ИЗУЧЕНИЕ ОСТРОВКОВЫХ ПЛЕНОК ДИСЕЛЕНИДА ОЛОВА


https://doi.org/10.17073/1609-3577-2014-1-4-7

Полный текст:


Аннотация

Методом инконгруэнтного испарения получены многокомпонентные наногетероструктуры с самоорганизованными квантово−размерными точками. Выращены островковые пленки на основе промежуточных фаз, образующихся в системе Sn—Se. Исследована морфология поверхности полученных структур с помощью атомно-силовой микроскопии. Установлено, что определенное изменение запрещенной зоны подтверждает проявление эффекта размерного квантования спектра электронных состояний в структурах. Обнаружено, что для получения структур с однородным распределением островков необходимо проводить процесс инконгруэнтного испарения при высоких скоростях отбора конденсата. Установлено, что варьированием скорости инконгруэнтного испарения материала пленки можно направленно вырастить островковые пленки с заданным распределением островков по размерам.


Об авторах

О. И. Рабинович
Национальный исследовательский технологический университет «МИСиС», Москва, Россия
Россия
кандидат физ.−мат. наук, доцент


А. Р. Кушхов
Национальный исследовательский технологический университет «МИСиС», Москва, Россия
Россия
кандидат техн. наук, доцент, ФГАОУ исследовательский технологический университет «МИСиС», 119049, Россия, Москва, Ленинский просп., д. 4


Д. С. Гаев
Кабардино–Балкарский государственный университет, Россия
Россия
кандидат хим. наук, доцент, т, 360004, Россия, КБР, Нальчик, ул. Чернышевского, д. 175


Список литературы

1. Morkoc, H. Handbook of nitride semiconductors and devices / H. Morkoc. – Berlin : Wiley – VCH Verlag Gmbh and Co KGaA, 2008. – 3563 р.

2. Асрян, Л. В. Теория пороговых характеристик полупроводниковых лазеров на квантовых точках / Л. В. Асрян, Р. А. Сурис // ФТП. – 2004. – Т. 38, № 1. – С. 3—25.

3. Гаев, Д. С. Особенности получения островковых структур инконгруэнтным испарением / Д. С. Гаев, Л. М. Павлова, Г. Д. Кузнецов // Изв. вузов. Материалы электрон. техники. – 2006. – № 4. – C. 47—51.

4. Кукушкин, С. А. Процессы конденсации тонких пленок / С. А. Кукушкин, А. В. Осипов // Успехи физических наук. – 1998. – . 168. – . 1083—1116.

5. Sharma, J. Preparation and characterization of SnSe nanocrystalline thin films / J. Sharma, G. Singh, A. Thakur // J. Optoelectron. and Adv. Mater. – 2005. − V. 7, N 4. – P. 2085—2094.

6. Schlaf, R. Band lineup of a SnS2/SnSe2/SnS2 semiconductor quantum well structure prepared by van der Waals epitaxy / R. Schlaf, C. Pettenkofer, W. Jaegermann // J. Appl. Phys. – 1999. – N 85. – P. 6550—6556.

7. Демиховский, В. Я. Физика квантовых низкоразмерных структур / В. Я. Демиховский, Г. А. Вугальтер. – М. : Логос, 2000. – 250 с.


Дополнительные файлы

Для цитирования: Рабинович О.И., Кушхов А.Р., Гаев Д.С. ИЗУЧЕНИЕ ОСТРОВКОВЫХ ПЛЕНОК ДИСЕЛЕНИДА ОЛОВА. Известия высших учебных заведений. Материалы электронной техники. 2014;(1):4-7. https://doi.org/10.17073/1609-3577-2014-1-4-7

For citation: Rabinovich O.I., Kushhov A.R., Gaev D.S. SNSE2 ISLAND FILMS INVESTIGATION. Izvestiya Vysshikh Uchebnykh Zavedenii. Materialy Elektronnoi Tekhniki = Materials of Electronics Engineering. 2014;(1):4-7. (In Russ.) https://doi.org/10.17073/1609-3577-2014-1-4-7

Просмотров: 282

Обратные ссылки

  • Обратные ссылки не определены.


Creative Commons License
Контент доступен под лицензией Creative Commons Attribution 4.0 License.


ISSN 1609-3577 (Print)
ISSN 2413-6387 (Online)