Исследованы особенности протекания токов в образцах полярных срезов модельного кристалла α-LiIO₃ с различными материалами токопроводящих покрытий при использовании различных схем измерения под действием внешнего электрического поля. В качестве материалов токопроводящих покрытий выбраны индий (In) и серебро (Ag). Для индиевых токопроводящих покрытий использовали индиевую фольгу, а для серебряных токопроводящих покрытий на кристалл наносили серебряную пасту. Измерения проводились в температурном диапазоне от 20 до 210 °С при линейном нагреве со скоростью не более 3 К/мин с приложением постоянного электрического поля 100 В на аппаратном комплексе «СКИП» со специализированным программным обеспечением «ИТКЗ-1.0», разработанным в аккредитованной Межкафедральной учебно-испытательной лаборатории полупроводниковых материалов и диэлектриков «Монокристаллы и заготовки на их основе» (МУИЛ ППМиД) НИТУ МИСИС. Исследуемые образцы предварительно не подвергались каким-либо стимулирующим внешним воздействиями. Получены графики температурных зависимостей токов в образцах с различными материалами токопроводящих покрытий и при использовании различных схем измерений. Установлено влияние материала токопроводящих покрытий, а также полярности установки образца в кристаллодержателе на величину и направление протекания токов. В образцах с токопроводящими In-покрытиями воздействие внешнего поля усиливает токи, возникающие в кристалле, а в образцах с токопроводящими Ag-покрытиями воздействие поля ослабляет их величины. Во время нагрева и охлаждения токи неоднократно меняют свое направление. Полученные результаты демонстрируют сложный характер взаимодействия между материалами токопроводящих покрытий с поверхностями образцов при приложении электрического поля и повышении температуры.

На медицинском ускорителе «Прометеус» при энергии 30 МэВ был сконструирован смешанный вторичный пучок замедленных нейтронов и сканирующий пучок протонов для облучения опухоли в комбинированном режиме сканирующими протонами  и замедленными нейтронами. Пучок замедленных эпитепловых нейтронов  получают с помощью компактного источника нейтронов комбинированного (КИНК).  Конструкция и характеристики пучков на выходе установки КИНК полученные при моделировании на программе Geant 4 в варианте “малой установки”.

С помощью моделирования на программе Geant 4, сконструирован нейтронный канал и установка КИНК, выбрана наиболее эффективная бериллиевая мишень  и энергия протонного ускорителя 30 МэВ, при которой получена достаточная плотность потока нейтронов для данного вида комбинированной технологии лечения поверхностных опухолей. КИНК позволяет получить на выходе из канала пучок эпитпловых нейтронов с нужным спектром и плотностью.

Предложено усилить действие сканирующего по поверхности опухоли протонного пучка за счет дополнительного дозообразования от радиосенсибилизаторов на основе наночастиц золота.

Пленки In₂O₃:Er были осаждены на подложку кремния с помощью высокочастотного (ВЧ) магнетронного распыления-осаждения. В результате осаждения формируется твердый раствор ((In_1-xEr_x)₂O₃). В исследуемой гетероструктуре — подложка-n-Si/пленка-In₂O₃:Er/контакт-ITO — при пропускании тока наблюдалась электролюминесценция эрбия на длине волны 1,534 мкм. Предложен следующий механизм возбуждения атомов эрбия с помощью рекомбинации электрон-дырочных пар, когда электрон находится в зоне проводимости оксида индия, а дырка в проводящем канале, обусловленном дефектными состояниями, в центре запрещенной зоны. Поэтому энергия электрон-дырочных пар меньше ширины запрещенной зоны оксида индия и составляет 1,56 эВ. Тогда, при рекомбинации электрон-дырочных пар, сначала резонансно возбуждается третье возбужденное состояние иона Er^{3+ 4}I_9/2 (1,53 эВ). Затем происходит безизлучательная релаксация к первому возбужденному состоянию ⁴I_13/2 (0,81 эВ) и далее переход в основное состояние ⁴I_15/2 с испусканием фотона на длине волны 1,534 мкм.

Алюминий и его сплавы являются одними из самых применяемых материалов при производстве технических изделий: от электрических проводов до летательных аппаратов. Разработка новых сплавов алюминия и постоянное расширение области их применения приводит к необходимости разработки единого подхода к теоретическому описанию физических свойств систем с разным числом компонентов и определению влияния металлов на характеристики сплава. Для исследования особенностей теплового поведения алюминиевых сплавов наиболее подходящими являются бинарные системы в силу малой вариантности их составов. Такими сплавами являются, в частности, антифрикционные самосмазывающиеся двухкомпонентные сплавы систем Al-Sn и Al-Zn. Кроме того, в силу существования эффекта наследования сплавом ряда характерных черт компонентов возникает потребность в расчете теплофизических свойств Al, Sn и Zn. В этой связи была проведена аппроксимация массивов экспериментальных данных по температурным зависимостям теплофизических свойств Al, Sn и Zn с использованием функций, полученных в рамках авторской квазидвухфазной модели локально-равновесной области. Особенности на полученных графиках в виде конечных скачков, пиков и ям с округлыми вершинами связаны со структурными превращениями или фазовыми переходами. Выдвинуто предположение о наличии в диапазоне температур 100-200 К ям на температурных зависимостях теплопроводностей алюминия и цинка, образующихся из-за протекания структурных превращений в указанных металлах, или из-за возникновения в них структурных неоднородностей при кристаллизации. Проведены прогностические оценки теплоемкостей сплавов Al₆₀Sn₄₀ и Al₉₅Zn₅, полученные с применением правила смешения (в химии ‒ правила получения соединения заданного состава).

В образцах поликристаллического CVD-графена на подложке Si/SiO₂ размером 5×10 мм² исследованы изменения (релаксация) зависимости поверхностной электропроводнсти σ_□(T) в интервале температур 2 ≤ T ≤ 300 К во времени. Описано наблюдаемое увеличение проводимости со временем при хранении CVD-графена как в воздушной так и гелиевой атмосферах, которое приписано удалению молекул воды с интерфейса графен/SiO₂. Показано, что после переноса синтезированного графена на слой SiO₂ подложки Si/SiO₂ зависимость его слоевой проводимости от температуры σ_□(T) описывается комбинацией двумерных квантовых поправок к формуле проводимости Друде в условиях слабой локализации и активационных механизмов. Наблюдаемое изменение поведения кривых поверхностной проводимости со времени σ_□(T,t) сопровождается снижением вклада активационного механизма до полного его исчезновения.