ТЕОРЕТИЧЕСКОЕ ИССЛЕДОВАНИЕ ЭЛЕКТРОННЫХ И ГЕОМЕТРИЧЕСКИХ ХАРАКТЕРИСТИК ТОНКИХ ПЛЕНОК AlN
Аннотация
Об авторах
К. К. Абгарян
Федеральное государственное бюджетное учреждение науки «Вычислительный центр РАН им. А. А. Дородницына», ул. Вавилова, д. 40, Москва, 119333, Россия
Россия
Россия
кандидат физ.−мат. наук, зав. сектором
Д. И. Бажанов
Московский государственный университет им. М. В. Ломоносова, Ленинские горы, д. 1, Москва, 119991, Россия
Россия
Россия
кандидат физ.−мат. наук
И. В. Мутигуллин
Федеральное государственное бюджетное учреждение науки «Вычислительный центр РАН им. А. А. Дородницына», ул. Вавилова, д. 40, Москва, 119333, Россия
Россия
Россия
старший научный сотрудник, кандидат физ.−мат. наук
Список литературы
1. Абгарян,К.К.Применениеоптимизационныхметодовдля моделирования многослойных полупроводниковых наносистем / К. К. Абгарян // Тр. Ин−та системного анализа Рос. акад. наук. Динамика неоднородных систем. − 2010. − Т. 53(3).
2. Meng,W.J.GrowthofaluminumnitridethinfilmsonSi(111) and Si(001): Structural characteristics and development of intrinsic stress / W. J. Meng, J. A. Sell, T. A. Perry, L. E. Rehn, P. M. Baldo // J. Appl. Phys. − 1994. − V. 75. − P. 3446—3456.
3. Blöchl, P. E. Projector augmented−wave method / P. E. Blöchl // Phys. Rev. − 1994. − V. 50, N 24. − P. 17953—17979.
4. Kresse, G. Efficient iterative schemes for ab initio total− energy calculations using a plane−wave basis set / G. Kresse, J. Furthmuller // Phys. Rev. B. − 1996. − V. 54. − P. 11169—11186.
5. Monkhorst,H.SpecialpointsforBrillouin−zoneintegrations / H. Monkhorst, J. Pack // Phys. Rev. B. −1976. − V. 13. − P. 5188.
6. Kukushkin, S. A. Substrates for epitaxy of gallium nitride: new materials and techniques / S. A. Kukushkin, A. V. Osipov, V. N. Bessolov, B. K. Medvedev, V. K. Nevolin, K. A. Tcarik // Rev. Adv. Mater. Sci. − 2008. − V. 17. − P. 1—32.
7. Litvinov,D.Transmissionelectronmicroscopyinvestigation of AlN growth on Si(111) / D. Litvinov, D. Gerthsen, R. Vöhringer, D. Z. Hu, D. M. Schaadt // J. Cryst. Growth. − 2012. − V. 338. − P. 283—290.
8. Batyrev,I.AbinitiocalculationsontheAl2O3(0001)surface/ I.Batyrev,A.Alavi,M.W.Finnis//FaradayDiscuss.−1999−V. 114. − P. 33—43.
9. Holec,D.SurfaceenergiesofAlNallotropesfromfirstprinciples/D.Holec,P.H.Mayrhofer//ScriptaMaterialia.−2012.−V. 67. − P. 760—762.
10. Zhu,D.Low−costhigh−efficiencyGaNLEDonlarge−area Si substrate / D. Zhu, C. J. Humphreys // Proc. CS MANTECH Conf. − New Orleans (Louisiana, USA), 2013. − P. 269—272.
Рецензия
Для цитирования:
Абгарян К.К., Бажанов Д.И., Мутигуллин И.В. ТЕОРЕТИЧЕСКОЕ ИССЛЕДОВАНИЕ ЭЛЕКТРОННЫХ И ГЕОМЕТРИЧЕСКИХ ХАРАКТЕРИСТИК ТОНКИХ ПЛЕНОК AlN. Известия высших учебных заведений. Материалы электронной техники. 2015;18(1):48-51. https://doi.org/10.17073/1609-3577-2015-1-48-51
For citation:
Abgaryan K.K., Bazhanov D.I., Mutigullin I.V. Theoretical Investigation of Electronic and Structural Properties of AlN Thin Films. Izvestiya Vysshikh Uchebnykh Zavedenii. Materialy Elektronnoi Tekhniki = Materials of Electronics Engineering. 2015;18(1):48-51. (In Russ.) https://doi.org/10.17073/1609-3577-2015-1-48-51
Просмотров: 1342
Послать статью по эл. почте 