CHANGING OF THE STRUCTURE OF THE CONTACT REGION OF THERMOELECTRIC MATERIALS ON THE BASIS OF BISMUTH TELLURIDE AT ELEVATED TEMPERATURES
https://doi.org/10.17073/1609-3577-2012-2-17-20
Abstract
Destruction of the thermoelectric material on the basis of bismuth telluride under high temperatures, which prevents the use of these materials for a direct conversion of thermal energy into electrical energy, are revealed. Mechanisms of the occurring process are proposed. It is shown that the industrial technology of spark cutting leads to appearance of the damaged layer, which facilitates the penetration of solder into the volume of the thermoelectric material in subsequent soldering of thermoelements.
About the Authors
V. T. Bublik
National Research University «MISiS»
Russian Federation
Russian Federation
доктор физ.−мат. наук, профессор, ФГАОУ ВПО «Национальный исследовательский технологический университет «МИСиС», 119049, г. Москва, Ленинский просп., д. 4.
A. I. Voronin
National Research University «MISiS»
Russian Federation
Russian Federation
аспирант, ФГАОУ ВПО «Национальный исследовательский технологический университет «МИСиС», 119049, г. Москва, Ленинский просп., д. 4.
V. F. Ponomarev
OOO NPO Kristall
Russian Federation
Russian Federation
руководитель проектной группы, ООО НПО «Кристалл», 141060, Московская область, г. Королев, ул. Станционная, д. 45−Б.
N. Yu. Tabachkova
National Research University «MISiS»
Russian Federation
Russian Federation
кандидат физ.−мат. наук, старший научный сотрудник, ФГАОУ ВПО «Национальный исследовательский технологический университет «МИСиС», 119049, г. Москва, Ленинский просп.,д. 4.
References
1. Zebarjadi, M. Perspectives on thermoelectrics: from fundamentals to device applications / M. Zebarjadi, K. Esfarjani, M. S. Dresselhaus, Z. F. Ren, G. Chen // Energy and Environmental Sci. − 2012. − N 5.
2. Castillo, E. E. Thermoelectric characterization by transient Harman method under nonideal contact and boundary conditions / E. E. Castillo, C. L. Hapenciuc, T. Borca−Tasciuc // Rev. Sci. Instrum. − 2010. − V. 81.
3. Keawprak, N. Thermoelectric properties of Bi(2)Se(x)Te(3−x)prepared by Bridgman method / N. Keawprak, S. Lao−Ubol, C. Eamchotchawalit, Z. M. Sun // J. Alloys and Compounds. − 2011. − V. 509. − P. 9296—9301.
4. Бублик, В. Т. Влияние условий выращивания слитков твердых растворов Bi2Te2,7Se0,3 на анизотропию физических свойств / В. Т. Бублик, А. И. Воронин, Е. А. Выговская, В. Ф. Пономарев, Н. Ю. Табачкова, О. В. Торопова // Изв. вузов. Материалы электрон. техники. − 2010. − № 1. − С. 50—54.
5. Voronin, A. I . Structure of profiled crystals based on solid solutions of Bi2Te3 and their X−ray diagnostics. / A. I. Voronin, V. T. Bublik, N. Yu. Tabachkova, Yu. M. Belov // J. Electronic Mater. − 2011. − V. 40. − Р. 794.
6. Бублик, В. Т. Использование анализа текстуры в крупнозернистых пластинах халькогенидов Bi и Sb для определения формы фронта кристаллизации и глубины нарушенных поверхностных слоев / Ю. М. Белов, В. Т. Бублик, А. И. Воронин, Е. А. Выговская, В. Ф. Пономарев, Н. Ю. Табачкова, О. В. Торопова // Заводская лаборатория. Диагностика материалов. − 2009. − № 5. − С. 28—31.
Review
For citations:
Bublik V.T., Voronin A.I., Ponomarev V.F., Tabachkova N.Yu. CHANGING OF THE STRUCTURE OF THE CONTACT REGION OF THERMOELECTRIC MATERIALS ON THE BASIS OF BISMUTH TELLURIDE AT ELEVATED TEMPERATURES. Izvestiya Vysshikh Uchebnykh Zavedenii. Materialy Elektronnoi Tekhniki = Materials of Electronics Engineering. 2012;(2):17-20. (In Russ.) https://doi.org/10.17073/1609-3577-2012-2-17-20
Views:
862
Email this article 