Preview

Известия высших учебных заведений. Материалы электронной техники

Расширенный поиск

Поиск


Сортировать по:     
 
Выпуск Название
 
Том 18, № 2 (2015) ОПТИМИЗАЦИЯ УРОВНЯ ЛЕГИРОВАНИЯ КРЕМНИЯ «СОЛНЕЧНОГО» КАЧЕСТВА ДЛЯ ПОВЫШЕНИЯ ПРИГОДНОГО ОБЪЕМА СЛИТКОВ И КПД СОЛНЕЧНЫХ ЭЛЕМЕНТОВ Аннотация  PDF (Rus)  похожие документы
А. А. Бетекбаев, Б. Н. Мукашев, Л. Пеллисер, Ф. Лай, Г. Фортин, Л. Бунас, Д. М. Скаков, А. А. Павлов
"... . Optimizing of doping led to get comparable ingot yields and cell efficiencies using SoG and silicon purified ..."
 
№ 4 (2014) РАСПРЕДЕЛЕНИЕ Ge В СЛИТКЕ СПЛАВА Si0,9Ge0,1 ПРИ ВЫРАЩИВАНИИ КРИСТАЛЛА ИЗ ТОНКОГО СЛОЯ РАСПЛАВА Аннотация  PDF (Rus)  похожие документы
М. А. Гоник, A. Cröll, A. Wagner
 
№ 4 (2013) ФОРМИРОВАНИЕ И СТРУКТУРА МЕЗОПОРИСТОГО КРЕМНИЯ Аннотация  PDF (Rus)  похожие документы
Н. И. Каргин, А. О. Султанов, А. В. Бондаренко, С. В. Редько, А. С. Ионов, В. П. Бондаренко
"... . The initial substrates were single crystal silicon wafers brand IES −0,01 cut from Czochralski grown ingots ..."
 
Том 18, № 3 (2015) РАЗРАБОТКА МЕТОДИКИ ОЧИСТКИ МЕТАЛЛУРГИЧЕСКОГО КРЕМНИЯ ДО КРЕМНИЯ МАРКИ «СОЛНЕЧНЫЙ» Аннотация  PDF (Rus)  похожие документы
И. И. Марончук, И. E. Марончук, Д. Д. Саникович, И. Б. Широков
"... by recrystallization of metallurgical silicon in fusible metals, e.g. tin, and pulling of single crystal silicon ingot ..."
 
№ 4 (2012) ОСОБЕННОСТИ ПРОЦЕССОВ ФОРМИРОВАНИЯ МИКРОВКЛЮЧЕНИЙ В КРИСТАЛЛАХ МУЛЬТИКРЕМНИЯ, ВЫРАЩЕННЫХ ИЗ МЕТАЛЛУРГИЧЕСКОГО РАФИНИРОВАННОГО КРЕМНИЯ МЕТОДОМ БРИДЖМЕНА—СТОКБАРГЕРА Аннотация  PDF (Rus)  похожие документы
С. М. Пещерова, Л. А. Павлова, А. И. Непомнящих, И. А. Елисеев,, Ю. В. Сокольникова
"... of metallurgical silicon and multisilicon ingots grown under varying crystallization conditions have been analyzed ..."
 
Том 18, № 2 (2015) НАПРАВЛЕННАЯ КРИСТАЛЛИЗАЦИЯ МУЛЬТИКРИСТАЛЛИЧЕСКОГО КРЕМНИЯ В УСЛОВИЯХ ОСЛАБЛЕННОЙ КОНВЕКЦИИ РАСПЛАВА И ГАЗООБМЕНА Аннотация  PDF (Rus)  похожие документы
М. А. Гоник
"... For the first time silicon was grown by means of directional crystallization and using ..."
 
№ 4 (2014) ДИАГНОСТИКА ПРИМЕСНОГО СОСТАВА ВЫСОКОЧИСТОГО МОНОСИЛАНА ПО РЕЗУЛЬТАТАМ АНАЛИЗА КОНТРОЛЬНОГО МОНОКРИСТАЛЛА КРЕМНИЯ Аннотация  PDF (Rus)  похожие документы
В. А. Гавва, А. В. Гусев, Т. В. Котерева
"... in silicon. The estimation technique of carbon, boron and phosphorus impurity content in high−purity ..."
 
Том 19, № 4 (2016) XI Конференция и X Школа молодых ученых и специалистов по актуальным проблемам физики, материаловедения, технологии и диагностики кремния, нанометровых структур и приборов на его основе «КРЕМНИЙ–2016» (12—15 сентября 2016 г., Новосибирск) Аннотация  PDF (Rus)  похожие документы
статья Редакционная
 
Том 19, № 4 (2016) «Кремний–2016»: ученые обсудили будущее электроники Аннотация  PDF (Rus)  похожие документы
П. Красин
 
Том 21, № 1 (2018) Геттеры в кремнии Аннотация  PDF (Rus)  похожие документы
В. А. Харченко
"... The processes of gettering of fast-diffusing metal impurities and structure defects in silicon ..."
 
Том 18, № 1 (2015) ВЛИЯНИЕ ВЫБОРА ПАРАМЕТРОВ ПЕРВОПРИНЦИПНЫХ РАСЧЕТОВ НА ПРЕДСКАЗАНИЯ ЭНЕРГЕТИКИ ТОЧЕЧНЫХ ДЕФЕКТОВ В КРЕМНИИ Аннотация  PDF (Rus)  похожие документы
М. Г. Ганченкова, И. А. Супрядкина, К. К. Абгарян, Д. И. Бажанов, И. В. Мутигуллин, В. А. Бородин
"... of microstructures for use in silicon devices allows one to optimize the  conditions of their production, improve ..."
 
№ 2 (2014) КЛЕТОЧНО–АВТОМАТНАЯ МОДЕЛЬ РАЗДЕЛЕНИЯ ФАЗ ПРИ ОТЖИГЕ СЛОЕВ НЕСТЕХИОМЕТРИЧЕСКОГО ОКСИДА КРЕМНИЯ Аннотация  PDF (Rus)  похожие документы
Г. Я. Красников, Н. А. Зайцев, И. В. Матюшкин, С. В. Коробов
"... variables (x, y, z), taking on 0,1,2 , ..., 255 and corresponding to the number of atoms of silicon ..."
 
Том 18, № 1 (2015) ТЕНДЕНЦИИ РАЗВИТИЯ ЭПИТАКСИАЛЬНОЙ ТЕХНОЛОГИИ НИТРИДНЫХ СОЕДИНЕНИЙ Аннотация  PDF (Rus)  похожие документы
А. А. Арендаренко, В. А. Орешкин, Ю. Н. Свешников, И. Н. Цыпленков
"... noted that most modern technological focus is the development of nitride heterostructures on silicon ..."
 
№ 1 (2012) МОНТЕ—КАРЛО–МОДЕЛИРОВАНИЕ ПРОЦЕССА ФОРМИРОВАНИЯ НАНОКЛАСТЕРОВ КРЕМНИЯ В ДИОКСИДЕ КРЕМНИЯ Аннотация  PDF (Rus)  похожие документы
А. Н. Карпов, Е. А. Михантьев, С. В. Усенков, Н. Л. Шварц
"... The process of silicon nanocluster formation during annealing of single SiO layers and multilayer ..."
 
№ 3 (2012) ВЛИЯНИЕ ФОТОВОЗБУЖДЕНИЯ IN SITU НА СТРУКТУРУ НАРУШЕННОГО СЛОЯ «КРЕМНИЙ–НА–ИЗОЛЯТОРЕ» Аннотация  PDF (Rus)  похожие документы
К. Д. Щербачев, В. Т. Бублик, М. И. Воронова
"... «Silicon−on−insulator» (SOI) structures irradiated with Ar+ ions with an energy of 100 keV ..."
 
№ 4 (2012) НАНОРАЗМЕРНЫЙ КРЕМНИЙ, ИЗГОТОВЛЕННЫЙ С ИСПОЛЬЗОВАНИЕМ ЭЛЕКТРОЛИТА HCl : HF : C2H5OH Аннотация  PDF (Rus)  похожие документы
Ю. Н. Пархоменко, А. И. Белогорохов, А. П. Блиев, В. Г. Созанов
"... Results of experimental work with nanosized silicon (NcSi) samples which are not degraded under ..."
 
№ 4 (2012) ОСОБЕННОСТИ ПОРИСТОГО КРЕМНИЯ, ПОЛУЧЕННОГО ХИМИЧЕСКИМ ТРАВЛЕНИЕМ Аннотация  PDF (Rus)  похожие документы
Т. Ю. Белик
"... The paper describes a complex study of chemically etched porous silicon layers ..."
 
Том 18, № 3 (2015) ОСОБЕННОСТИ ЛЕГИРОВАНИЯ КРЕМНИЯ МЕТОДОМ ТЕРМОМИГРАЦИИ Аннотация  PDF (Rus)  похожие документы
В. Н. Лозовский, Л. С. Лунин, Б. М. Середин
"... of silicon) have been analyzed. We have  found  that  the  concentration range of doping for the  two ..."
 
Том 20, № 1 (2017) ИССЛЕДОВАНИЕ ПРОЦЕССОВ ПАЙКИ КРЕМНИЕВЫХ КРИСТАЛЛОВ МОЩНЫХ ТРАНЗИСТОРОВ В ИХ КОРПУСА Аннотация  PDF (Rus)  похожие документы
В. С. Аносов, Д. В. Гомзиков, М. И. Ичетовкин, Л. А. Сейдман, Р. И. Тычкин
"... −power silicon transistors manufacturing with retention of their low thermal resistance. To this end we ..."
 
Том 21, № 2 (2018) Как обеспечить постоянную концентрацию примеси по высоте слитка Аннотация  PDF (Rus)  похожие документы
Михаил Александрович Гоник, Florin Baltaretu
"... соавторами. Сказанное позволяет аналитически описать продольное распределение примеси в слитке, в частности ..."
 
Том 18, № 4 (2015) ОСОБЕННОСТИ ВЫРАЩИВАНИЯ НИЗКОДИСЛОКАЦИОННЫХ КРИСТАЛЛОВ ГЕРМАНИЯ БОЛЬШОГО ДИАМЕТРА МЕТОДОМ ЧОХРАЛЬСКОГО Аннотация  PDF (Rus)  похожие документы
О. М. Алимов, К. Е. Аношин, А. В. Наумов
"... . As a result of the analysis we have determined the thermal conditions for growth of LAB free ingots ..."
 
№ 1 (2014) О ГРАНИЧНЫХ ПРОЦЕССАХ В МЕЖФАЗНОЙ ОБЛАСТИ ЭЛЕКТРОЛИТ—КРЕМНИЙ ПРИ САМООРГАНИЗАЦИИ МОЗАИЧНОЙ СТРУКТУРЫ 3D–ОСТРОВКОВ НАНОКРИСТАЛЛИТОВ ПОРИСТОГО КРЕМНИЯ ПРИ ДЛИТЕЛЬНОМ АНОДНОМ ТРАВЛЕНИИ p–Si (100) В ЭЛЕКТРОЛИТЕ С ВНУТРЕННИМ ИСТОЧНИКОМ ТОКА Аннотация  PDF (Rus)  похожие документы
К. Б. Тыныштыкбаев, Ю. А. Рябикин, С. Ж. Токмолдин, Б. А. Ракыметов, Т. Айтмукан, Х. А. Абдуллин
"... The formation and self−organization of porous silicon (por-Si) surface mosaic structure at long ..."
 
№ 1 (2013) ПРИМЕНЕНИЕ МЕТОДА IN SITU РЕНТГЕНОВСКОЙ РЕФЛЕКТОМЕТРИИ ДЛЯ ОПРЕДЕЛЕНИЯ ПАРАМЕТРОВ НАНОРАЗМЕРНЫХ ПЛЕНОК КРЕМНИЯ Аннотация  PDF (Rus)  похожие документы
И. С. Смирнов, Е. Г. Новоселова, А. А. Егоров, И. С. Монахов
"... on silicon substrates are presented. ..."
 
№ 2 (2013) ВЛИЯНИЕ ОБРАБОТКИ ПОВЕРХНОСТИ ПОРИСТОГО КРЕМНИЯ В РАСТВОРЕ ПОЛИАКРИЛОВОЙ КИСЛОТЫ НА ЕГО ФОТОЛЮМИНЕСЦЕНТНЫЕ СВОЙСТВА Аннотация  PDF (Rus)  похожие документы
В. М. Кашкаров, А. С. Леньшин, П. В. Середин, Д. А. Минаков, Б. Л. Агапов, В. Н. Ципенюк
"... Porous silicon (por-Si) has a unique set of physic−chemical properties of characteristics — well ..."
 
№ 2 (2012) МЕХАНИЗМЫ ЭЛЕКТРОПРОВОДНОСТИ КРЕМНИЙ–УГЛЕРОДНЫХ НАНОКОМПОЗИТОВ С НАНОРАЗМЕРНЫМИ ВКЛЮЧЕНИЯМИ ВОЛЬФРАМА В ИНТЕРВАЛЕ ТЕМПЕРАТУР 20—200 °С Аннотация  PDF (Rus)  похожие документы
И. М. Анфимов, С. П. Кобелева, М. Д. Малинкович, И. В. Щемеров, О. В. Торопова, Ю. Н. Пархоменко
"... Temperature dependance of the resistivity of carbon−silicon 1 mkm film containing nanocise ..."
 
1 - 25 из 100 результатов 1 2 3 4 > >> 

Советы по поиску:

  • Поиск ведется с учетом регистра (строчные и прописные буквы различаются)
  • Служебные слова (предлоги, союзы и т.п.) игнорируются
  • По умолчанию отображаются статьи, содержащие хотя бы одно слово из запроса (то есть предполагается условие OR)
  • Чтобы гарантировать, что слово содержится в статье, предварите его знаком +; например, +журнал +мембрана органелла рибосома
  • Для поиска статей, содержащих все слова из запроса, объединяйте их с помощью AND; например, клетка AND органелла
  • Исключайте слово при помощи знака - (дефис) или NOT; например. клетка -стволовая или клетка NOT стволовая
  • Для поиска точной фразы используйте кавычки; например, "бесплатные издания". Совет: используйте кавычки для поиска последовательности иероглифов; например, "中国"
  • Используйте круглые скобки для создания сложных запросов; например, архив ((журнал AND конференция) NOT диссертация)