ИНИЦИИРОВАНИЕ ПОЛЯРИЗОВАННОГО СОСТОЯНИЯ В ТОНКИХ ПЛЕНКАХ НИОБАТА ЛИТИЯ, СИНТЕЗИРОВАННЫХ НА ИЗОЛИРОВАННЫЕ КРЕМНИЕВЫЕ ПОДЛОЖКИ


https://doi.org/10.17073/1609-3577-2012-2-25-29

Полный текст:


Аннотация

Методом атомно−силовой микроскопии в режиме силовой микроскопии пьезоотклика и Кельвин−моде построены картины распределения индуцированного состояния и поверхностного потенциала в тонких пленках ниобата лития, полученных осаждением на оксидированную подложку Si (100) методом высокочастотного магнетронного распыления. Используя электрическое поле, прикладываемое с помощью проводящего кантилевера, показано, что возможно сформировать и затем визуализировать индуцированное состояние поляризации. Установлено, что при измерении в режиме Кельвин−моды индуцированное состояние сохраняется значительно дольше, чем в режиме силовой микроскопии пьезоотклика.


Об авторах

Д. А. Киселев
ФГAОУ ВПО «Национальный исследовательский технологический университет «МИСиС»
Россия

кандидат физ.−мат.наук, инженер кафедры материаловедения полупроводников и диэлектриков,  ФГАОУ ВПО «Национальный исследовательский технологический университет «МИСиС», 119049, г. Москва, Ленинский просп., д. 4.,



Р. Н. Жуков
ФГAОУ ВПО «Национальный исследовательский технологический университет «МИСиС»
Россия

аспирант, инженер кафедры материаловедения полупроводников и диэлектриков, ФГАОУ ВПО «Национальный исследовательский технологический университет «МИСиС», 119049, г. Москва, Ленинский просп., д. 4.



А. С. Быков
ФГAОУ ВПО «Национальный исследовательский технологический университет «МИСиС»
Россия

ФГОУ ВПО «Национальный исследовательский технологический университет «МИСиС»,119049, г. Москва, Ленинский просп., д. 4.



М. Д. Малинкович
ФГAОУ ВПО «Национальный исследовательский технологический университет «МИСиС»
Россия

кандидат физ.−мат. наук, доцент кафедры материаловедения полупроводников и диэлектриков, ФГАОУ ВПО «Национальный исследовательский технологический университет «МИСиС», 119049, г. Москва, Ленинский просп., д. 4,



Ю. Н. Пархоменко
ФГAОУ ВПО «Национальный исследовательский технологический университет «МИСиС»
Россия

доктор физ.−мат. наук, профессор, зав. кафедрой материаловедения полупроводников и диэлектриков, ФГАОУ ВПО «Национальный исследовательский технологический университет «МИСиС», 119049, г. Москва, Ленинский просп., д. 4.



Е. А. Выговская
ФГAОУ ВПО «Национальный исследовательский технологический университет «МИСиС»
Россия

кандидат физ.−мат. наук, старший научный сотрудник кафедры материаловедения полупроводников и диэлектриков, ФГАОУ ВПО «Национальный исследовательский технологический университет «МИСиС», 119049, г. Москва, Ленинский просп., д. 4.



Список литературы

1. Feigelson, R. S. Epitaxial growth of lithium niobate thin films by the solid source MOCVD method / R. S. Feigelson // J. Cryst. Growth. − 1996. − V. 166. − P. 1.

2. Tsukada, I. Pulsed−laser deposition of LiNbO3 in low gas pressure using pure ozone / I. Tsukada, S. Higuchi. // Jap. J. Appl. Phys. − 2004. − V. 43. − P. 5307.

3. Lee, S. Y. Reduced optical losses in MOCVD grown lithium niobate thin films on sapphire by controlling nucleation density / S. Y. Lee, R. S. Feigelson // J. Cryst. Growth. − 1998. − V. 186. − P. 594.

4. Киселев, Д. А. Пьезо− и пироэлектрические петли гистерезиса униполярных тонких пленок цирконата−титаната свинца / Д. А. Киселев, А. Л. Холкин, А. А. Богомолов, О. Н. Сергеева, Е. Ю. Каптелов, И. П. Пронин // ПЖТФ. − 2008. − Т. 34. − С. 28.

5. Gautier, B. Nanoscale observation of the distribution of the polarization orientation of ferroelectric domains in lithium niobate thin films / B. Gautier, V. Bornand // Thin Solid Films − 2006. − V. 515. − P. 1592.

6. Bornand, V. Growth and nanoscale ferroelectric investigation of radiofrequency−sputtered LiNbO3 thin films / V. Bornand, B. Gautier, Ph. Papet // Mater. Chem. and Phys. − 2004. − V. 86. − P. 340.

7. Жуков, Р. Н. Распространение поляризации сегнетоэлектрических зерен в электрически изолированных пленках ниобата лития / Р. Н. Жуков, Д. А. Киселев, М. Д. Малинкович, Ю. Н. Пар-хоменко, Е. А. Выговская, О. В. Торопова // Изв. вузов. Материалы электрон. техники − 2011. − № 4. − С. 12—16.

8. Bornand, V. Growth technologies and studies of ferroelectric thin films−application to LiTaO3 and LiNbO3 materials / V. Bornand, Ph. Papet // Ferroelectrics. − 2003. − V. 288. − P. 187.

9. Jonscher, A. K. Universal relaxation law / A. K. Jonscher. − London : Chelsea Dielectric Press, 1996. − 415 p..

10. Hong, S. Principle of ferroelectric domain imaging using atomic force microscope / S. Hong, J. Woo, H. Shin, J. U. Jeon, Y. E. Pak, E. L. Colla, N. Setter, E. Kim, K. No // J. Appl. Phys. − 2001. − V. 89. − P. 1377.

11. Lim, D. G. Characteristics of LiNbO3 memory capacitors fabricated using a low thermal budget process / D. G. Lim, B. S. Jang, S. I. Moon, C. Y. Won, J. Yi // Solid−State Electr. − 2001. − V. 45. − P. 1159.

12. Gautier, B. Nanoscale study of the ferroelectric properties of SrBi2Nb2O9 thin films grown by pulsed laser deposition on epitaxial Pt electrodes using atomic force microscope / B. Gautier, J.−R. Ducle-reb, M. Guilloux−Viry // Appl. Surf. Sci. − 2003. − V. 217. − P. 108.


Дополнительные файлы

Для цитирования: Киселев Д.А., Жуков Р.Н., Быков А.С., Малинкович М.Д., Пархоменко Ю.Н., Выговская Е.А. ИНИЦИИРОВАНИЕ ПОЛЯРИЗОВАННОГО СОСТОЯНИЯ В ТОНКИХ ПЛЕНКАХ НИОБАТА ЛИТИЯ, СИНТЕЗИРОВАННЫХ НА ИЗОЛИРОВАННЫЕ КРЕМНИЕВЫЕ ПОДЛОЖКИ. Известия высших учебных заведений. Материалы электронной техники. 2012;(2):25-29. https://doi.org/10.17073/1609-3577-2012-2-25-29

For citation: Kiselev D.A., Zhukov R.N., Bykov A.S., Malinkovich M.D., Parkhomenko Y.N., Выговская Е.A. INITIATION OF POLARIZED STATE IN LITHIUM NIOBATE THIN FILMS SYNTHESIZED ON ISOLATED SILICON SUBSTRATES. Izvestiya Vysshikh Uchebnykh Zavedenii. Materialy Elektronnoi Tekhniki = Materials of Electronics Engineering. 2012;(2):25-29. (In Russ.) https://doi.org/10.17073/1609-3577-2012-2-25-29

Просмотров: 263

Обратные ссылки

  • Обратные ссылки не определены.


Creative Commons License
Контент доступен под лицензией Creative Commons Attribution 4.0 License.


ISSN 1609-3577 (Print)
ISSN 2413-6387 (Online)