СРАВНИТЕЛЬНЫЕ ХАРАКТЕРИСТИКИ ОДНОСЛОЙНЫХ И ДВУХСЛОЙНЫХ ТЕНЗОПРЕОБРАЗОВАТЕЛЕЙ ДАВЛЕНИЯ НА ОСНОВЕ СТРУКТУР КРЕМНИЙ–НА–САПФИРЕ
https://doi.org/10.17073/1609-3577-2012-1-66-67
Аннотация
Рассмотрены сравнительные характеристики полупроводниковых тензорезисторных преобразователей давления на основе структур кремний−на−сапфире. Исследованы два вида конструкции тензорезисторных преобразователей: с одно-слойным упругим элементом на керамическом основании и с двухслойным упругим элементом из сапфира и металла. Показано, что однослойные тензорезисторные преобразователи обладают лучшими характеристиками, чем двухслойные, но они имеют ограниченное применение по диапазонам измеряемого давления.
Об авторах
А. А. УстиновРоссия
инженер, ЗАО МИДАУС, 432012, г. Ульяновск,
Ю. С. Нагорнов
Россия
кандидат физ.−мат. наук, доцент, начальник лаборатории, Госу-дарственное образовательное учреждение высшего профессионального образования «Ульяновский го-сударственный университет», 432970, г. Ульяновск, ул. Л. Толстого, д. 42,
А. И. Козлов
Россия
инженер, ЗАО МИДАУС, 432012, г. Ульяновск,
Рецензия
Для цитирования:
Устинов А.А., Нагорнов Ю.С., Козлов А.И. СРАВНИТЕЛЬНЫЕ ХАРАКТЕРИСТИКИ ОДНОСЛОЙНЫХ И ДВУХСЛОЙНЫХ ТЕНЗОПРЕОБРАЗОВАТЕЛЕЙ ДАВЛЕНИЯ НА ОСНОВЕ СТРУКТУР КРЕМНИЙ–НА–САПФИРЕ. Известия высших учебных заведений. Материалы электронной техники. 2012;(1):66-67. https://doi.org/10.17073/1609-3577-2012-1-66-67
For citation:
Устинов A.A., Нагорнов Ю.С., Козлов A.И. СРАВНИТЕЛЬНЫЕ ХАРАКТЕРИСТИКИ ОДНОСЛОЙНЫХ И ДВУХСЛОЙНЫХ ТЕНЗОПРЕОБРАЗОВАТЕЛЕЙ ДАВЛЕНИЯ НА ОСНОВЕ СТРУКТУР КРЕМНИЙ–НА–САПФИРЕ. Izvestiya Vysshikh Uchebnykh Zavedenii. Materialy Elektronnoi Tekhniki = Materials of Electronics Engineering. 2012;(1):66-67. (In Russ.) https://doi.org/10.17073/1609-3577-2012-1-66-67