MODELING AN INFLUENCE OF INTERNAL MECHANICAL STRESSES ON THE RATE OF GROWTH OF OXYGEN PRECIPITATES IN SILICON
https://doi.org/10.17073/1609-3577-2012-2-37-42
Abstract
In the work an approach to modeling the influence of mechanical stresses generated in a silicon matrix by an oxygen precipitate (SiO2) on the rates of the main processes determining the precipitation kinetics. The time dependences of the sizes of a spherical precipitate and the number of oxygen atoms inside it has been obtained and analyzed with the stress factor taken into account.
About the Authors
R. V. Goldstein
A.Yu. Ishlinsky Institute for Problems in Mechanics of the Russian Academy of Sciences
Russian Federation
Russian Federation
доктор физ.−мат. наук, чл.−корр. РАН, заведующий. лабораторией, Институт проблем механики им. А. Ю. Ишлинского РАН, 119526, г. Москва, пр. Вернадского, д. 101, корп. 1,
T. M. Makhviladze
Institute of Physics and Technology of the Russian Academy of Sciences
Russian Federation
Russian Federation
доктор физ.−мат. наук, заведующий лабораторией, Физико−технологический институт РАН, 117218, г. Москва, Нахимовский просп., д. 36/1,
M. E. Sarychev
Institute of Physics and Technology of the Russian Academy of Sciences
Russian Federation
Russian Federation
доктор физ.−мат. наук, главный научный сотрудник, Физико−технологический институт РАН, 117218, г. Москва, Нахимовский просп., д. 36/1,
References
1. Гольдштейн, Р. В. Моделирование влияния механических напряжений на кинетику роста кислородных преципитатов в кремнии / Р. В. Гольдштейн, Т. М. Махвиладзе, М. Е. Сарычев // Вестн. ПГТУ. Механика. − 2010. − № 1. «Математическое моделирование физико−механических процессов». − С. 35—49.
2. Borghesi, A. Oxygen precipitation in silicon / A. Borghesi, B. Pivac, A. Sassella, A. Stella // J. Appl. Phys. − 1995. − V. 77, N 9. − P. 4169—4244.
3. Воронков, В. В. Роль кислорода в образовании микродефектов при выращивании бездислокационных монокристаллов кремния / В. В. Воронков, М. Г. Мильвидский // Кристаллография. − 1988. − Т. 33, № 2. − С. 471—477.
4. Булярский, С. В. Моделирование неоднородной по объему преципитации кислорода в кремнии / С. В. Булярский, В. В. Светухин, О. В. Приходько // Физика и техника полупроводников. − 1999. − Т. 33, № 11. − С. 1281—1286.
5. Крисюк, Б. Э. Расчет чувствительности к деформации реакций кислотного гидролиза полиамида и полиэфира / Б. Э. Крисюк, Е. В. Полианчик // Химическая кинетика.1993. − Т. 12, № 2.− С. 253—259.
6. Буров, Ю. М. Кинетика мономолекулярных реакций в плотных средах / Ю. М. Буров // Журнал физ. химии. − 2004. − Т. 78, № 4. − С. 682—686.
7. Гольдштейн, Р. В. Экспериментально−теоретическое исследование процесса формирования системы кислородосодержащий преципитат — дислокационные петли / Р. В. Гольдштейн, К. Б. Устинов, П. С. Шушпанников, М. В. Меженный, М. Г. Мильвидский, В. Я. Резник (Препринт ИПМ РАН. 2007; № 808. 29 с.).
8. Бабичев, А. П. Физические величины: Справочник / А. П. Бабичев, И. А. Бабушкина, А. М. Братковский − М. : Энергоиздат, 1991. − 880 с.
Review
For citations:
Goldstein R.V., Makhviladze T.M., Sarychev M.E. MODELING AN INFLUENCE OF INTERNAL MECHANICAL STRESSES ON THE RATE OF GROWTH OF OXYGEN PRECIPITATES IN SILICON. Izvestiya Vysshikh Uchebnykh Zavedenii. Materialy Elektronnoi Tekhniki = Materials of Electronics Engineering. 2012;(2):37-42. (In Russ.) https://doi.org/10.17073/1609-3577-2012-2-37-42
Views:
730
Email this article 