Поиск


Сортировать по:     
 
Выпуск Название
 
Том 18, № 3 (2015) РАЗРАБОТКА МЕТОДИКИ ОЧИСТКИ МЕТАЛЛУРГИЧЕСКОГО КРЕМНИЯ ДО КРЕМНИЯ МАРКИ «СОЛНЕЧНЫЙ» Аннотация  PDF (Rus)  похожие документы
И. И. Марончук, И. E. Марончук, Д. Д. Саникович, И. Б. Широков
"... by recrystallization of metallurgical silicon in fusible metals, e.g. tin, and pulling of single crystal silicon ingot ..."
 
Том 18, № 3 (2015) ОСОБЕННОСТИ ЛЕГИРОВАНИЯ КРЕМНИЯ МЕТОДОМ ТЕРМОМИГРАЦИИ Аннотация  PDF (Rus)  похожие документы
В. Н. Лозовский, Л. С. Лунин, Б. М. Середин
"... of silicon) have been analyzed. We have  found  that  the  concentration range of doping for the  two ..."
 
№ 1 (2012) ИССЛЕДОВАНИЕ ФАЗОВОГО СОСТАВА В ОБРАЗЦАХ НАНОКОМПОЗИТА por–Si/SnOx, ПОДВЕРЖЕННЫХ ТЕРМИЧЕСКОМУ ОКИСЛЕНИЮ, МЕТОДОМ РЕНТГЕНОВСКОЙ ФОТОЭЛЕКТРОННОЙ СПЕКТРОСКОПИИ Аннотация  PDF (Rus)  похожие документы
В. В. Болотов, С. Н. Несов, П. М. Корусенко, С. Н. Поворознюк
"... of tin and the stoichiometric coefficient x of the SnOx compound. However, annealing at 600 °C leads ..."
 
№ 4 (2012) ОСОБЕННОСТИ ФОРМИРОВАНИЯ ПОРИСТЫХ СТРУКТУР НА ОСНОВЕ ДИОКСИДА КРЕМНИЯ И ОКСИДОВ МЕТАЛЛОВ ЗОЛЬ–ГЕЛЬ–МЕТОДАМИ Аннотация  похожие документы
В. С. Левицкий, А. С. Леньшин, А. И. Максимов, Е. В. Мараева, В. А. Мошников
"... The formation of porous structures in sol−gel systems based on silicon oxide and metal oxides, i ..."
 
№ 2 (2013) ТЕХНОЛОГИЧЕСКИЕ ОСОБЕННОСТИ ФОРМИРОВАНИЯ ПРОЗРАЧНЫХ ПРОВОДЯЩИХ КОНТАКТОВ ИЗ ПЛЕНКИ ITO ДЛЯ СВЕТОДИОДОВ НА ОСНОВЕ НИТРИДА ГАЛЛИЯ Аннотация  PDF (Rus)  похожие документы
К. Д. Ванюхин, Р. В. Захарченко, Н. И. Каргин, Л. А. Сейдман
"... . Indium tin oxide coatings properties were researching as a function of the deposition atmosphere ..."
 
№ 1 (2014) ИЗУЧЕНИЕ ОСТРОВКОВЫХ ПЛЕНОК ДИСЕЛЕНИДА ОЛОВА Аннотация  PDF (Rus)  похожие документы
О. И. Рабинович, А. Р. Кушхов, Д. С. Гаев
"... окисленной поверхности кремния с выращенными на ней островками диселенида олова: а, б — топография ..."
 
Том 19, № 4 (2016) XI Конференция и X Школа молодых ученых и специалистов по актуальным проблемам физики, материаловедения, технологии и диагностики кремния, нанометровых структур и приборов на его основе «КРЕМНИЙ–2016» (12—15 сентября 2016 г., Новосибирск) Аннотация  PDF (Rus)  похожие документы
статья Редакционная
 
№ 4 (2012) НАНОРАЗМЕРНЫЙ КРЕМНИЙ, ИЗГОТОВЛЕННЫЙ С ИСПОЛЬЗОВАНИЕМ ЭЛЕКТРОЛИТА HCl : HF : C2H5OH Аннотация  PDF (Rus)  похожие документы
Ю. Н. Пархоменко, А. И. Белогорохов, А. П. Блиев, В. Г. Созанов
"... Results of experimental work with nanosized silicon (NcSi) samples which are not degraded under ..."
 
Том 18, № 2 (2015) ОПТИМИЗАЦИЯ УРОВНЯ ЛЕГИРОВАНИЯ КРЕМНИЯ «СОЛНЕЧНОГО» КАЧЕСТВА ДЛЯ ПОВЫШЕНИЯ ПРИГОДНОГО ОБЪЕМА СЛИТКОВ И КПД СОЛНЕЧНЫХ ЭЛЕМЕНТОВ Аннотация  PDF (Rus)  похожие документы
А. А. Бетекбаев, Б. Н. Мукашев, Л. Пеллисер, Ф. Лай, Г. Фортин, Л. Бунас, Д. М. Скаков, А. А. Павлов
"... as it requires much less energy for purification compared to Silicon grades using gas transformation ..."
 
№ 4 (2014) ПЕРСПЕКТИВЫ РЫНКА ПОЛИКРИСТАЛЛИЧЕСКОГО КРЕМНИЯ Аннотация  PDF (Rus)  похожие документы
А. В. Некрасов, А. В. Наумов
"... XinJiang Silicon, LDK, Daqo New Energy, Tokuyama and SunEdison (ex−MEMC) — have a total production capacity ..."
 
Том 21, № 1 (2018) Геттеры в кремнии Аннотация  PDF (Rus)  похожие документы
В. А. Харченко
"... The processes of gettering of fast-diffusing metal impurities and structure defects in silicon ..."
 
№ 4 (2014) ФОТОЧУВСТВИТЕЛЬНЫЕ ГЕТЕРОСТРУКТУРЫ НА ОСНОВЕ ПОРИСТОГО НАНОКРИСТАЛЛИЧЕСКОГО КРЕМНИЯ Аннотация  PDF (Rus)  похожие документы
Н. В. Латухина, А. С. Рогожин, С. Сайед, В. И. Чепурнов
"... of the silicon photosensitive structures have been represented. The structures included layers of the silicon ..."
 
№ 1 (2012) НАБЛЮДЕНИЕ ОСОБЕННОСТЕЙ ФАЗОВЫХ ПЕРЕХОДОВ В КРЕМНИИ ПРИ ВЫСОКОМ ЛОКАЛЬНОМ ДАВЛЕНИИ В УСЛОВИЯХ ИНДЕНТИРОВАНИЯ Аннотация  PDF (Rus)  похожие документы
С. В. Прокудин, А. С. Усеинов
"... in crystalline materials such as silicon.In the present work silicon samples with different crystallographic ..."
 
Том 18, № 3 (2015) ФОРМИРОВАНИЕ ТРЕХМЕРНЫХ СТРУКТУР В ПОДЛОЖКАХ КАРБИДА КРЕМНИЯ ПЛАЗМОХИМИЧЕСКИМ ТРАВЛЕНИЕМ Аннотация  PDF (Rus)  похожие документы
Л. А. Сейдман
"... in silicon carbide substrates. The technological solution of these problems ion−stimulation plasmochemistry ..."
 
Том 18, № 2 (2015) НАПРАВЛЕННАЯ КРИСТАЛЛИЗАЦИЯ МУЛЬТИКРИСТАЛЛИЧЕСКОГО КРЕМНИЯ В УСЛОВИЯХ ОСЛАБЛЕННОЙ КОНВЕКЦИИ РАСПЛАВА И ГАЗООБМЕНА Аннотация  PDF (Rus)  похожие документы
М. А. Гоник
"... For the first time silicon was grown by means of directional crystallization and using ..."
 
№ 4 (2013) ФОРМИРОВАНИЕ И СТРУКТУРА МЕЗОПОРИСТОГО КРЕМНИЯ Аннотация  PDF (Rus)  похожие документы
Н. И. Каргин, А. О. Султанов, А. В. Бондаренко, С. В. Редько, А. С. Ионов, В. П. Бондаренко
"... silicon layers synthesized by electrochemical anodic treatment in an electrolyte based on a 12 % aqueous ..."
 
№ 4 (2012) ОСОБЕННОСТИ ПОРИСТОГО КРЕМНИЯ, ПОЛУЧЕННОГО ХИМИЧЕСКИМ ТРАВЛЕНИЕМ Аннотация  PDF (Rus)  похожие документы
Т. Ю. Белик
"... The paper describes a complex study of chemically etched porous silicon layers ..."
 
№ 1 (2012) МОНТЕ—КАРЛО–МОДЕЛИРОВАНИЕ ПРОЦЕССА ФОРМИРОВАНИЯ НАНОКЛАСТЕРОВ КРЕМНИЯ В ДИОКСИДЕ КРЕМНИЯ Аннотация  PDF (Rus)  похожие документы
А. Н. Карпов, Е. А. Михантьев, С. В. Усенков, Н. Л. Шварц
"... The process of silicon nanocluster formation during annealing of single SiO layers and multilayer ..."
 
№ 4 (2014) РАСПРЕДЕЛЕНИЕ ЦЕНТРОВ ДИСЛОКАЦИОННОЙ ЛЮМИНЕСЦЕНЦИИ D1 В КРЕМНИИ, ПОДВЕРГНУТОМ ИМПЛАНТАЦИИ ИОНОВ Si+, И МОДЕЛЬ ФОТОЛЮМИНЕСЦЕНЦИИ Аннотация  PDF (Rus)  похожие документы
С. Н. Нагорных, В. И. Павленков, Д. И. Тетельбаум, А. Н. Михайлов, А. И. Белов, Д. С. Королев, А. Н. Шушунов, А. И. Бобров, Д. А. Павлов, Е. И. Шек
"... Using step−by−step removal of silicon layers, in which dislocation−related photoluminescence ..."
 
№ 4 (2014) ДИАГНОСТИКА ПРИМЕСНОГО СОСТАВА ВЫСОКОЧИСТОГО МОНОСИЛАНА ПО РЕЗУЛЬТАТАМ АНАЛИЗА КОНТРОЛЬНОГО МОНОКРИСТАЛЛА КРЕМНИЯ Аннотация  PDF (Rus)  похожие документы
В. А. Гавва, А. В. Гусев, Т. В. Котерева
"... in silicon. The estimation technique of carbon, boron and phosphorus impurity content in high−purity ..."
 
№ 2 (2013) ИССЛЕДОВАНИЕ МОРФОЛОГИИ И СТРУКТУРЫ ТОНКИХ ПЛЕНОК 3C–SiC НА КРЕМНИИ МЕТОДАМИ ЭЛЕКТРОННОЙ МИКРОСКОПИИ И РЕНТГЕНОВСКОЙ ДИФРАКТОМЕТРИИ Аннотация  PDF (Rus)  похожие документы
А. С. Гусев, С. М. Рындя, А. В. Зенкевич, Н. И. Каргин, Д. В. Аверьянов, М. М. Грехов
"... Silicon carbide thin epilayers were grown on Si substrates by pulsed laser ablation of ceramic ..."
 
№ 1 (2014) О ГРАНИЧНЫХ ПРОЦЕССАХ В МЕЖФАЗНОЙ ОБЛАСТИ ЭЛЕКТРОЛИТ—КРЕМНИЙ ПРИ САМООРГАНИЗАЦИИ МОЗАИЧНОЙ СТРУКТУРЫ 3D–ОСТРОВКОВ НАНОКРИСТАЛЛИТОВ ПОРИСТОГО КРЕМНИЯ ПРИ ДЛИТЕЛЬНОМ АНОДНОМ ТРАВЛЕНИИ p–Si (100) В ЭЛЕКТРОЛИТЕ С ВНУТРЕННИМ ИСТОЧНИКОМ ТОКА Аннотация  PDF (Rus)  похожие документы
К. Б. Тыныштыкбаев, Ю. А. Рябикин, С. Ж. Токмолдин, Б. А. Ракыметов, Т. Айтмукан, Х. А. Абдуллин
"... The formation and self−organization of porous silicon (por-Si) surface mosaic structure at long ..."
 
№ 1 (2013) ПРИМЕНЕНИЕ МЕТОДА IN SITU РЕНТГЕНОВСКОЙ РЕФЛЕКТОМЕТРИИ ДЛЯ ОПРЕДЕЛЕНИЯ ПАРАМЕТРОВ НАНОРАЗМЕРНЫХ ПЛЕНОК КРЕМНИЯ Аннотация  PDF (Rus)  похожие документы
И. С. Смирнов, Е. Г. Новоселова, А. А. Егоров, И. С. Монахов
"... on silicon substrates are presented. ..."
 
№ 3 (2012) ВЛИЯНИЕ ФОТОВОЗБУЖДЕНИЯ IN SITU НА СТРУКТУРУ НАРУШЕННОГО СЛОЯ «КРЕМНИЙ–НА–ИЗОЛЯТОРЕ» Аннотация  PDF (Rus)  похожие документы
К. Д. Щербачев, В. Т. Бублик, М. И. Воронова
"... «Silicon−on−insulator» (SOI) structures irradiated with Ar+ ions with an energy of 100 keV ..."
 
1 - 25 из 129 результатов 1 2 3 4 5 6 > >> 

Советы по поиску:

  • Поиск ведется с учетом регистра (строчные и прописные буквы различаются)
  • Служебные слова (предлоги, союзы и т.п.) игнорируются
  • По умолчанию отображаются статьи, содержащие хотя бы одно слово из запроса (то есть предполагается условие OR)
  • Чтобы гарантировать, что слово содержится в статье, предварите его знаком +; например, +журнал +мембрана органелла рибосома
  • Для поиска статей, содержащих все слова из запроса, объединяйте их с помощью AND; например, клетка AND органелла
  • Исключайте слово при помощи знака - (дефис) или NOT; например. клетка -стволовая или клетка NOT стволовая
  • Для поиска точной фразы используйте кавычки; например, "бесплатные издания". Совет: используйте кавычки для поиска последовательности иероглифов; например, "中国"
  • Используйте круглые скобки для создания сложных запросов; например, архив ((журнал AND конференция) NOT диссертация)