ТЕХНОЛОГИЧЕСКИЕ ОСОБЕННОСТИ ФОРМИРОВАНИЯ ПРОЗРАЧНЫХ ПРОВОДЯЩИХ КОНТАКТОВ ИЗ ПЛЕНКИ ITO ДЛЯ СВЕТОДИОДОВ НА ОСНОВЕ НИТРИДА ГАЛЛИЯ


https://doi.org/10.17073/1609-3577-2013-2-60-64

Полный текст:


Аннотация

Исследованы свойства пленок ITO, полученных электронно-лучевым испарением в широком диапазоне режимов: давление кислорода составляло от 5 × 10-4 до 4 × 10-2 Па, скорость испарения 0,075—0,4 нм/с. Испарение проведено из гранул размером 3—6 мм, состоящих из смеси стехиометрических оксидов индия и олова в соотношении 9 : 1. Скорость нанесения поддерживали постоянной с помощью кварцевого датчика скорости нанесения и толщины пленки. Испарение останавливалось по достижении заданной толщины пленки 200 нм. После нанесения пленки проведен отжиг образцов в течение 30 с в среде азота или воздуха при температуре 300—700 оC. Изучение свойств полученных пленок проведено с целью выбора оптимальных условий нанесения и последующего отжига. Полученные в оптимальных условиях пленки ITO были успешно использованы в структурах светодиодов в качестве прозрачных проводящих контактов в светодиодах на основе GaN.


Об авторах

К. Д. Ванюхин
ИФЯЭ НИЯУ «МИФИ»
Россия
инженер


Р. В. Захарченко
ИФЯЭ НИЯУ «МИФИ»
Россия
инженер


Н. И. Каргин
ИФЯЭ НИЯУ «МИФИ»
Россия
доктор техн. наук, профессор, начальник УРПИ


Л. А. Сейдман
ИФЯЭ НИЯУ «МИФИ»
Россия
кандидат техн. наук, старший научный сотрудник, заведующий лабораторией


Список литературы

1. Марков, Л. К. Отражающий p-контакт на основе тонких пленок ITO для флип-чип-светодиодов AlGaInN / Л. К. Марков, И. П. Смирнова, А. С. Павлюченко, Е. М. Аракчеева, М. М. Кулагина // Физика и техника полупроводников. – 2009. – Т. 43, № 11. – С. 1564—1569.

2. Смирнова, И. П. AlGaInN−светодиоды с прозрачным p-контактом на основе тонких пленок ITO. / И. П. Смирнова, Л. К. Марков, А. С. Павлюченко, М. В. Кукушкин // Там же. – 2012. – Т. 46, № 3. – С. 384—388.

3. Kow-Ming Chang. Highly reliable GaN−based light−emitting diodes formed by p-In0,1Ga0,9N–ITO structure / Kow-Ming Chang, Jiunn-Yi Chu, Chao-Chen Cheng. // IEEE Photonics Technol. Lett. – 2004. – V. 16, N 8. – P. 1807—1809.

4. Kow-Ming Chang. Investigation of indium–tin-oxide ohmic contact to p-GaN and its application to high−brightness GaN-based light-emitting diodes. / Kow-Ming Chang, Jiunn-Yi Chu, Chao-Chen Cheng // Solid State Electron. – 2005. – V. 49. – P. 1381—1386.

5. Kim, D. W. A study of transparent indium tin oxide (ITO) contact to p-GaN / D. W. Kim, Y. J. Sung, J. W. Park, G. Y. Yeom // Thin Solid Films. – 2001. – V. 398 – 399. – P. 87—92.

6. Hou Wenting. Evaluation of metal/indium-tin-oxide for transparent low-resistance contacts to p-type GaN / Wenting Hou, Ch. Stark, Shi You, Liang Zhao, Theeradetch Detchprohm, Ch. Wetzel. // Appl. Optics. – 2012. – V. 51, N 23. – P. 5596—5600.

7. Куэй, Р. Электроника на основе нитрида галлия / Р. Куэй. – М. : Техносфера, 2011. – 587 с.

8. Morgan, D. V. Annealing effects on opto-electronic properties of sputtered and thermally evaporated indium-tin-oxide films / D. V. Morgan, Y. H. Aliyu. R. W. Bunco, A. Salehi // Thin Solid Films. – 1998. – V. 312. – P. 268—272.

9. Habibi, M. H. The effect of annealing on structural, optical and electrical properties of nanostructured tin doped indium oxide thin films / M. H. Habibi, N. Talebian // Acta Chim. Slov. – 2005. – V. 52. – P. 53—59.

10. Neubert, T. Investigations on oxygen diffusion in annealing processes of non-stoichiometric amorphous indium tin oxide thin films / T. Neubert, F. Neumann, K. Schiffmann, P. Willich, A. Hangleiter // Thin Solid Films. – 2006. – V. 513. – P. 319—324.

11. Paine, D. C. A study of low temperature crystallization of amorphous thin film indium—tin—oxide / D. C. Paine, T. Whitson, D. Janiac, R. Beresford, Cleva Ow Yang, B. Lewis // J. Appl. Phys. – 1999. – V. 85, N 12. – P. 8446—8450.

12. Zhu, F. Investigation of annealing effects on indium tin oxide thin films by electron energy loss spectroscopy / F. Zhu, C. H. A. Huan, K. Zhang, A. T. S. Wee // Thin Solid Films. – 2000. V. 359. – P. 244—250.

13. Neng Wan. Indium tin oxide thin films for silicon-based electroluminescence devices prepared by electron beam evaporation method / Neng Wan, Tao Wang, Hongcheng Sun, Guran Chen, Lei Geng, Xinhui Gan, Sihua Guo, Jun Xu, Ling Xu, Kunji Chen // J. Non – Crystalline Solids. – 2010. – V. 356. – P. 911—916.

14. Sonia Alves Cardoso Diniz, A. The effects of various annealing regimes on the microstructure and physical properties of ITO (In2O3 : Sn) thin films deposited by electron beam evaporation for solar energy applications / A. Sonia Alves Cardoso Diniz // Renewable Energy. – 2011. – V. 36. – P. 1153—1165.

15. Belo, G. S. A simplified reactive thermal evaporation method for indium tin oxide electrodes / G. S. Belo, B. J. P. da Silva, E. A. de Vasconcelos, W. M. de Azevedo, E. F. da Silva Jr. // Appl. Surface Sci. – 2008. – V. 255. – P. 755—757.

16. Raoufi, D. Multifractal analysis of ITO thin films prepared by electron beam deposition method / D. Raoufi, H. R. Fallah, A. Kiasatpour, A. S. H. Rozatian // Appl. Surface Sci. – 2008. – V. 254. – P. 2168—2173.

17. George, J. Electrical and optical properties of electron beam evaporated ITO thin films / J. George, C. S. Menon // Surface and Coatings Technol. – 2000. – V. 132. – P. 45—48.


Дополнительные файлы

Для цитирования: Ванюхин К.Д., Захарченко Р.В., Каргин Н.И., Сейдман Л.А. ТЕХНОЛОГИЧЕСКИЕ ОСОБЕННОСТИ ФОРМИРОВАНИЯ ПРОЗРАЧНЫХ ПРОВОДЯЩИХ КОНТАКТОВ ИЗ ПЛЕНКИ ITO ДЛЯ СВЕТОДИОДОВ НА ОСНОВЕ НИТРИДА ГАЛЛИЯ. Известия высших учебных заведений. Материалы электронной техники. 2013;(2):60-64. https://doi.org/10.17073/1609-3577-2013-2-60-64

For citation: Vanyukhin K.D., Zakharchenko R.V., Kargin N.I., Seidman L.A. PECULIARITY OF FORMING TRANSPARENT CONDUCTING FILMS ON BASIS OF OXIDES INDIUM-TIN FOR CONTACTS ON GAN-BASED LIGHT EMITTING DIODES. Izvestiya Vysshikh Uchebnykh Zavedenii. Materialy Elektronnoi Tekhniki = Materials of Electronics Engineering. 2013;(2):60-64. (In Russ.) https://doi.org/10.17073/1609-3577-2013-2-60-64

Просмотров: 279

Обратные ссылки

  • Обратные ссылки не определены.


Creative Commons License
Контент доступен под лицензией Creative Commons Attribution 4.0 License.


ISSN 1609-3577 (Print)
ISSN 2413-6387 (Online)