МЕХАНИЗМЫ ЭЛЕКТРОПРОВОДНОСТИ КРЕМНИЙ–УГЛЕРОДНЫХ НАНОКОМПОЗИТОВ С НАНОРАЗМЕРНЫМИ ВКЛЮЧЕНИЯМИ ВОЛЬФРАМА В ИНТЕРВАЛЕ ТЕМПЕРАТУР 20—200 °С


https://doi.org/10.17073/1609-3577-2012-2-58-60

Полный текст:


Аннотация

Изучены температурные зависимости удельной электропроводности (УЭС) кремний−углеродных пленок с наноразмерными включениями вольфрама. Контактным методом измерена электро-проводность образцов в интервале температур 20—200  °С. Показано, что у пленок с УЭС 0,03—15 Ом см при комнатной температуре электропроводность растет с повышением температуры и имеет две компоненты — термоактивационную и постоянную, предположительно туннельного характера. Доля туннельной компоненты возрастает от 40 до 80 % с увеличением содержания вольфрама в пленке, энергия активации при этом падает от 0,1 до 0,06 эВ. 


Об авторах

И. М. Анфимов
ФГАОУ ВПО «Национальный исследовательский технологический университет «МИСиС»
Россия

инженер I категории, ФГОУ ВПО «Государственный технологический университет «Московский институт стали и сплавов», 119049, г. Москва, Ленинский просп., д. 4, 



С. П. Кобелева
ФГАОУ ВПО «Национальный исследовательский технологический университет «МИСиС»
Россия

кандидат физ.−мат. наук, доцент, ФГОУ ВПО «Государственный технологический университет «Московский институт стали и сплавов», 119049, г. Москва, Ленинский просп., д. 4,



М. Д. Малинкович
ФГАОУ ВПО «Национальный исследовательский технологический университет «МИСиС»
Россия

кандидат физ.−мат. наук, доцент кафедры материаловедения полупроводников и диэлектриков, ФГАОУ ВПО «Национальный исследовательский технологический университет «МИСиС», 119049, г. Москва, Ленинский просп., д. 4,



И. В. Щемеров
ФГАОУ ВПО «Национальный исследовательский технологический университет «МИСиС»
Россия


О. В. Торопова
ФГАОУ ВПО «Национальный исследовательский технологический университет «МИСиС»
Россия

научный сотрудник кафедры материаловедения полупроводников и диэлектриков, ФГОУ ВПО «Национальный исследовательский технологический университет «МИСиС», 119049, г. Москва, Ленинский просп., д. 4.



Ю. Н. Пархоменко
ФГАОУ ВПО «Национальный исследовательский технологический университет «МИСиС»
Россия

доктор физ.−мат. наук, профессор, зав. кафедрой материаловедения полупроводников и диэлектриков, ФГАОУ ВПО «Национальный исследовательский технологический университет «МИСиС», 119049, г. Москва, Ленинский просп., д. 4.



Список литературы

1. Abeles, B. Structural and electrical properties of granular metal films / B. Abeles, Ping Sheng, M. D. Coutts, Y. Arie // Adv. Phys. − 1975. − V. 24. − P. 407—461.

2. Гантмахер, В. Ф. Электроны в неупорядоченных средах / В. Ф. Гантмахер. − М. : Физматлит, 2005.

3. Пархоменко, Ю. Н. Технология получения, структура и свойства металлсодержащих нанокомпозитов с кремний−углеродной матрицей / Ю. Н. Пархоменко, М. Д. Малинкович, Е. А. Скрылева, М. Л. Шупегин // Изв. вузов. Материалы элек-трон. техники. − 2005. − № 3. − С. 12—16.

4. Малинкович, М. Д. Структура поверхности нанокомпозитов на основе кремний−углеродной матрицы, выявленная методами сканирующей зондовой микроскопии / М. Д. Малинкович, Ю. Н. Пархоменко, Д. С. Поляков, М. Л. Шупегин // Там же. − 2010. − № 3. − С. 41—45.

5. Канаева, Е. С. Исследование поверхности кремний−углеродных пленок с нанометровыми включениями на основе хрома и тантала методами сканирующей зондовой микроскопии / Е. С. Канаева, М. Д. Малинкович, Ю. Н. Пархоменко, М. Л. Шупегин // Там же. − 2011. − № 3. − С. 45—47.

6. Божко, А. Д. Электронный транспорт в пленках аморфных металл−углеродных нанокомпозитов / А. Д. Божко, Е. А. Катаева, Т. Такаги // Вестн. Московск. ун−та. Сер. 3: Физика. Астрономия. − 2007. − № 4. − С. 26—30.

7. Мотт, Д. Электронные процессы в некристаллических веществах / Д. Мотт, Н. Мотт, Э. М. Дэвис − М. : Мир, 1974. − 472 с.

8. Бублик, В. Т. Структура композитов с кремний−углеродной матрицей, содержащих нанофазу на основе металла / В. Т. Бублик, М. Д. Малинкович, Ю. Н. Пархоменко, Н. Ю. Табачкова, М. Л. Шупегин // XXII Росс. конф. по электрон. микроскопии (РКЭМ−2008). − Черноголовка, 2008. − С. 94.


Дополнительные файлы

Для цитирования: Анфимов И.М., Кобелева С.П., Малинкович М.Д., Щемеров И.В., Торопова О.В., Пархоменко Ю.Н. МЕХАНИЗМЫ ЭЛЕКТРОПРОВОДНОСТИ КРЕМНИЙ–УГЛЕРОДНЫХ НАНОКОМПОЗИТОВ С НАНОРАЗМЕРНЫМИ ВКЛЮЧЕНИЯМИ ВОЛЬФРАМА В ИНТЕРВАЛЕ ТЕМПЕРАТУР 20—200 °С. Известия высших учебных заведений. Материалы электронной техники. 2012;(2):58-60. https://doi.org/10.17073/1609-3577-2012-2-58-60

For citation: Anfimov I.M., Kobeleva S.P., Malinkovich M.D., Щемеров И.В., Toropova O.V., Parkhomenko Y.N. THE CONDUCTIVITY MECHANISM OF SILICON−CARBON COMPOSITES WITH NANO−SIZED W PARTICLE IN THE TEMPERATURE RANGE 20—200 °С. Izvestiya Vysshikh Uchebnykh Zavedenii. Materialy Elektronnoi Tekhniki = Materials of Electronics Engineering. 2012;(2):58-60. (In Russ.) https://doi.org/10.17073/1609-3577-2012-2-58-60

Просмотров: 269

Обратные ссылки

  • Обратные ссылки не определены.


Creative Commons License
Контент доступен под лицензией Creative Commons Attribution 4.0 License.


ISSN 1609-3577 (Print)
ISSN 2413-6387 (Online)