ИЗМЕНЕНИЕ СТРУКТУРЫ ПРИКОНТАКТНОЙ ОБЛАСТИ ТЕРМОЭЛЕКТРИЧЕСКИХ МАТЕРИАЛОВ НА ОСНОВЕ ТЕЛЛУРИДА ВИСМУТА ПРИ ПОВЫШЕННЫХ ТЕМПЕРАТУРАХ


https://doi.org/10.17073/1609-3577-2012-2-17-20

Полный текст:


Аннотация

Выявлены разрушения термоэлектрического материала на основе теллурида висмута под воздействием высоких температур, что препятствует при-менению этих материалов для прямого преобразования тепловой энергии в электрическую. Предложены механизмы про-текающих процессов. Показано, что промышленная технология электроискровой резки материа-ла приводит к возникновению нарушенного слоя, который при последующей пайке термоэлементов способствует проникновению припоя в объем термоэлектрического материала.


Об авторах

В. Т. Бублик
ФГAОУ ВПО «Национальный исследовательский технологический университет «МИСиС»
Россия

доктор физ.−мат. наук, профессор, ФГАОУ ВПО «Национальный исследовательский технологический университет «МИСиС», 119049, г. Москва, Ленинский просп., д. 4.



А. И. Воронин
ФГAОУ ВПО «Национальный исследовательский технологический университет «МИСиС»
Россия

аспирант, ФГАОУ ВПО «Национальный исследовательский технологический университет «МИСиС», 119049, г. Москва, Ленинский просп., д. 4.



В. Ф. Пономарев
ООО «НПО «Кристалл»
Россия

руководитель проектной группы, ООО НПО «Кристалл», 141060, Московская область, г. Королев, ул. Станционная, д. 45−Б.



Н. Ю. Табачкова
ФГAОУ ВПО «Национальный исследовательский технологический университет «МИСиС»
Россия

кандидат физ.−мат. наук, старший научный сотрудник, ФГАОУ ВПО «Национальный исследовательский технологический университет «МИСиС», 119049, г. Москва, Ленинский просп.,д. 4.



Список литературы

1. Zebarjadi, M. Perspectives on thermoelectrics: from fundamentals to device applications / M. Zebarjadi, K. Esfarjani, M. S. Dresselhaus, Z. F. Ren, G. Chen // Energy and Environmental Sci. − 2012. − N 5.

2. Castillo, E. E. Thermoelectric characterization by transient Harman method under nonideal contact and boundary conditions / E. E. Castillo, C. L. Hapenciuc, T. Borca−Tasciuc // Rev. Sci. Instrum. − 2010. − V. 81.

3. Keawprak, N. Thermoelectric properties of Bi(2)Se(x)Te(3−x)prepared by Bridgman method / N. Keawprak, S. Lao−Ubol, C. Eamchotchawalit, Z. M. Sun // J. Alloys and Compounds. − 2011. − V. 509. − P. 9296—9301.

4. Бублик, В. Т. Влияние условий выращивания слитков твердых растворов Bi2Te2,7Se0,3 на анизотропию физических свойств / В. Т. Бублик, А. И. Воронин, Е. А. Выговская, В. Ф. Пономарев, Н. Ю. Табачкова, О. В. Торопова // Изв. вузов. Материалы электрон. техники. − 2010. − № 1. − С. 50—54.

5. Voronin, A. I . Structure of profiled crystals based on solid solutions of Bi2Te3 and their X−ray diagnostics. / A. I. Voronin, V. T. Bublik, N. Yu. Tabachkova, Yu. M. Belov // J. Electronic Mater. − 2011. − V. 40. − Р. 794.

6. Бублик, В. Т. Использование анализа текстуры в крупнозернистых пластинах халькогенидов Bi и Sb для определения формы фронта кристаллизации и глубины нарушенных поверхностных слоев / Ю. М. Белов, В. Т. Бублик, А. И. Воронин, Е. А. Выговская, В. Ф. Пономарев, Н. Ю. Табачкова, О. В. Торопова // Заводская лаборатория. Диагностика материалов. − 2009. − № 5. − С. 28—31.


Дополнительные файлы

Для цитирования: Бублик В.Т., Воронин А.И., Пономарев В.Ф., Табачкова Н.Ю. ИЗМЕНЕНИЕ СТРУКТУРЫ ПРИКОНТАКТНОЙ ОБЛАСТИ ТЕРМОЭЛЕКТРИЧЕСКИХ МАТЕРИАЛОВ НА ОСНОВЕ ТЕЛЛУРИДА ВИСМУТА ПРИ ПОВЫШЕННЫХ ТЕМПЕРАТУРАХ. Известия высших учебных заведений. Материалы электронной техники. 2012;(2):17-20. https://doi.org/10.17073/1609-3577-2012-2-17-20

For citation: Bublik V.T., Voronin A.I., Ponomarev V.F., Tabachkova N.Y. CHANGING OF THE STRUCTURE OF THE CONTACT REGION OF THERMOELECTRIC MATERIALS ON THE BASIS OF BISMUTH TELLURIDE AT ELEVATED TEMPERATURES. Izvestiya Vysshikh Uchebnykh Zavedenii. Materialy Elektronnoi Tekhniki = Materials of Electronics Engineering. 2012;(2):17-20. (In Russ.) https://doi.org/10.17073/1609-3577-2012-2-17-20

Просмотров: 278

Обратные ссылки

  • Обратные ссылки не определены.


Creative Commons License
Контент доступен под лицензией Creative Commons Attribution 4.0 License.


ISSN 1609-3577 (Print)
ISSN 2413-6387 (Online)