МЕХАНИЗМЫ ЭЛЕКТРОПРОВОДНОСТИ КРЕМНИЙ–УГЛЕРОДНЫХ НАНОКОМПОЗИТОВ С НАНОРАЗМЕРНЫМИ ВКЛЮЧЕНИЯМИ ВОЛЬФРАМА В ИНТЕРВАЛЕ ТЕМПЕРАТУР 20—200 °С
https://doi.org/10.17073/1609-3577-2012-2-58-60
Аннотация
Изучены температурные зависимости удельной электропроводности (УЭС) кремний−углеродных пленок с наноразмерными включениями вольфрама. Контактным методом измерена электро-проводность образцов в интервале температур 20—200 °С. Показано, что у пленок с УЭС 0,03—15 Ом см при комнатной температуре электропроводность растет с повышением температуры и имеет две компоненты — термоактивационную и постоянную, предположительно туннельного характера. Доля туннельной компоненты возрастает от 40 до 80 % с увеличением содержания вольфрама в пленке, энергия активации при этом падает от 0,1 до 0,06 эВ.
Ключевые слова
Об авторах
И. М. АнфимовРоссия
инженер I категории, ФГОУ ВПО «Государственный технологический университет «Московский институт стали и сплавов», 119049, г. Москва, Ленинский просп., д. 4,
С. П. Кобелева
Россия
кандидат физ.−мат. наук, доцент, ФГОУ ВПО «Государственный технологический университет «Московский институт стали и сплавов», 119049, г. Москва, Ленинский просп., д. 4,
М. Д. Малинкович
Россия
кандидат физ.−мат. наук, доцент кафедры материаловедения полупроводников и диэлектриков, ФГАОУ ВПО «Национальный исследовательский технологический университет «МИСиС», 119049, г. Москва, Ленинский просп., д. 4,
И. В. Щемеров
Россия
О. В. Торопова
Россия
научный сотрудник кафедры материаловедения полупроводников и диэлектриков, ФГОУ ВПО «Национальный исследовательский технологический университет «МИСиС», 119049, г. Москва, Ленинский просп., д. 4.
Ю. Н. Пархоменко
Россия
доктор физ.−мат. наук, профессор, зав. кафедрой материаловедения полупроводников и диэлектриков, ФГАОУ ВПО «Национальный исследовательский технологический университет «МИСиС», 119049, г. Москва, Ленинский просп., д. 4.
Список литературы
1. Abeles, B. Structural and electrical properties of granular metal films / B. Abeles, Ping Sheng, M. D. Coutts, Y. Arie // Adv. Phys. − 1975. − V. 24. − P. 407—461.
2. Гантмахер, В. Ф. Электроны в неупорядоченных средах / В. Ф. Гантмахер. − М. : Физматлит, 2005.
3. Пархоменко, Ю. Н. Технология получения, структура и свойства металлсодержащих нанокомпозитов с кремний−углеродной матрицей / Ю. Н. Пархоменко, М. Д. Малинкович, Е. А. Скрылева, М. Л. Шупегин // Изв. вузов. Материалы элек-трон. техники. − 2005. − № 3. − С. 12—16.
4. Малинкович, М. Д. Структура поверхности нанокомпозитов на основе кремний−углеродной матрицы, выявленная методами сканирующей зондовой микроскопии / М. Д. Малинкович, Ю. Н. Пархоменко, Д. С. Поляков, М. Л. Шупегин // Там же. − 2010. − № 3. − С. 41—45.
5. Канаева, Е. С. Исследование поверхности кремний−углеродных пленок с нанометровыми включениями на основе хрома и тантала методами сканирующей зондовой микроскопии / Е. С. Канаева, М. Д. Малинкович, Ю. Н. Пархоменко, М. Л. Шупегин // Там же. − 2011. − № 3. − С. 45—47.
6. Божко, А. Д. Электронный транспорт в пленках аморфных металл−углеродных нанокомпозитов / А. Д. Божко, Е. А. Катаева, Т. Такаги // Вестн. Московск. ун−та. Сер. 3: Физика. Астрономия. − 2007. − № 4. − С. 26—30.
7. Мотт, Д. Электронные процессы в некристаллических веществах / Д. Мотт, Н. Мотт, Э. М. Дэвис − М. : Мир, 1974. − 472 с.
8. Бублик, В. Т. Структура композитов с кремний−углеродной матрицей, содержащих нанофазу на основе металла / В. Т. Бублик, М. Д. Малинкович, Ю. Н. Пархоменко, Н. Ю. Табачкова, М. Л. Шупегин // XXII Росс. конф. по электрон. микроскопии (РКЭМ−2008). − Черноголовка, 2008. − С. 94.
Рецензия
Для цитирования:
Анфимов И.М., Кобелева С.П., Малинкович М.Д., Щемеров И.В., Торопова О.В., Пархоменко Ю.Н. МЕХАНИЗМЫ ЭЛЕКТРОПРОВОДНОСТИ КРЕМНИЙ–УГЛЕРОДНЫХ НАНОКОМПОЗИТОВ С НАНОРАЗМЕРНЫМИ ВКЛЮЧЕНИЯМИ ВОЛЬФРАМА В ИНТЕРВАЛЕ ТЕМПЕРАТУР 20—200 °С. Известия высших учебных заведений. Материалы электронной техники. 2012;(2):58-60. https://doi.org/10.17073/1609-3577-2012-2-58-60
For citation:
Anfimov I.M., Kobeleva S.P., Malinkovich M.D., Щемеров И.В., Toropova O.V., Parkhomenko Yu.N. THE CONDUCTIVITY MECHANISM OF SILICON−CARBON COMPOSITES WITH NANO−SIZED W PARTICLE IN THE TEMPERATURE RANGE 20—200 °С. Izvestiya Vysshikh Uchebnykh Zavedenii. Materialy Elektronnoi Tekhniki = Materials of Electronics Engineering. 2012;(2):58-60. (In Russ.) https://doi.org/10.17073/1609-3577-2012-2-58-60