Preview

Известия высших учебных заведений. Материалы электронной техники

Расширенный поиск

Поиск


Сортировать по:     
 
Выпуск Название
 
Том 18, № 2 (2015) ИССЛЕДОВАНИЕ ВЛИЯНИЯ ПАССИВИРУЮЩИХ СЛОЕВ НА ЕМКОСТНЫЕ ХАРАКТЕРИСТИКИ ГЕТЕРОСТРУКТУР AlGaN/GaN Аннотация  PDF (Rus)  похожие документы
К. Л. Енишерлова, В. Г. Горячев, Т. Ф. Русак, С. А. Капилин
"... AlGaN/GaN heterostructures grown by MOCVD method on sapphire and silicon substrates were test ..."
 
Том 18, № 1 (2015) О ПРИРОДЕ ТЕРМОАКЦЕПТОРОВ В ОБЛУЧЕННОМ ЭЛЕКТРОНАМИ ВЫСОКООМНОМ КРЕМНИИ Аннотация  PDF (Rus)  похожие документы
С. П. Кобелева
"... annealing of electron or neutron irradiated high resistivity silicon. Based on the solution ..."
 
№ 4 (2014) РАСПРЕДЕЛЕНИЕ ЦЕНТРОВ ДИСЛОКАЦИОННОЙ ЛЮМИНЕСЦЕНЦИИ D1 В КРЕМНИИ, ПОДВЕРГНУТОМ ИМПЛАНТАЦИИ ИОНОВ Si+, И МОДЕЛЬ ФОТОЛЮМИНЕСЦЕНЦИИ Аннотация  PDF (Rus)  похожие документы
С. Н. Нагорных, В. И. Павленков, Д. И. Тетельбаум, А. Н. Михайлов, А. И. Белов, Д. С. Королев, А. Н. Шушунов, А. И. Бобров, Д. А. Павлов, Е. И. Шек
"... is observed after Si+ (100 keV, 1 ·1015 cm−2) ion implantation followed by high−temperature annealing ..."
 
Том 18, № 3 (2015) ВЛИЯНИЕ КАЧЕСТВА ПОДЛОЖЕК SiC НА СТРУКТУРНОЕ НСТВО И НЕКОТОРЫЕ ЭЛЕКТРИЧЕСКИЕ ПАРАМЕТРЫ ПЛЕНОК AlGaN/GaN Аннотация  PDF (Rus)  похожие документы
К. Л. Eнишерлова, Т. Ф. Русак, В. И. Корнеев, А. Н. Зазулина
"... electrophysical parameters of AlGaN/GaN epitaxial layer heterostructures grown on them. Regions with internal ..."
 
Том 19, № 2 (2016) Нестабильность емкости ВФ–характеристик при измерении гетероcтруктур AlGaN/GaN и НЕМТ–транзисторов на их основе Аннотация  PDF (Rus)  похожие документы
К. Л. Енишерлова, В. Г. Горячев, В. В. Сарайкин, С. А. Капилин
"... A complex of studies of the AlGaN/GaN heterostructures and the AlGaN/GaN/SiC HEMT-transistors ..."
 
Том 21, № 3 (2018) Влияние технологических факторов на характеристики омических контактов мощных AlGaN/GaN/SiC–HEMT Аннотация  PDF (Rus)  похожие документы
К. Л. Енишерлова, Б. К. Медведев, Э. М. Темпер, В. И. Корнеев
"... transistors made of GaN/AlGaN/GaN/SiC heterostructures. Ohmic burning contacts were formed using ..."
 
№ 4 (2013) ИНТЕГРАЛЬНО–ДИФФЕРЕНЦИАЛЬНЫЙ МЕТОД ТЕРМОСПЕКТРОСКОПИИ ЭНЕРГЕТИЧЕСКИХ УРОВНЕЙ В ПОЛУПРОВОДНИКАХ ПО РЕЛАКСАЦИИ ИХ ЗАРЯДА Аннотация  PDF (Rus)  похожие документы
Ф. И. Маняхин
"... results of research AlGaN/ InGaN/GaN of the structures are resulted.             ..."
 
Том 19, № 1 (2016) ЭФФЕКТЫ НИЗКОИНТЕНСИВНОГО ОБЛУЧЕНИЯ В ПРИБОРАХ И ИНТЕГРАЛЬНЫХ СХЕМАХ НА БАЗЕ КРЕМНИЯ Аннотация  PDF (Rus)  похожие документы
К. И. Таперо
"... of annealing of the charge trapped in dielectric and interface traps. The degradation of MOS and bipolar ..."
 
Том 20, № 1 (2017) ИЗУЧЕНИЕ КРИСТАЛЛОВ ЧАСТИЧНО СТАБИЛИЗИРОВАННОГО ZRO2 ЛЕГИРОВАННЫХ CE МЕТОДОМ ЭЛЕКТРОННОГО ПАРАМАГНИТНОГО РЕЗОНАНСА Аннотация  PDF (Rus)  похожие документы
М. А. Борик, Р. М. Еремина, Е. Е. Ломонова, В. А. Мызина, В. В. Осико, И. И. Фазлижанов, В. А. Шустов, И. В. Яцык
"... and after high−temperature heat treatment has been measured. The annealing in air leads to a decrease ..."
 
№ 1 (2013) ПРОГНОЗИРОВАНИЕ ВЛИЯНИЯ ТЕХНОЛОГИЧЕСКИХ ПАРАМЕТРОВ ФОРМИРОВАНИЯ ГАЗОЧУВСТВИТЕЛЬНЫХ МАТЕРИАЛОВ НА ОСНОВЕ ПОЛИАКРИЛОНИТРИЛА НА ЭЛЕКТРОСОПРОТИВЛЕНИЕ Аннотация  похожие документы
С. П. Коноваленко, Т. А. Бедная, Т. В. Семенистая, А. Н. Королев
"... времени второго этапа ИК-отжига и концентрации модифицирующей добавки. ..."
 
Том 18, № 3 (2015) ФОРМИРОВАНИЕ ТРЕХМЕРНЫХ СТРУКТУР В ПОДЛОЖКАХ КАРБИДА КРЕМНИЯ ПЛАЗМОХИМИЧЕСКИМ ТРАВЛЕНИЕМ Аннотация  PDF (Rus)  похожие документы
Л. А. Сейдман
"...   by etching of SiC substrates with GaN epitaxial layers, and their subsequent metallization. In this review ..."
 
№ 2 (2014) МОДЕЛИРОВАНИЕ ЗНАЧЕНИЙ СОПРОТИВЛЕНИЯ И КОЭФФИЦИЕНТА ГАЗОЧУВСТВИТЕЛЬНОСТИ ПЛЕНОК МЕДЬСОДЕРЖАЩЕГО ПОЛИАКРИЛОНИТРИЛА Аннотация  PDF (Rus)  похожие документы
Т. В. Семенистая, С. П. Коноваленко, В. В. Петров
"... температурой ИК−отжига и массовой долей модифицирующей добавки. QSPR−подход позволяет получить уравнение с ..."
 
Том 19, № 2 (2016) Анизотропия деформации плаcтин монокристаллов ниобата лития Y + 128°–среза с бидоменной структурой Аннотация  PDF (Rus)  похожие документы
И. В. Кубасов, А. В. Попов, А. С. Быков, А. А. Темиров, А. М. Кислюк, Р. Н. Жуков, Д. А. Киселев, М. В. Чичков, М. Д. Малинкович, Ю. Н. Пархоменко
"... heating method and long-time annealing with lithium out-diffusion method in order to create round bidomain ..."
 
№ 3 (2013) ФОРМИРОВАНИЕ БИДОМЕННОЙ СТРУКТУРЫ В ПЛАСТИНАХ МОНОКРИСТАЛЛОВ НИОБАТА ЛИТИЯ МЕТОДОМ СТАЦИОНАРНОГО ВНЕШНЕГО НАГРЕВА Аннотация  PDF (Rus)  похожие документы
А. С. Быков, С. Г. Григорян, Р. Н. Жуков, Д. А. Киселев, С. В. Ксенич, И. В. Кубасов, М. Д. Малинкович, Ю. Н. Пархоменко
"... niobate wafer placed between two silicon wafers was heated due to the absorption of light annealing system ..."
 
Том 18, № 4 (2015) ФОРМИРОВАНИЕ БИДОМЕННОЙ СТРУКТУРЫ В ПЛАСТИНАХ НИОБАТА ЛИТИЯ, ПРЕДНАЗНАЧЕННЫХ ДЛЯ БЕТА–ВОЛЬТАИЧЕСКИХ ГЕНЕРАТОРОВ ПЕРЕМЕННОГО ТОКА Аннотация  PDF (Rus)  похожие документы
М. Д. Малинкович, А. С. Быков, И. В. Кубасов, Д. А. Киселев, С. В. Ксенич, Р. Н. Жуков, А. А. Темиров, Н. Г. Тимушкин, Ю. Н. Пархоменко
"... of a bidomain structure in a thin lithium niobate plate. A method of the sample high−temperature annealing ..."
 
№ 2 (2012) ОСОБЕННОСТИ ДЕФЕКТООБРАЗОВАНИЯ В ПРОЦЕССЕ ТЕРМООБРАБОТКИ БИЗДИСЛОКАЦИОННЫХ МОНОКРИСТАЛЛИЧЕСКИХ ПЛАСТИН КРЕМНИЯ БОЛЬШОГО ДИАМЕТРА С ЗАДАННЫМ РАСПРЕДЕЛЕНИЕМ В ОБЪЕМЕ КИСЛОРОДСОДЕРЖАЩИХ ГЕТТЕРИРУЮЩИХ ЦЕНТРОВ Аннотация  PDF (Rus)  похожие документы
Ю. Б. Васильев, Н. А. Верезуб, М. В. Меженный, В. С. Просолович, А. И. Простомолотов, В. Я. Резник
"... монокристаллического кремния при быстром термическом отжиге (БТО). С помощью математического моделирования трехмерного ..."
 
№ 4 (2012) НАПРЯЖЕНИЕ И АДГЕЗИЯ ПОЛИКРИСТАЛЛИЧЕСКИХ ПЛЕНОК 3C–SiC, ВЫРАЩЕННЫХ МЕТОДОМ ОСАЖДЕНИЯ ИЗ ГАЗОВОЙ ФАЗЫ НА КРЕМНИЕВЫХ ПОДЛОЖКАХ Аннотация  PDF (Rus)  похожие документы
Т. М. Ткачева, Л. М. Иванова, К. Д. Демаков, М. Н. Шахов
"... Methyltrichlorosilane thermal dissociation in a hydrogen atmosphere at temperatures of 1000—1250 °С. The process ..."
 
№ 1 (2012) НОВЫЕ НАПРАВЛЕНИЯ РАЗВИТИЯ ТЕХНОЛОГИИ ПРОИЗВОДСТВА УЛЬТРАФИОЛЕТОВЫХ СВЕТОДИОДОВ Аннотация  PDF (Rus)  похожие документы
А. А. Антипов, И. С. Бараш, В. Т. Бублик, С. Ю. Курин, Ю. Н. Макаров, Е. Н. Мохов, С. С. Нагалюк, А. Д. Роенков, Т. Ю. Чемекова, К. Д. Щербачев, Х. Хелава
"... The paper presents results of the development of ultraviolet light−emitting diodes based on GaN ..."
 
Том 18, № 1 (2015) ТЕНДЕНЦИИ РАЗВИТИЯ ЭПИТАКСИАЛЬНОЙ ТЕХНОЛОГИИ НИТРИДНЫХ СОЕДИНЕНИЙ Аннотация  PDF (Rus)  похожие документы
А. А. Арендаренко, В. А. Орешкин, Ю. Н. Свешников, И. Н. Цыпленков
"... been discussed.  Some results of GaN/Si heterostructures technology development in «Elma−Malachit» JSC ..."
 
Том 19, № 2 (2016) Задачи оптимизации наноразмерных полупроводниковых гетероструктур Аннотация  PDF (Rus)  похожие документы
К. К. Абгарян
"... optimization algorithms based on gradient methods. As an example, is considered heterostructure Al0.25GaN/GaN ..."
 
№ 2 (2013) ПРИМЕНЕНИЕ МАТЕМАТИЧЕСКОЙ МОДЕЛИ ДЛЯ СОПРОВОЖДЕНИЯ ПРОЦЕССА ВЫРАЩИВАНИЯ КРИСТАЛЛОВ В МНОГОЗОННЫХ ТЕРМИЧЕСКИХ УСТАНОВКАХ Аннотация  PDF (Rus)  похожие документы
М. М. Филиппов, А. И. Грибенюков, В. Е. Гинсар, Ю. В. Бабушкин
"... термической установке Бриджмена с интегрированной математической моделью. Описана процедура настройки ..."
 
Том 18, № 1 (2015) НИТРИДНЫЕ НЕМТ ПРОТИВ АРСЕНИДНЫХ: ПОСЛЕДНЯЯ БИТВА? Аннотация  PDF (Rus)  похожие документы
Ю. В. Федоров, С. В. Михайлович
"... . In summary it could be stated that nowadays InP pHEMTs offer the highest frequencies and GaN HEMTs on SiC ..."
 
Том 20, № 3 (2017) Особенности кристаллической структуры и текстуры изотропных и анизотропных поликристаллических гексагональных ферритов BaFe12O19, полученных методом радиационно-термического спекания Аннотация  похожие документы
Владимир Григорьевич Костишин
"... , полученных методом радиационно-термического спекания. Сырые заготовки и изотропных, и анизотропных ..."
 
Том 19, № 2 (2016) Структурные, электрические и люминесцентные характеристики ультрафиолетовых светодиодов, выращенных методом хлорид–гидридной эпитаксии Аннотация  PDF (Rus)  похожие документы
А. Я. Поляков, Jin−Hyeon Yun, А. С. Усиков, Е. Б. Якимов, Н. Б. Смирнов, К. Д. Щербачев, Н. Helava, Y. N. Makarov, С. Ю. Курин, Н. М. Шмидт, О. И. Рабинович, С. И. Диденко, С. А. Тарелкин, Б. П. Папченко, In−Hwan Lee
"... in the structural quality (dislocation density, density of dislocations agglomerates) of the GaN active layers ..."
 
№ 3 (2012) ИССЛЕДОВАНИЕ ГЕТЕРОСТРУКТУР МЕТОДОМ РЕНТГЕНОВСКОЙ ОДНОКРИСТАЛЬНОЙ ДИФРАКТОМЕТРИИ Аннотация  PDF (Rus)  похожие документы
А. В. Лютцау, М. М. Крымко, К. Л. Енишерлова, Э. М. Темпер, И. И. Разгуляев
"...  of semiconductor heterostructures (SOS, SOI, AlGaN/GaN/Si, ion implanted silicon layers). We show that measurements ..."
 
26 - 50 из 73 результатов << < 1 2 3 > >> 

Советы по поиску:

  • Поиск ведется с учетом регистра (строчные и прописные буквы различаются)
  • Служебные слова (предлоги, союзы и т.п.) игнорируются
  • По умолчанию отображаются статьи, содержащие хотя бы одно слово из запроса (то есть предполагается условие OR)
  • Чтобы гарантировать, что слово содержится в статье, предварите его знаком +; например, +журнал +мембрана органелла рибосома
  • Для поиска статей, содержащих все слова из запроса, объединяйте их с помощью AND; например, клетка AND органелла
  • Исключайте слово при помощи знака - (дефис) или NOT; например. клетка -стволовая или клетка NOT стволовая
  • Для поиска точной фразы используйте кавычки; например, "бесплатные издания". Совет: используйте кавычки для поиска последовательности иероглифов; например, "中国"
  • Используйте круглые скобки для создания сложных запросов; например, архив ((журнал AND конференция) NOT диссертация)