THE CONDUCTIVITY MECHANISM OF SILICON−CARBON COMPOSITES WITH NANO−SIZED W PARTICLE IN THE TEMPERATURE RANGE 20—200 °С
https://doi.org/10.17073/1609-3577-2012-2-58-60
Abstract
Temperature dependance of the resistivity of carbon−silicon 1 mkm film containing nanocise tungsten particles were investigated. Resistivity measurements were carried out by contact method in the temperature range 20—200 °С for films with resistivity at room temperature of about 0,03—15 Ohm cm. Decreasing of the resistivity with temperature was observed. An activation and a tunnel mechanisms of conductivity were proposed. Tunnel fraction growths with tungsten content from 40 to 80% coincident with decrease of activation energy from 0,1 to 0,06 eV.
About the Authors
I. M. Anfimov
National Research University «MISiS»
Russian Federation
Russian Federation
инженер I категории, ФГОУ ВПО «Государственный технологический университет «Московский институт стали и сплавов», 119049, г. Москва, Ленинский просп., д. 4,
S. P. Kobeleva
National Research University «MISiS»
Russian Federation
Russian Federation
кандидат физ.−мат. наук, доцент, ФГОУ ВПО «Государственный технологический университет «Московский институт стали и сплавов», 119049, г. Москва, Ленинский просп., д. 4,
M. D. Malinkovich
National Research University «MISiS»
Russian Federation
Russian Federation
кандидат физ.−мат. наук, доцент кафедры материаловедения полупроводников и диэлектриков, ФГАОУ ВПО «Национальный исследовательский технологический университет «МИСиС», 119049, г. Москва, Ленинский просп., д. 4,
И. В. Щемеров
National Research University «MISiS»
Russian Federation
Russian Federation
O. V. Toropova
National Research University «MISiS»
Russian Federation
Russian Federation
научный сотрудник кафедры материаловедения полупроводников и диэлектриков, ФГОУ ВПО «Национальный исследовательский технологический университет «МИСиС», 119049, г. Москва, Ленинский просп., д. 4.
Yu. N Parkhomenko
National Research University «MISiS»
Russian Federation
Russian Federation
доктор физ.−мат. наук, профессор, зав. кафедрой материаловедения полупроводников и диэлектриков, ФГАОУ ВПО «Национальный исследовательский технологический университет «МИСиС», 119049, г. Москва, Ленинский просп., д. 4.
References
1. Abeles, B. Structural and electrical properties of granular metal films / B. Abeles, Ping Sheng, M. D. Coutts, Y. Arie // Adv. Phys. − 1975. − V. 24. − P. 407—461.
2. Гантмахер, В. Ф. Электроны в неупорядоченных средах / В. Ф. Гантмахер. − М. : Физматлит, 2005.
3. Пархоменко, Ю. Н. Технология получения, структура и свойства металлсодержащих нанокомпозитов с кремний−углеродной матрицей / Ю. Н. Пархоменко, М. Д. Малинкович, Е. А. Скрылева, М. Л. Шупегин // Изв. вузов. Материалы элек-трон. техники. − 2005. − № 3. − С. 12—16.
4. Малинкович, М. Д. Структура поверхности нанокомпозитов на основе кремний−углеродной матрицы, выявленная методами сканирующей зондовой микроскопии / М. Д. Малинкович, Ю. Н. Пархоменко, Д. С. Поляков, М. Л. Шупегин // Там же. − 2010. − № 3. − С. 41—45.
5. Канаева, Е. С. Исследование поверхности кремний−углеродных пленок с нанометровыми включениями на основе хрома и тантала методами сканирующей зондовой микроскопии / Е. С. Канаева, М. Д. Малинкович, Ю. Н. Пархоменко, М. Л. Шупегин // Там же. − 2011. − № 3. − С. 45—47.
6. Божко, А. Д. Электронный транспорт в пленках аморфных металл−углеродных нанокомпозитов / А. Д. Божко, Е. А. Катаева, Т. Такаги // Вестн. Московск. ун−та. Сер. 3: Физика. Астрономия. − 2007. − № 4. − С. 26—30.
7. Мотт, Д. Электронные процессы в некристаллических веществах / Д. Мотт, Н. Мотт, Э. М. Дэвис − М. : Мир, 1974. − 472 с.
8. Бублик, В. Т. Структура композитов с кремний−углеродной матрицей, содержащих нанофазу на основе металла / В. Т. Бублик, М. Д. Малинкович, Ю. Н. Пархоменко, Н. Ю. Табачкова, М. Л. Шупегин // XXII Росс. конф. по электрон. микроскопии (РКЭМ−2008). − Черноголовка, 2008. − С. 94.
Review
For citations:
Anfimov I.M., Kobeleva S.P., Malinkovich M.D., Щемеров И.В., Toropova O.V., Parkhomenko Yu.N. THE CONDUCTIVITY MECHANISM OF SILICON−CARBON COMPOSITES WITH NANO−SIZED W PARTICLE IN THE TEMPERATURE RANGE 20—200 °С. Izvestiya Vysshikh Uchebnykh Zavedenii. Materialy Elektronnoi Tekhniki = Materials of Electronics Engineering. 2012;(2):58-60. (In Russ.) https://doi.org/10.17073/1609-3577-2012-2-58-60
Views:
826
Email this article 