АНАЛИЗ ПРОЦЕССОВ РАСПРОСТРАНЕНИЯ ТЕПЛА В СТРУКТУРАХ ИМПУЛЬСНЫХ СИЛОВЫХ ПРИБОРОВ ВБЛИЗИ ПЛОСКОСТЕЙ СПАЯ КРЕМНИЕВЫХ ПЛАСТИН В ВЫСОКОВОЛЬТНЫЕ «СТОЛБЫ»


https://doi.org/10.17073/1609-3577-2012-2-65-69

Полный текст:


Аннотация

Разработан метод лазерной термоволновой диагностики процессов теплопереноса в межсоединениях полупроводниковых диодных структур высоковольтных импульсных ключей−размыкателей, собранных по технологии «столбов». Предложена теоретическая модель процессов распространения тепловых волн в подобных структурах с учетом технологических особенностей подготовки поверхностей полупроводниковых элементов, слоев спайки или сварки. Показано, что лазерные термоволновые методы позволяют диагностировать качество теплофизических контактов между элементами ключей−размыкателей при различных технологиях их соединений.


Об авторах

А. Л. Глазов
Физико−технический институт им. А. Ф. Иоффе РАН
Россия

кандидат физ.−мат. наук, старший научный сотрудник, Физико−технический институт им. А. Ф. Иоффе РАН, 194021, г. Санкт−Петербург, ул. Политехническая, д. 26.



В. А. Козлов
НПО «ФИД−Техника»
Россия

доктор техн. наук, старший научный сотрудник, Институт нефтехимического синтеза им. А. В. Топчиева РАН, 117912, г. Москва, Ленинский просп., д. 29.



О. Корольков
Таллиннский технический университет, Эстония
Эстония

кандидат физ.−мат. наук, старший научный сотрудник, Таллиннский технический университет, 19086, Эстония, г. Таллинн, ул. Ехитайт, д. 5.



К. Л. Муратиков
Физико−технический институт им. А. Ф. Иоффе РАН
Россия

доктор физ.−мат. наук, ведущий научный сотрудник, Физико−тех ни ческий институт им. А. Ф. Иоффе РАН, 194021, г. Санкт−Петербург, ул. Политехническая, д. 26, 



Список литературы

1. Baliga, B. J. Fundamentals of power semiconductor devices / B. J. Baliga. − N.−Y. : Springer Sci., 2008. − 1072 p.

2. Еfanov, V. M. Powerful semiconductor 80 kV nanosecond pulser / V. M. Еfanov, A. F. Kardo−Sysoev, M. A. Larionov, I .G. Tchashnikov, P. M. Yarin, A. V. Kriklenko // Proc. of the 11−th. IEEE Int. Pulsed Power Conf. − Maryland (USA), 1997. − V. 2. − P. 985—987.

3. Любутин, С. К. Высокочастотные импульсные генераторы на основе SOS−диодов с субнаносекундным временем обрыва тока / С. К. Любутин, С. Н. Рукин, Б. Г. Словиковский, С. Н. Цыранов. // Приборы и техника эксперимента. − 2000. − Вып. 3. − С. 52—60.

4. Kozlov, V. A. New generation of drift step recovery diodes (DSRD) for subnanosecond switching and high repetition rate operation / V. A. Kozlov, I. A. Smirnova, S. A. Moryakova, A. F. Kardo−Sysoev. // Conf. Rec. of the 25−th. Int. Power Modulator Symp. − California (USA), 2002. − P. 441—444.

5. Glazov, A. L. Measurement of thermal parameters of solids by a modified photodeflection method / A. L. Glazov, K. L.Muratikov // Optical Eng. − 1997. − V. 36, N 2. − P. 358—362.

6. Глазов, А. Л. Определение теплофизических характеристик и параметров трещин в керамиках фотодефлекционным методом / А. Л. Глазов, К. Л. Муратиков // ЖТФ. − 2001. − Т. 71, Вып. 6. − С. 110—115.

7. Muratikov, K. L. Photothermal and photoacoustic measurement of thermal and thermoelastic properties of ceramics with residual stresses / K. L. Muratikov, A. L. Glazov, D. N. Rose, J. E. Dumar // High temperatures − High pressures. − 2001. − V. 33, N 3. − P. 285—292.

8. Torn, R. D. A generalized model of photothermal radiometry / R. D. Torn, E. P. O’Hara // J. Appl. Physi. − 1982. − V. 53, N 8. − P. 5392—5400.

9. Shendeleva, M. L. Thermal wave reflection and refraction at a plane interface: Two−dimensional geometry / M. L. Shendeleva // Phys. Rev. B. − 2002. − V. 65, N 13. − P. 134209−1—134209−8.

10. Shendeleva, M. L. Instantaneous line heat source near a plane interface / M. L. Shendeleva // J. Appl. Phys. − 2004. − V. 95, N 5. − P. 2839—2845.


Дополнительные файлы

Для цитирования: Глазов А.Л., Козлов В.А., Корольков О., Муратиков К.Л. АНАЛИЗ ПРОЦЕССОВ РАСПРОСТРАНЕНИЯ ТЕПЛА В СТРУКТУРАХ ИМПУЛЬСНЫХ СИЛОВЫХ ПРИБОРОВ ВБЛИЗИ ПЛОСКОСТЕЙ СПАЯ КРЕМНИЕВЫХ ПЛАСТИН В ВЫСОКОВОЛЬТНЫЕ «СТОЛБЫ». Известия высших учебных заведений. Материалы электронной техники. 2012;(2):65-69. https://doi.org/10.17073/1609-3577-2012-2-65-69

For citation: Glazov A.L., Kozlov V.A., Korolkov O., Muratikov K.L. ANALYSIS OF HEAT PROPAGATION PROCESSES IN STRUCTERS OF PULSE POWERFUL DEVICES NEAR PLANES OF SOLDER OF SILICON PLATES IN HIGH VOLTAGE STACKS. Izvestiya Vysshikh Uchebnykh Zavedenii. Materialy Elektronnoi Tekhniki = Materials of Electronics Engineering. 2012;(2):65-69. (In Russ.) https://doi.org/10.17073/1609-3577-2012-2-65-69

Просмотров: 226

Обратные ссылки

  • Обратные ссылки не определены.


Creative Commons License
Контент доступен под лицензией Creative Commons Attribution 4.0 License.


ISSN 1609-3577 (Print)
ISSN 2413-6387 (Online)