NEW DIRECTIONS IN THE DEVELOPMENT OF ULTRAVIOLET LIGHT–EMITTING DIODE TECHNOLOGY
https://doi.org/10.17073/1609-3577-2012-1-52-56
Abstract
The paper presents results of the development of ultraviolet light−emitting diodes based on GaN/AlGaN heterostructures grown on AlN substrates by chloride−hydride vapor phase epitaxy. The peak wavelengths are in the range of 360—365 nm with a spectral width of 10—13 nm; the output optical power of LED dies is 50 mW at 350 mA.
About the Authors
A. A. Antipov
Nitride Crystals JSC
Russian Federation
Russian Federation
инженер, ООО«Нитридные кристаллы», 194156, г. Санкт−Петербургпросп. Энгельса, д. 27, корп. 5,
I. S. Barash
Nitride Crystals JSC
Russian Federation
Russian Federation
ведущий инженер−технолог, ООО «Нитридные кристаллы», 194156, г. Санкт−Петербург, просп. Энгельса, д. 27, корп. 5.
V. T. Bublik
National University of Science and Technology MISiS
Russian Federation
Russian Federation
доктор физ.-мат. наук, профессор, ФГАОУ ВПО «Национальный исследовательский технологический университет «МИСиС», 119049, г. Москва, Ленинский просп., д. 4.
S. Yu. Kurin
Nitride Crystals JSC
Academic University of the Russian Academy of Sciences
Russian Federation
Russian Federation
аспирант Академического университета РАН, инженер, ООО «Нитридные кристаллы», 194156, г. Санкт−Петербург, просп. Энгельса, д. 27, корп. 5.
Yu. N. Makarov
Nitride Crystals JSC
Russian Federation
Russian Federation
кандидат физ.−мат. наук, генеральный директор, ООО «Нитридные кристаллы», 194156, г. Санкт−Петербург, просп. Энгельса, д. 27, корп. 5.
E. N. Mokhov
Nitride Crystals JSC
Russian Federation
Russian Federation
доктор физ.−мат. наук, ведущий инженер−технолог, ООО «Нитридные кристаллы», 194156, г. Санкт−Петербург, просп. Энгельса, д. 27, корп. 5.
S. S. Nagalyuk
Nitride Crystals JSC
Russian Federation
Russian Federation
аспирант, Физико−технический институт им. Иоффе, ин женер−технолог, ООО «Нитридные кристаллы», 194156, г. Санкт−Петербург, просп. Энгельса, д. 27, корп. 5.
A. D. Roenkov
Nitride Crystals JSC
Russian Federation
Russian Federation
ведущий инженер−технолог, ООО «Нитридные кристаллы», 194156, г. Санкт−Петербург, просп. Энгельса, д. 27, корп. 5.
T. Yu. Chemekova
Nitride Crystals JSC
Russian Federation
Russian Federation
кандидат хим. наук, ведущий инженер−технолог, ООО «Нитридные кристаллы», 194156, г. Санкт−Петербург, просп. Эн-гельса, д. 27, корп. 5.
K. D. Scherbachev
National University of Science and Technology MISiS
Russian Federation
Russian Federation
кандидат физ.−мат. наук, старший научный сотрудник, ФГАОУ ВПО «Национальный исследовательский технологический университет «МИСиС», 119049, г. Москва, Ленинский просп., д. 4.
H. Helava
Nitride Crystals JSC
Russian Federation
Russian Federation
Ph.D., главный конструктор, ООО «Нитридные кристаллы», 194156, г. Санкт−Петербург, просп. Энгельса, д. 27, корп. 5.
References
1. Макаров, Ю. Н. Подложка нитрида алюминия диаметром 2 дюйма для приборов оптоэлектроники / Ю. Н. Макаров // VIII Всеросс. конф. «Нитриды галлия, индия и алюминия – структуры и приборы». − СПб: ФТИ им. Иоффе, 2011. − С. 59—62.
2. Поляков, А. Я. Структурные и электрические свойства подложек AlN, используемых для выращивания светодиодных гетероструктур / А. Я. Поляков, Н. Б. Смирнов, А. В. Говорков, И. А. Белогорохов, К. Д. Щербачев, В. Т. Бублик, О. А. Авдеев, Т. Ю. Чемекова, Е. Н. Мохов, С. С. Нагалюк, Х. Хелава, Ю. Н. Макаров // Изв. вузов. Материалы электрон. техники. − 2010. − № 2. − С. 58—62.
3. New semiconductor materials. Characteristics and properties: http://www.ioffe.ru/SVA/NSM/rintroduction.html
4. Chemekova, T. Yu. Sublimation growth of 2−inch diameter bulk AlN crystals / T. Yu. Chemekova, O. V. Avdeev, I. S. Barash, E. N. Mokhov, S. S. Nagalyuk, A. D. Roenkov, A. S. Segal, Yu. N. Makarov, M. G. Ramm, G. Davis, G. Huminic, H. Helava // Phys. status solidi (c). − 2008. − V. 5, Iss. 6. − P. 1612—1614.
5. Makarov, Yu. N. Experimental and theoretical analysis of sublimation growth of AlN bulk crystals / Yu. N. Makarov, O. V. Avdeev, I. S. Barash, D. S. Bazarevskiy, T. Yu. Chemekova, E. N. Mokhov, S. S. Nagalyuk, A. D. Roenkov, A. S. Segal, Yu. A. Vodakov, M. G. Ramm, S. Davis, G. Huminic, H. Helava // J. Cryst. Growth. − 2008. − V. 310, N 5. − P. 881—886.
6. Курин, С. Ю. Получение AlGaN/GaN гетероструктур ультрафиолетовых светодиодов с длиной волны 360—365 нм методом хлоридно−гидридной эпитаксии / C. Ю. Курин, И. С. Бараш, А. Д. Роенков, М. Г. Агапов, А. А. Антипов, Т. Ю. Чемекова, Х. Хелава, Ю. Н. Макаров // VIII Всеросс. конф. «Нитриды галлия, индия и алюминия − структуры и приборы». − СПб : ФТИ им. Иоффе, 2011. − C. 180—181.
7. Bulashevich, K. A. Assessment of various LED structure designs for high−current operation / K. A. Bulashevich, M. S. Ramm, S. Yu. Karpov // Phys. status solidi (c). − 2009. − V. 6, Iss. 2. − P. S804—S806.
8. Usikov, A. Electrical and optical properties of thick highly doped p−type GaN layers grown by HVPE / A. Usikov, O. Kovalenkov, V. Soukhoveev, V. Ivantsov, A. Syrkin, V. Dmitriev, A. Yu. Nikiforov, S. G. Sundaresan, S. J. Jeliazkov, A. V. Davydov // Ibid. − 2008. − V. 5, Iss. 6. − P. 1829—1831.
9. Булашевич, К. А. Моделирование оптоэлектронных приборов на основе нитридов III группы / К. А. Булашевич, С. Ю. Карпов, В. Ф. Мымрин // VI Межд. конф. «Химия твердого тела и современные микро− и нанотехнологии». − Кисловодск; Ставрополь : СевКавГТУ, 2006. − С. 510.
Review
For citations:
Antipov A.A., Barash I.S., Bublik V.T., Kurin S.Yu., Makarov Yu.N., Mokhov E.N., Nagalyuk S.S., Roenkov A.D., Chemekova T.Yu., Scherbachev K.D., Helava H. NEW DIRECTIONS IN THE DEVELOPMENT OF ULTRAVIOLET LIGHT–EMITTING DIODE TECHNOLOGY. Izvestiya Vysshikh Uchebnykh Zavedenii. Materialy Elektronnoi Tekhniki = Materials of Electronics Engineering. 2012;(1):52-56. (In Russ.) https://doi.org/10.17073/1609-3577-2012-1-52-56
Views:
1037
Email this article 