Preview

Известия высших учебных заведений. Материалы электронной техники

Расширенный поиск

Научный рецензируемый журнал "Известия высших учебных заведений. Материалы электронной техники"

Журнал «Известия высших учебных заведений. Материалы электронной техники» издается с 1998 г., публикует на русском языке оригинальные и обзорные (заказные) статьи и является одним из основных научно-технических журналов в области физики, материаловедения, а также развития наукоемких технологий микро- и наноэлектроники. На страницах журнала постоянно публикуются результаты научных исследований и обзоры по профильной тематике представителей ведущих научных школ России и других стран.

В состав редколлегии входят ведущие специалисты Российской Федерации в этих областях, а также ведущие зарубежные ученые, что позволяет на высоком уровне и с достаточной степенью объективности осуществлять отбор публикуемых статей по физическим и химическим проблемам современного материаловедения. Все публикуемые материалы проходят тщательную научную экспертизу, а затем утверждаются на заседаниях редколлегии журнала.

По решению ВАК Минобразования РФ журнал включен в «Перечень периодических и научно-технических изданий, выпускаемых в Российской Федерации, в которых рекомендуется публикация основных результатов диссертаций на соискание ученой степени доктора наук».

Журнал включен в полнотекстовую базу данных eLibrary.ru, индексируется в Российском индексе научного цитирования (РИНЦ), Реферативном журнале и Базе данных ВИНИТИ.

С 2013 г. опубликованным в журнале статьям присваивается DOI.

Часть статей журнала переводится на английский язык издательством Pleiades Publishing, Ltd. (Плеадес Паблишинг, Лтд) и ежегодно публикуется в «Russian Microelectronics» № 8.

Журнал «Russian Microelectronics» индексируется и реферируется в следующих базах данных: SCOPUS, INSPEC, Chemical Abstracts Service (CAS), Google Scholar, EBSCO, Academic OneFile, Academic Search, CSA Environmental Sciences, Current Contents Collections / Electronics & Telecommunications Collection, EI-Compendex, Gale, INIS Atomindex, OCLC, SCImago, Summon by ProQuest, Thomson Reuters (ISI).

Журнал зарегистрирован в Федеральной службой по надзору в сфере связи, информационных технологий и массовых коммуникаций (ПИ № ФС 77-59522 от 23.10.2014), предыдущее свидетельство № 016108 от 15.05.1997 (Минпечати РФ).

Индекс по каталогам «Пресса России» и «Урал Пресс» 47215.

Текущий выпуск

Том 24, № 1 (2021)
148
Аннотация
В настоящей работе проведен анализ новых технических решений и идей, направленных на повышение производительности процессов получения поликристаллического кремния «солнечного» и полупроводникового качества. Доминирующей технологией поликристаллического кремния остается Сименс-процесс, включающий перевод технического кремния (получаемого карботермическим восстановлением кварцитов) в трихлорсилан с последующими ректификационной очисткой и водородным восстановлением. Для снижения стоимости получаемого кремния необходимо уменьшать затраты на производство трихлорсилана путем совершенствования технологии и аппаратурного оформления. Рассмотрены преимущества, недостатки и пути снижения производственных затрат четырех известных методов получения трихлорсилана: взаимодействием хлористого водорода с техническим кремнием «direct chlorination» (DC), гомогенным гидрированием тетрахлорсилана (конверсией), реакцией тетрахлорсилана и водорода с кремнием «hydro chlorination silicon» (HC), а также взаимодействием тетрахлорсилана и дихлорслана в присутствии катализатора (реакцией перераспределения или анти-диспропорционирования). Эти методы остаются актуальными и постоянно совершенствуются. Большую роль играют каталитические процессы на поверхности кремния, понимание механизма которых позволит найти новые приложения и получить новые результаты. Отмечено, что необходимыми элементами аппаратурно-технологических схем являются рециклы и совмещенные процессы, в том числе реактивная дистилляция. Это позволяет наиболее полно использовать исходный трихлорсилан, получать полезные продукты и снижать стоимость изготавливаемого кремния.

Материаловедение и технология. Полупроводники 

137
Аннотация

Разработана теоретическая модель, позволяющая определять концентрацию свободных электронов в n-GaAs по характеристическим точкам на спектрах отражения в дальней инфракрасной области. Показано что при этом необходимо учитывать плазмон-фононное взаимодействие (в противном случае значение концентрации электронов оказывается завышенным). Получена расчётная зависимость концентрации электронов, Nопт . от характеристического волнового числа, n+, которая описывается полиномом второй степени.

На двадцати пяти образцах арсенида галлия, легированных теллуром, проведены измерения концентрации электронов двумя способами: по традиционной четырёхконтактной холловской методике (метод Ван дер Пау) и с помощью разработанного нами оптического метода (измерения проводились при комнатной температуре. По результатам экспериментов построена зависимость значений концентрации электронов, полученных из холловских данных, Nхолл , от значений концентрации электронов, полученных оптическим методом Nопт. Показано, что эта зависимость описывается линейной функцией. Установлено, что данные оптических и электрофизических измерений совпадают, если концентрация электронов равна  Nравн = 1.07 ´1018 см-3. При меньших значениях холловской концентрации Nхолл < Nопт , а при больших - Nхолл > Nопт.

Предложена качественная модель, объясняющая полученные результаты. Высказано предположение, что атомы теллура связываются с вакансиями мышьяка в комплексы, вследствие чего концентрация электронов  уменьшается. На поверхности кристалла концентрация вакансий мышьяка меньше и, следовательно, должно выполняться условие  Nопт > Nхолл. По мере увеличения уровня легирования всё больше атомов теллура остаётся электрически активными, поэтому концентрация электронов в объёме начинает превалировать над поверхностной концентрацией. Однако при дальнейшем увеличении уровня легирования отношение Nхолл / Nопт опять убывает, стремясь к единице. Это, по-видимому, связано с тем, что интенсивность распада комплексов «атом теллура + вакансия мышьяка» при увеличении уровня легирования уменьшается.

Материаловедение и технология. Диэлектрики 

103
Аннотация

Ниобат лития и танталат лития относятся к важнейшим и наиболее широко применяемым материалам в акустооптике и акустоэлектронике. Данные материалы обладают большими значениями пьезоэлектрических констант, что позволяет использовать эти материалы в качестве актюаторов, однако их использование ограничено термической неустойчивостью кристалла ниобата лития и низкой температурой Кюри (TC) кристалла танталата лития. Кристаллы LiNb(1-x)TaxO3 должны преодолеть вышеупомянутые ограничения отдельных соединений.

Выращены кристаллы LiNb0,5Ta0,5O3 методом Чохральского, хорошего качества. Проведены сравнительные исследования особенностей высокотемпературной монодоменнизации кристаллов LiNb0,5Ta0,5O3. Продемонстрированы основные отличия в технологических режимах при монодоменизации конгруэнтных кристаллов LiNb0,5Ta0,5O3 от конгруэнтных кристаллов LiNbO3. Представлены параметры высокотемпературной электродиффузионной обработки кристаллов LiNb0,5Ta0,5O3, позволяющие получать монодоменные кристаллы для дальнейшего изучения их физических свойств.

92
Аннотация

В работе проведено сравнение структуры и диэлектрических свойств образцов керамики титаната бария, спеченных при температурах 1100, 1150, 1200, 1250 и 1350 оС. Показано что поляризацию, достаточную для проявления пьезоэлектрического эффекта, имеют только образцы, спеченные при температурах 1250 и 1350 оС. У этих же образцов величина пирокоэффициента и остаточной поляризации значительно превосходит аналогичные значения для образцов, спеченных при более низких температурах. На основании проведенных исследований выбран оптимальный режим получения образцов композита титанат бария (80 объемных %) – феррит бария (20 объемных %).

Физические свойства и методы исследования 

71
Аннотация

Методом плоско-поперечного изгиба проведены измерения прочности тонких монокристаллических пластин нелегированного InSb с кристаллографической ориентацией (100). Установлено, что прочность пластин (толщиной ≤ 800 мкм) зависит от их обработки. Использование полного цикла обработки (шлифовки и химической полировки) позволяет увеличить прочность пластин InSb в 2 раза (от 3,0 до 6,4 кг/мм2). Показано, что зависимость прочности от обработки для пластин с ориентацией (100) аналогична этой зависимости для пластин (111), при этом величина прочности пластин (111) в 2 раза выше. Методом контактной профилометрии измерена шероховатость тонких пластин, также прошедших последовательные этапы обработки. Установлено, что при проведении полного цикла обработки шероховатость пластин InSb уменьшается (Ra от 0,6 до 0,04 мкм), приводя к общему выравниванию шероховатости на поверхности. Проведено сравнение прочности и шероховатости пластин (100) InSb и GaAs. Установлено, что прочность резаных пластин GaAs в 2 раза выше прочности резаных пластин InSb и незначительно увеличивается после полного цикла их обработки. Показано, что шероховатость пластин GaAs и InSb после полного цикла обработки поверхности значительно уменьшается: в 10 раз для InSb за счет общего выравнивания поверхности и в 3 раза для GaAs (Rz от 2,4 до 0,8 мкм) за счет снижения пиковой составляющей. Проведение полного цикла обработки пластин InSb позволяет повысить их прочность, удаляя нарушенные слои последовательными операциями и снижая риск развития механических повреждений.

128
Аннотация

В работе показано, что эффект зарядовой связи между затворами КНИ МОП полевых транзисторов наблюдается и в двухзатворных транзисторных магниточувствительных элементах холловского типа c толщиной пленки кремния порядка 200 нм. Определено, что в таких чувствительных элементах, функционирующих в режиме обогащения электронами вблизи интерфейсов Si-SiO2, эффект зарядовой связи позволяет повысить магнитную чувствительность.

Объявления

Еще объявления...


Creative Commons License
Контент доступен под лицензией Creative Commons Attribution 4.0 License.