Preview

Известия высших учебных заведений. Материалы электронной техники

Расширенный поиск

Поиск


Сортировать по:     
 
Выпуск Название
 
№ 4 (2012) ИЗУЧЕНИЕ ЭЛЕКТРОФИЗИЧЕСКИХ СВОЙСТВ ДИОДОВ ШОТКИ, ИЗГОТОВЛЕННЫХ НА ОСНОВЕ КРЕМНИЯ С РАЗЛИЧНЫМИ МЕТАЛЛИЧЕСКИМИ СЛОЯМИ Аннотация  PDF (Rus)  похожие документы
И. Г. Пашаев
"... (where x = 52; 70; 87) Schottky diodes and the electrical properties of AuxTi100−x—nSi (where x = 10; 36 ..."
 
№ 4 (2013) УСИЛЕННЫЙ МАГНИТОРЕЗИСТИВНЫЙ ЭФФЕКТ В МАССИВАХ НАНОСТОЛБИКОВ НИКЕЛЯ НА КРЕМНИЕВЫХ ПОДЛОЖКАХ Аннотация  PDF (Rus)  похожие документы
Ю. А. Федотова, Д. К. Иванов, Ю. А. Иванова, А. Саад, А. В. Мазаник, И. А. Свито, Е. А. Стрельцов, А. К. Федотов, С. И. Тютюнников, П. Ю. Апель
"... with a decrease in the longitudinal current (along the pillars). At 100 nA current, the relative magnetoresistance ..."
 
Том 19, № 2 (2016) Нестабильность емкости ВФ–характеристик при измерении гетероcтруктур AlGaN/GaN и НЕМТ–транзисторов на их основе Аннотация  PDF (Rus)  похожие документы
К. Л. Енишерлова, В. Г. Горячев, В. В. Сарайкин, С. А. Капилин
"... Schottky barriers has been carried out by the C-V method and the SIMS method in order to determine ..."
 
№ 1 (2014) СПЕКТРЫ DLTS КРЕМНИЕВЫХ ДИОДОВ С p+—n–ПЕРЕХОДОМ, ОБЛУЧЕННЫХ ВЫСОКОЭНЕРГЕТИЧЕСКИМИ ИОНАМИ КРИПТОНА Аннотация  PDF (Rus)  похожие документы
Н. А. Поклонский, Н. И. Горбачук, С. В. Шпаковский, В. А. Филипеня, А. С. Турцевич, С. В. Шведов, Куанг Нья Во, Тхи Тхань Бинь Нгуен, В. А. Скуратов, D. Wieck Andreas
"... Исследованы p+—n-диоды. Диоды изготовлены на пластинах однородно легированного фосфором ..."
 
Том 18, № 4 (2015) 100 ЛЕТ СО ДНЯ РОЖДЕНИЯ НИКОЛАЯ СТЕПАНОВИЧА ЛИДОРЕНКО Аннотация  PDF (Rus)  похожие документы
статья редакционная
 
№ 4 (2013) ИССЛЕДОВАНИЕ СТРУКТУРЫ КРУПНОГАБАРИТНЫХ МОНОКРИСТАЛЛОВ АНТИМОНИДА ГАЛЛИЯ, ВЫРАЩЕННЫХ МЕТОДОМ ЧОХРАЛЬСКОГО В КРИСТАЛЛОГРАФИЧЕСКОМ НАПРАВЛЕНИИ [100] Аннотация  PDF (Rus)  похожие документы
В. С. Ежлов, А. Г. Мильвидская, Е. В. Молодцова, М. В. Меженный
"... The properties of Chochralski grown [100] undoped GaSb crystals with diameters > 60 mm have been ..."
 
Том 18, № 2 (2015) К 100−летию СО ДНЯ РОЖДЕНИЯ ВСЕВОЛОДА ВАЛЕРЬЕВИЧА КРАПУХИНА (1915—2009 гг.) Аннотация  PDF (Rus)  похожие документы
Статья Редакционная
 
№ 3 (2012) МОДЕЛИРОВАНИЕ ЗАВИСИМОСТИ КВАНТОВОГО ВЫХОДА InGaN/Si–СВЕТОДИОДОВ ОТ ПЛОТНОСТИ ТОКА Аннотация  PDF (Rus)  похожие документы
О. И. Рабинович, В. П. Сушков
"... Исследован эффект уменьшения квантового выхода InGaN светоизлучающих диодов при увеличении ..."
 
№ 2 (2012) ИССЛЕДОВАНИЕ СВОЙСТВ КРУПНОГАБАРИТНЫХ МОНОКРИСТАЛЛОВ АНТИМОНИДА ИНДИЯ, ВЫРАЩЕННЫХ МЕТОДОМ ЧОХРАЛЬСКОГО В КРИСТАЛЛОГРАФИЧЕСКОМ НАПРАВЛЕНИИ [100] Аннотация  PDF (Rus)  похожие документы
В. С. Ежлов, А. Г. Мильвидская, Е. В. Молодцова, Г. П. Колчина, М. В. Меженный, В. Я. Резник
"... Investigation on the properties of large [100]−oriented InSb single crystals grown by Czoсhralski ..."
 
№ 1 (2014) РЕШЕНИЕ МЕЖДУНАРОДНОГО СИМПОЗИУМА «ФИЗИКА КРИСТАЛЛОВ 2013», ПОСВЯЩЕННОГО 100-ЛЕТИЮ СО ДНЯ РОЖДЕНИЯ ПРОФЕССОРА М. П. ШАСКОЛЬСКОЙ Аннотация  PDF (Rus)  похожие документы
статья Редакционная
 
№ 1 (2014) О ГРАНИЧНЫХ ПРОЦЕССАХ В МЕЖФАЗНОЙ ОБЛАСТИ ЭЛЕКТРОЛИТ—КРЕМНИЙ ПРИ САМООРГАНИЗАЦИИ МОЗАИЧНОЙ СТРУКТУРЫ 3D–ОСТРОВКОВ НАНОКРИСТАЛЛИТОВ ПОРИСТОГО КРЕМНИЯ ПРИ ДЛИТЕЛЬНОМ АНОДНОМ ТРАВЛЕНИИ p–Si (100) В ЭЛЕКТРОЛИТЕ С ВНУТРЕННИМ ИСТОЧНИКОМ ТОКА Аннотация  PDF (Rus)  похожие документы
К. Б. Тыныштыкбаев, Ю. А. Рябикин, С. Ж. Токмолдин, Б. А. Ракыметов, Т. Айтмукан, Х. А. Абдуллин
"... anodic etching of p-type conductivity Si (100) (p-Si) in electrolytes with an internal power source has ..."
 
Том 18, № 1 (2015) ТЕНДЕНЦИИ РАЗВИТИЯ ЭПИТАКСИАЛЬНОЙ ТЕХНОЛОГИИ НИТРИДНЫХ СОЕДИНЕНИЙ Аннотация  PDF (Rus)  похожие документы
А. А. Арендаренко, В. А. Орешкин, Ю. Н. Свешников, И. Н. Цыпленков
"... элементной базы СВЧ−техники и силовой электроники, а также светоизлучающих диодов. Отмечено, что важнейшим ..."
 
Том 20, № 1 (2017) СИНТЕЗ СИСТЕМЫ CASNO3 : YB3+,ER3+,НО3+ И ИССЛЕДОВАНИЕ ЕЕ ЛЮМИНЕСЦЕНТНЫХ СВОЙСТВ ПРИ ИК−ВОЗБУЖДЕНИИ Аннотация  PDF (Rus)  похожие документы
У. А. Марьина, В. А. Воробьев, А. П. Марьин
"... возбуждении полупроводниковым лазерным диодом с длиной волны 960 нм. На спектрах люминесценции зафиксированы ..."
 
Том 19, № 3 (2016) Анизотропия механических свойств и механизмы упрочнения в кристаллах твердых растворов ZrO2—Y2O3 Аннотация  PDF (Rus)  похожие документы
М. А. Борик, В. Р. Боричевский, В. Т. Бублик, Т. В. Волкова, А. В. Кулебякин, Е. Е. Ломонова, Ф. О. Милович, В. А. Мызина, П. А. Рябочкина, С. В. Серяков, Н. Ю. Табачкова
"... fracture toughness has been observed in the crystal specimen cut laterally to the <100> orientation. We ..."
 
№ 4 (2012) ИССЛЕДОВАНИЕ ОДНОРОДНОСТИ ПОВЕРХНОСТНОГО СОПРОТИВЛЕНИЯ МЕТАЛЛИЧЕСКИХ ПЛЕНОК Ti, Al, Ni, Cr и Au НА КРЕМНИИ Аннотация  PDF (Rus)  похожие документы
К. Д. Ванюхин, С. П. Кобелева, Ю. А. Концевой, В. А. Курмачев, Л. А. Сейдман
"... Ti, Al, Ni, Cr and Au metal films have been deposited onto silicon (100) n−type 100 mm substrates ..."
 
№ 3 (2014) ИССЛЕДОВАНИЕ МОНОКРИСТАЛЛОВ СaМoО4 С НИЗКИМ ОСТАТОЧНЫМ ПОГЛОЩЕНИЕМ Аннотация  похожие документы
Н. С. Козлова, О. А. Бузанов, М. Б. Быкова, Е. В. Забелина, В. Н. Корноухов, А. П. Козлова, А. Г. Черных
"... Calcium molybdate enriched with the isotope 100Мо (40Ca100MoO4) is a promising material for use ..."
 
№ 4 (2012) ДИФРАКЦИОННЫЕ ИССЛЕДОВАНИЯ ФОРМИРОВАНИЯ НАНОКРИСТАЛЛОВ КРЕМНИЯ В СТРУКТУРАХ SiOx/Si С ИОННОЙ ИМПЛАНТАЦИЕЙ УГЛЕРОДА Аннотация  PDF (Rus)  похожие документы
В. А. Терехов, Д. И. Тетельбаум, И. Е. Занин, К. Н. Панков, Д. Е. Спирин, А. Н. Михайлов, А. И. Белов, А. В. Ершов
"... The films have been deposited on the silicon subtracts with the (111) and (100) orientations ..."
 
№ 3 (2013) ВЫСОКОРАЗРЕШАЮЩАЯ РЕНТГЕНОВСКАЯ ДИФРАКТОМЕТРИЯ КРИСТАЛЛОВ КРЕМНИЯ, ОБЛУЧЕННЫХ ПРОТОНАМИ Аннотация  PDF (Rus)  похожие документы
И. С. Смирнов, И. Г. Дьячкова, Е. Г. Новоселова
"... silicon crystals with a resistivity of 100 Ohm · cm. The measurements were conducted using high−definition ..."
 
Том 22, № 1 (2019) О связи протонного облучения и термической обработки монокристаллического кремния с его структурой Аннотация  PDF (Rus)  похожие документы
В. Е. Асадчиков, И. Г. Дьячкова, Д. А. Золотов, Ю. С. Кривоносов, В. Т. Бублик, А. И. Шихов
"... кристаллов кремния n-типа проводимости (ρ = 100 Ом ⋅ см) ориентацией (111) толщиной 2 мм, имплантированных ..."
 
№ 2 (2012) ИНИЦИИРОВАНИЕ ПОЛЯРИЗОВАННОГО СОСТОЯНИЯ В ТОНКИХ ПЛЕНКАХ НИОБАТА ЛИТИЯ, СИНТЕЗИРОВАННЫХ НА ИЗОЛИРОВАННЫЕ КРЕМНИЕВЫЕ ПОДЛОЖКИ Аннотация  PDF (Rus)  похожие документы
Д. А. Киселев, Р. Н. Жуков, А. С. Быков, М. Д. Малинкович, Ю. Н. Пархоменко, Е. А. Выговская
"... . A RF magnetron sputter system was used to deposit LiNbO3 thin films on (100)−oriented Si substrates ..."
 
№ 1 (2014) ФОРМИРОВАНИЕ СКВОЗНЫХ СТРУКТУР С РАЗЛИЧНОЙ ПОРИСТОСТЬЮ НА ТОЛСТЫХ ПЛАСТИНАХ МОНОКРИСТАЛЛИЧЕСКОГО КРЕМНИЯ Аннотация  PDF (Rus)  похожие документы
В. А. Юзова, Ф. Ф. Меркушев, Е. А. Ляйком
"... and an average mesoporous silica layer 5—60 microns thick with a pore diameter of 100—150 nm. The second type ..."
 
№ 3 (2012) ВЛИЯНИЕ ФОТОВОЗБУЖДЕНИЯ IN SITU НА СТРУКТУРУ НАРУШЕННОГО СЛОЯ «КРЕМНИЙ–НА–ИЗОЛЯТОРЕ» Аннотация  PDF (Rus)  похожие документы
К. Д. Щербачев, В. Т. Бублик, М. И. Воронова
"... «Silicon−on−insulator» (SOI) structures irradiated with Ar+ ions with an energy of 100 keV ..."
 
№ 4 (2012) ОСОБЕННОСТИ ПРОЦЕССОВ ФОРМИРОВАНИЯ МИКРОВКЛЮЧЕНИЙ В КРИСТАЛЛАХ МУЛЬТИКРЕМНИЯ, ВЫРАЩЕННЫХ ИЗ МЕТАЛЛУРГИЧЕСКОГО РАФИНИРОВАННОГО КРЕМНИЯ МЕТОДОМ БРИДЖМЕНА—СТОКБАРГЕРА Аннотация  PDF (Rus)  похожие документы
С. М. Пещерова, Л. А. Павлова, А. И. Непомнящих, И. А. Елисеев,, Ю. В. Сокольникова
"... to 100 micron in size in the multisilicon ingots grown at high crystallization speeds (1.5 cm/h) and low ..."
 
№ 4 (2013) ЗАВИСИМОСТЬ ДЕФОРМАЦИОННОГО СОСТОЯНИЯ ПЛЕНОК GaAs НА ВИЦИНАЛЬНЫХ ПОДЛОЖКАХ Si(001) ОТ СПОСОБА ФОРМИРОВАНИЯ ПЕРВЫХ МОНОСЛОЕВ ПРОСЛОЙКИ GaP Аннотация  PDF (Rus)  похожие документы
И. Д. Лошкарев, А. П. Василенко, Е. М. Труханов, А. В. Колесников, А. С. Ильин, М. А. Путято, Б. Р. Семягин, В. В. Преображенский
"... the <001> axis. The film relaxation degree ex- ceeds 100%, and the film is in a laterally strained state ..."
 
№ 4 (2014) РАСПРЕДЕЛЕНИЕ ЦЕНТРОВ ДИСЛОКАЦИОННОЙ ЛЮМИНЕСЦЕНЦИИ D1 В КРЕМНИИ, ПОДВЕРГНУТОМ ИМПЛАНТАЦИИ ИОНОВ Si+, И МОДЕЛЬ ФОТОЛЮМИНЕСЦЕНЦИИ Аннотация  PDF (Rus)  похожие документы
С. Н. Нагорных, В. И. Павленков, Д. И. Тетельбаум, А. Н. Михайлов, А. И. Белов, Д. С. Королев, А. Н. Шушунов, А. И. Бобров, Д. А. Павлов, Е. И. Шек
"... is observed after Si+ (100 keV, 1 ·1015 cm−2) ion implantation followed by high−temperature annealing ..."
 
1 - 25 из 32 результатов 1 2 > >> 

Советы по поиску:

  • Поиск ведется с учетом регистра (строчные и прописные буквы различаются)
  • Служебные слова (предлоги, союзы и т.п.) игнорируются
  • По умолчанию отображаются статьи, содержащие хотя бы одно слово из запроса (то есть предполагается условие OR)
  • Чтобы гарантировать, что слово содержится в статье, предварите его знаком +; например, +журнал +мембрана органелла рибосома
  • Для поиска статей, содержащих все слова из запроса, объединяйте их с помощью AND; например, клетка AND органелла
  • Исключайте слово при помощи знака - (дефис) или NOT; например. клетка -стволовая или клетка NOT стволовая
  • Для поиска точной фразы используйте кавычки; например, "бесплатные издания". Совет: используйте кавычки для поиска последовательности иероглифов; например, "中国"
  • Используйте круглые скобки для создания сложных запросов; например, архив ((журнал AND конференция) NOT диссертация)