
Том 20, № 2 (2017) Напряжения в пластинах кремния, возникающие в результате локального фотонного отжига Аннотация  PDF (Rus)  похожие документы
В. В. Старков, Е. А. Гостева, Д. В. Иржак, Д. В. Рощупкин
"... The effect of photon annealing on the occurrence of deformations in the crystal structure of boron ..."
 
№ 1 (2012) ВЛИЯНИЕ ИЗОТЕРМИЧЕСКОГО ОТЖИГА НА ОПТИЧЕСКИЕ ПАРАМЕТРЫ ЛАНТАН–ГАЛЛИЕВОГО ТАНТАЛАТА Аннотация  PDF (Rus)  похожие документы
О. А. Бузанов, И. С. Диденко, Н. С. Козлова, А. П. Козлова, Е. А. Скрылева, Н. А. Симинел
"... The influence of isothermal annealing on the optical pa-rameters (transmission and diffused ..."
 
Том 19, № 4 (2016) Структурные особенности формирования цинкосодержащих наночастиц, полученных методом ионной имплантации в Si(001) и последующим термическим отжигом Аннотация  PDF (Rus)  похожие документы
К. Б. Эйдельман, Н. Ю. Табачкова, К. Д. Щербачев, Ю. Н. Пархоменко, В. В. Привезенцев, Д. М. Мигунов
"... −stage O+ and Zn+ ion implantation followed by thermal annealing in a dry oxygen atmosphere was studied ..."
 
Том 22, № 1 (2019) О связи протонного облучения и термической обработки монокристаллического кремния с его структурой Аннотация  PDF (Rus)  похожие документы
В. Е. Асадчиков, И. Г. Дьячкова, Д. А. Золотов, Ю. С. Кривоносов, В. Т. Бублик, А. И. Шихов
"... of monocrystalline silicon obtained by implantation of hydrogen ions and subsequent thermal annealing, which is used ..."
 
№ 2 (2014) КЛЕТОЧНО–АВТОМАТНАЯ МОДЕЛЬ РАЗДЕЛЕНИЯ ФАЗ ПРИ ОТЖИГЕ СЛОЕВ НЕСТЕХИОМЕТРИЧЕСКОГО ОКСИДА КРЕМНИЯ Аннотация  PDF (Rus)  похожие документы
Г. Я. Красников, Н. А. Зайцев, И. В. Матюшкин, С. В. Коробов
"... of the order of 3—30 nm and the formation of Si nanoclusters in that layer during thermal annealing ..."
 
Том 18, № 2 (2015) МЕТОД ОПРЕДЕЛЕНИЯ НЕРАЗРУШАЮЩИХ РЕЖИМОВ ЛАЗЕРНОГО ОТЖИГА ДИЭЛЕКТРИЧЕСКИХ И ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ПЛАСТИН Аннотация  PDF (Rus)  похожие документы
А. Ф. Коваленко, А. А. Воробьев
"... of nondestructive conditions of laser annealing of dielectric and semiconductor plates has been validated ..."
 
№ 3 (2014) ИССЛЕДОВАНИЕ МОНОКРИСТАЛЛОВ СaМoО4 С НИЗКИМ ОСТАТОЧНЫМ ПОГЛОЩЕНИЕМ Аннотация  похожие документы
Н. С. Козлова, О. А. Бузанов, М. Б. Быкова, Е. В. Забелина, В. Н. Корноухов, А. П. Козлова, А. Г. Черных
"... of isothermal annealing on the attenuation spectra in the wavelength range 350 to 700 nm is studied. The broad ..."
 
№ 3 (2014) МЕТОД ОПРЕДЕЛЕНИЯ НЕРАЗРУШАЮЩИХ РЕЖИМОВ ИМПУЛЬСНОГО ЛАЗЕРНОГО ОТЖИГА ДИЭЛЕКТРИЧЕСКИХ И ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ПЛАСТИН Аннотация  PDF (Rus)  похожие документы
А. Ф. Коваленко, А. А. Воробьев
"... Single−side heating of a wafer with a free surface by pulse laser annealing has been analyzed ..."
 
№ 2 (2013) СТРУКТУРА И МАГНИТНЫЕ СВОЙСТВА ПОРОШКА ГЕКСАФЕРРИТА СТРОНЦИЯ ПОСЛЕ ИЗМЕЛЬЧЕНИЯ В ВОДЕ И ТОЛУОЛЕ С ПОСЛЕДУЮЩИМ ОТЖИГОМ Аннотация  PDF (Rus)  похожие документы
Т. А. Булатов, С. В. Кетов, В. П. Менушенков, Ю. Д. Ягодкин
"... subsequent annealing were studied using X-ray diffraction, Scanning Electron Microscopy and Laser diffraction ..."
 
Том 22, № 1 (2019) Формирование стабильных индуцированных доменов в области заряженной междоменной границы в ниобате лития с помощью зондовой микроскопии Аннотация  PDF (Rus)  похожие документы
А. М. Кислюк, Т. С. Ильина, И. В. Кубасов, Д. А. Киселев, А. А. Темиров, А. В. Турутин, М. Д. Малинкович, А. А. Полисан, Ю. Н. Пархоменко
"... in congruent x-cut lithium niobate crystals (LiNbO3) is studied. By diffusion annealing in air ambient near ..."
 
№ 1 (2012) ИССЛЕДОВАНИЕ ФАЗОВОГО СОСТАВА В ОБРАЗЦАХ НАНОКОМПОЗИТА por–Si/SnOx, ПОДВЕРЖЕННЫХ ТЕРМИЧЕСКОМУ ОКИСЛЕНИЮ, МЕТОДОМ РЕНТГЕНОВСКОЙ ФОТОЭЛЕКТРОННОЙ СПЕКТРОСКОПИИ Аннотация  PDF (Rus)  похожие документы
В. В. Болотов, С. Н. Несов, П. М. Корусенко, С. Н. Поворознюк
"... of tin and the stoichiometric coefficient x of the SnOx compound. However, annealing at 600 °C leads ..."
 
№ 3 (2013) ВЫСОКОРАЗРЕШАЮЩАЯ РЕНТГЕНОВСКАЯ ДИФРАКТОМЕТРИЯ КРИСТАЛЛОВ КРЕМНИЯ, ОБЛУЧЕННЫХ ПРОТОНАМИ Аннотация  PDF (Rus)  похожие документы
И. С. Смирнов, И. Г. Дьячкова, Е. Г. Новоселова
"... of vacancy and interstitial types. Vacuum annealing of the irradiated crystals at 600 °C enlarges ..."
 
Том 22, № 3 (2019) Фазовые превращения при кристаллизации Sr2CrMoO6–δ Аннотация  похожие документы
Н. А. Каланда, А. Л. Гурский, М. В. Ярмолич, И. А. Бобриков, О. Ю. Иваньшина, С. В. Сумников, А. В. Петров, F. Maia, А. Л. Желудкевич, С. Е. Демьянов
"... . Herewith, it has been observed that with the annealing temperature increase from 300 to 1270 K, the complex ..."
 
№ 4 (2012) ДИФРАКЦИОННЫЕ ИССЛЕДОВАНИЯ ФОРМИРОВАНИЯ НАНОКРИСТАЛЛОВ КРЕМНИЯ В СТРУКТУРАХ SiOx/Si С ИОННОЙ ИМПЛАНТАЦИЕЙ УГЛЕРОДА Аннотация  PDF (Rus)  похожие документы
В. А. Терехов, Д. И. Тетельбаум, И. Е. Занин, К. Н. Панков, Д. Е. Спирин, А. Н. Михайлов, А. И. Белов, А. В. Ершов
"... by annealing in nitrogen at 1100 oC. Diffraction studies of these structures confirm the occurrence ..."
 
№ 2 (2013) ПРОЗРАЧНЫЕ МАТЕРИАЛЫ ДЛЯ МОЩНЫХ ИМПУЛЬСНЫХ СО2-ЛАЗЕРОВ Аннотация  PDF (Rus)  похожие документы
В. Е. Рогалин
"... , admixtures and structure of point defects, which can be changed by influence X-ray irradiation and annealing ..."
 
Том 18, № 2 (2015) КОНТРОЛЬ «ЖЕЛТОЙ» ФОТОЛЮМИНЕСЦЕНЦИИ ГЕТЕРОСТРУКТУР AlGaN/GaN Аннотация  PDF (Rus)  похожие документы
Н. Б. Гладышева, В. В. Груздов, М. Е. Гусев, Ю. В. Колковский, Ю. А. Концевой, Е. Ф. Певцов
"... −called yellow luminescence) is generated by deep levels in the buffer GaN layer of the ehterostructures ..."
 
Том 18, № 4 (2015) ФОРМИРОВАНИЕ ЗАРЯДОВЫХ НАСОСОВ В СТРУКТУРЕ ФОТОПРЕОБРАЗОВАТЕЛЕЙ Аннотация  PDF (Rus)  похожие документы
В. В. Старков, В. А. Гусев, Н. О. Кулаковская, Е. А. Гостева, Ю. Н. Пархоменко
"... . This process involves a non−thermal or «cold» photon annealing and uses standard photon annealing equipment ..."
 
№ 1 (2012) МОНТЕ—КАРЛО–МОДЕЛИРОВАНИЕ ПРОЦЕССА ФОРМИРОВАНИЯ НАНОКЛАСТЕРОВ КРЕМНИЯ В ДИОКСИДЕ КРЕМНИЯ Аннотация  PDF (Rus)  похожие документы
А. Н. Карпов, Е. А. Михантьев, С. В. Усенков, Н. Л. Шварц
"... The process of silicon nanocluster formation during annealing of single SiO layers and multilayer ..."
 
Том 18, № 2 (2015) ИССЛЕДОВАНИЕ ВЛИЯНИЯ ПАССИВИРУЮЩИХ СЛОЕВ НА ЕМКОСТНЫЕ ХАРАКТЕРИСТИКИ ГЕТЕРОСТРУКТУР AlGaN/GaN Аннотация  PDF (Rus)  похожие документы
К. Л. Енишерлова, В. Г. Горячев, Т. Ф. Русак, С. А. Капилин
"... AlGaN/GaN heterostructures grown by MOCVD method on sapphire and silicon substrates were test ..."
 
1 - 25 из 71 результатов 1 2 3 > >> 

Советы по поиску:

  • Поиск ведется с учетом регистра (строчные и прописные буквы различаются)
  • Служебные слова (предлоги, союзы и т.п.) игнорируются
  • По умолчанию отображаются статьи, содержащие хотя бы одно слово из запроса (то есть предполагается условие OR)
  • Чтобы гарантировать, что слово содержится в статье, предварите его знаком +; например, +журнал +мембрана органелла рибосома
  • Для поиска статей, содержащих все слова из запроса, объединяйте их с помощью AND; например, клетка AND органелла
  • Исключайте слово при помощи знака - (дефис) или NOT; например. клетка -стволовая или клетка NOT стволовая
  • Для поиска точной фразы используйте кавычки; например, "бесплатные издания". Совет: используйте кавычки для поиска последовательности иероглифов; например, "中国"
  • Используйте круглые скобки для создания сложных запросов; например, архив ((журнал AND конференция) NOT диссертация)