МОДЕЛИРОВАНИЕ ВЛИЯНИЯ ВНУТРЕННИХ МЕХАНИЧЕСКИХ НАПРЯЖЕНИЙ НА СКОРОСТЬ РОСТА КИСЛОРОДНЫХ ПРЕЦИПИТАТОВ В КРЕМНИИ


https://doi.org/10.17073/1609-3577-2012-2-37-42

Полный текст:


Аннотация

Предложен подход для моделирования влияния механических напряжений, возникающих в системе «кремниевая матрица — кислородный преципитат (SiO2)», на скорость основных процессов,определяющих кинетику преципитации. Найдены и проанализированы полученные с учетом этого фактора зависимости от времени размеров сферическогопреципитата и количества атомов кислорода в нем. 


Об авторах

Р. В. Гольдштейн
Институт проблем механики им. А. Ю. Ишлинского РАН
Россия

доктор физ.−мат. наук, чл.−корр. РАН, заведующий. лабораторией, Институт проблем механики им. А. Ю. Ишлинского РАН, 119526, г. Москва, пр. Вернадского, д. 101, корп. 1, 



Т. М. Махвиладзе
Физико–технологический институт РАН
Россия

доктор физ.−мат. наук, заведующий лабораторией, Физико−технологический институт РАН, 117218, г. Москва, Нахимовский просп., д. 36/1, 



М. Е. Сарычев
Физико–технологический институт РАН
Россия

доктор физ.−мат. наук, главный научный сотрудник, Физико−технологический институт РАН, 117218, г. Москва, Нахимовский просп., д. 36/1,



Список литературы

1. Гольдштейн, Р. В. Моделирование влияния механических напряжений на кинетику роста кислородных преципитатов в кремнии / Р. В. Гольдштейн, Т. М. Махвиладзе, М. Е. Сарычев // Вестн. ПГТУ. Механика. − 2010. − № 1. «Математическое моделирование физико−механических процессов». − С. 35—49.

2. Borghesi, A. Oxygen precipitation in silicon / A. Borghesi, B. Pivac, A. Sassella, A. Stella // J. Appl. Phys. − 1995. − V. 77, N 9. − P. 4169—4244.

3. Воронков, В. В. Роль кислорода в образовании микродефектов при выращивании бездислокационных монокристаллов кремния / В. В. Воронков, М. Г. Мильвидский // Кристаллография. − 1988. − Т. 33, № 2. − С. 471—477.

4. Булярский, С. В. Моделирование неоднородной по объему преципитации кислорода в кремнии / С. В. Булярский, В. В. Светухин, О. В. Приходько // Физика и техника полупроводников. − 1999. − Т. 33, № 11. − С. 1281—1286.

5. Крисюк, Б. Э. Расчет чувствительности к деформации реакций кислотного гидролиза полиамида и полиэфира / Б. Э. Крисюк, Е. В. Полианчик // Химическая кинетика.1993. − Т. 12, № 2.− С. 253—259.

6. Буров, Ю. М. Кинетика мономолекулярных реакций в плотных средах / Ю. М. Буров // Журнал физ. химии. − 2004. − Т. 78, № 4. − С. 682—686.

7. Гольдштейн, Р. В. Экспериментально−теоретическое исследование процесса формирования системы кислородосодержащий преципитат — дислокационные петли / Р. В. Гольдштейн, К. Б. Устинов, П. С. Шушпанников, М. В. Меженный, М. Г. Мильвидский, В. Я. Резник (Препринт ИПМ РАН. 2007; № 808. 29 с.).

8. Бабичев, А. П. Физические величины: Справочник / А. П. Бабичев, И. А. Бабушкина, А. М. Братковский − М. : Энергоиздат, 1991. − 880 с.


Дополнительные файлы

Для цитирования: Гольдштейн Р.В., Махвиладзе Т.М., Сарычев М.Е. МОДЕЛИРОВАНИЕ ВЛИЯНИЯ ВНУТРЕННИХ МЕХАНИЧЕСКИХ НАПРЯЖЕНИЙ НА СКОРОСТЬ РОСТА КИСЛОРОДНЫХ ПРЕЦИПИТАТОВ В КРЕМНИИ. Известия высших учебных заведений. Материалы электронной техники. 2012;(2):37-42. https://doi.org/10.17073/1609-3577-2012-2-37-42

For citation: Goldstein R.V., Makhviladze T.M., Sarychev M.E. MODELING AN INFLUENCE OF INTERNAL MECHANICAL STRESSES ON THE RATE OF GROWTH OF OXYGEN PRECIPITATES IN SILICON. Izvestiya Vysshikh Uchebnykh Zavedenii. Materialy Elektronnoi Tekhniki = Materials of Electronics Engineering. 2012;(2):37-42. (In Russ.) https://doi.org/10.17073/1609-3577-2012-2-37-42

Просмотров: 207

Обратные ссылки

  • Обратные ссылки не определены.


Creative Commons License
Контент доступен под лицензией Creative Commons Attribution 4.0 License.


ISSN 1609-3577 (Print)
ISSN 2413-6387 (Online)