СРАВНИТЕЛЬНЫЕ ХАРАКТЕРИСТИКИ ОДНОСЛОЙНЫХ И ДВУХСЛОЙНЫХ ТЕНЗОПРЕОБРАЗОВАТЕЛЕЙ ДАВЛЕНИЯ НА ОСНОВЕ СТРУКТУР КРЕМНИЙ–НА–САПФИРЕ
https://doi.org/10.17073/1609-3577-2012-1-66-67
Abstract
Рассмотрены сравнительные характеристики полупроводниковых тензорезисторных преобразователей давления на основе структур кремний−на−сапфире. Исследованы два вида конструкции тензорезисторных преобразователей: с одно-слойным упругим элементом на керамическом основании и с двухслойным упругим элементом из сапфира и металла. Показано, что однослойные тензорезисторные преобразователи обладают лучшими характеристиками, чем двухслойные, но они имеют ограниченное применение по диапазонам измеряемого давления.
About the Authors
A. A. УстиновRussian Federation
инженер, ЗАО МИДАУС, 432012, г. Ульяновск,
Ю. С. Нагорнов
Russian Federation
кандидат физ.−мат. наук, доцент, начальник лаборатории, Госу-дарственное образовательное учреждение высшего профессионального образования «Ульяновский го-сударственный университет», 432970, г. Ульяновск, ул. Л. Толстого, д. 42,
A. И. Козлов
Russian Federation
инженер, ЗАО МИДАУС, 432012, г. Ульяновск,
Review
For citations:
Устинов A.A., Нагорнов Ю.С., Козлов A.И. СРАВНИТЕЛЬНЫЕ ХАРАКТЕРИСТИКИ ОДНОСЛОЙНЫХ И ДВУХСЛОЙНЫХ ТЕНЗОПРЕОБРАЗОВАТЕЛЕЙ ДАВЛЕНИЯ НА ОСНОВЕ СТРУКТУР КРЕМНИЙ–НА–САПФИРЕ. Izvestiya Vysshikh Uchebnykh Zavedenii. Materialy Elektronnoi Tekhniki = Materials of Electronics Engineering. 2012;(1):66-67. (In Russ.) https://doi.org/10.17073/1609-3577-2012-1-66-67