В обзоре изложены основные достижения в области формирования бидоменной структуры и приповерхностных инверсных доменов в кристаллах одноосных сегнетоэлектриков ниобата лития и танталата лития. Проведен анализ методов формирования бидоменной структуры, кратко описаны способы контроля доменной структуры в кристаллах. Приведены основные физические модели, предложенные в литературе для объяснения эффекта образования инверсных доменов. Кратко перечислены способы выбора кристаллографического среза для создания устройств, в которых используются бидоменные кристаллы. Приведены примеры реализации устройств на основе бидоменных кристаллов – актюаторов, сенсоров, акустических преобразователей, систем сбора бросовой энергии.

Разработана теоретическая модель, позволяющая определять концентрацию свободных электронов в n-GaAs по характеристическим точкам на спектрах отражения в дальней инфракрасной области. Показано что при этом необходимо учитывать плазмон-фононное взаимодействие (в противном случае значение концентрации электронов оказывается завышенным). Получена расчётная зависимость концентрации электронов, N_опт . от характеристического волнового числа, n₊, которая описывается полиномом второй степени.

На двадцати пяти образцах арсенида галлия, легированных теллуром, проведены измерения концентрации электронов двумя способами: по традиционной четырёхконтактной холловской методике (метод Ван дер Пау) и с помощью разработанного нами оптического метода (измерения проводились при комнатной температуре. По результатам экспериментов построена зависимость значений концентрации электронов, полученных из холловских данных, N_холл , от значений концентрации электронов, полученных оптическим методом N_опт. Показано, что эта зависимость описывается линейной функцией. Установлено, что данные оптических и электрофизических измерений совпадают, если концентрация электронов равна  N_равн = 1.07 ´10¹⁸ см^-3. При меньших значениях холловской концентрации N_холл < N_опт , а при больших - N_холл > N_опт.

Предложена качественная модель, объясняющая полученные результаты. Высказано предположение, что атомы теллура связываются с вакансиями мышьяка в комплексы, вследствие чего концентрация электронов  уменьшается. На поверхности кристалла концентрация вакансий мышьяка меньше и, следовательно, должно выполняться условие  N_опт > N_холл. По мере увеличения уровня легирования всё больше атомов теллура остаётся электрически активными, поэтому концентрация электронов в объёме начинает превалировать над поверхностной концентрацией. Однако при дальнейшем увеличении уровня легирования отношение N_холл / N_опт опять убывает, стремясь к единице. Это, по-видимому, связано с тем, что интенсивность распада комплексов «атом теллура + вакансия мышьяка» при увеличении уровня легирования уменьшается.

Изучено влияние термоциклирующих отжигов на степень кислородного упорядочения (параметр порядка) в монокристаллах YBa₂Cu₃O_7-d. Установлено, что увеличение значений критической температуры начала перехода в сверхпроводящее состояние при этапных отжигах согласуется с уменьшениями параметра s_с/s_аb, что указывает на перераспределение электронной плотности между структурно–неоднородными плоскостями Cu2O₂ и Cu1O_1–d за счет формирования длинноцепочечного упорядочения кислорода в линейных группах O4-Cu1-O4 вдоль кристаллоструктурной оси (b) элементарной ячейки, и устранению кислородных дефектов в квадратных сетках плоскостей Cu(2)O₂. Доказано, что существует критическая величина анизотропии электропроводности s_с/s_аb, ниже которой ее поведение не коррелирует с изменением Т_с. В этом случае увеличение Т_с и орторомбического искажения кристаллической структуры при изотермических отжигах является результатом усиления «межслойного» взаимодействия между плоскостями Cu(2)О₂ и Cu(1)О_1–d. В результате увеличивается вклад в электронную плотность состояния на уровне Ферми цепочечных слоев Cu(1)О_1–d, которые могут быть сверхпроводящими за счет туннелирования куперовских пар из плоскостей Cu2О₂, формируя в них наведенную сверхпроводимость.

Экономическая целесообразность применения алюминия в качестве проводникового материала объясняется благоприятным соотношением его стоимости и стоимости меди. Немаловажным является и то, что стоимость алюминия в течение многих лет практически не меняется.

При использовании проводниковых алюминиевых сплавов для изготовления тонкой проволоки, обмоточного провода и т.д. могут возникнуть определённые сложности в связи с их недостаточной прочностью и малым числом перегибов до разрушения. В последние годы разработаны алюминиевые сплавы, которые даже в мягком состоянии обладают прочностными характеристиками, позволяющими использовать их в качестве проводникового материала.

Одним из перспективных направлений использования алюминия является электротехническая промышленность. Проводниковые алюминиевые сплавы типа E-AlMgSi (алдрей) являются представителями данной группы сплавов. В работе представлены результаты исследования температурной зависимости теплоемкости, коэффициента теплоотдачи и термодинамических функции алюминиевого сплава E-AlMgSi (алдрей) с висмутом. Исследования проведены в режиме «охлаждения».

Показано, что от температуры теплоемкость и изменений термодинамический функции сплава E-AlMgSi (“алдрей”) с висмутом увеличиваются, а значение энергия Гиббса уменьшается. Добавки висмута до 1мас.% уменьшают теплоемкость, коэффициент теплоотдачи, энтальпию и энтропию исходного сплава и увеличивают величину энергии Гиббса.

В статье представлен обзор известных люминесцентных материалов на основе галлата кальция CaGa₂O_4, излучающих в видимой и инфракрасной (ИК) области спектра. ИК-люминофоры исследованы мало, но их практическое применение представляет интерес. Твердофазным методом получены образцы CaGa₂O₄, активированные редкоземельными ионами Yb³⁺. Исследованы структурные и люминесцентные свойства состава CaGa₂O₄:Yb³⁺. При возбуждении CaGa₂O₄:Yb³⁺ излучением с длиной волны 940 и 980 нм зарегистрирована люминесценция в диапазоне 980-1100 нм. На основании данных о строении электронных уровней в ионах Yb³⁺ сделан вывод том, что возбуждение и излучение происходит непосредственно в ионах Yb³⁺ при пассивном участии решетки основания. В спектрах люминесценции имеется три максимума на длинах волн: 993 нм, 1025 нм, 1080 нм. Излучение в этих полосах обусловлено оптическими переходами электронов из возбужденного в основное состояние в ионах Yb³⁺. Изучена зависимость интенсивности люминесценции в полосе 993 нм от концентрации ионов активатора Yb³⁺. Установлено, что введение в состав люминофора ионов Na⁺ повышает интенсивность ИК-люминесценции. Предложен оптимальный состав люминофора (Ca_1‑x‑yYb_xNa_y)Ga₂O₄, при котором интенсивность люминесценции в полосе 993 нм максимальна.