Preview

Известия высших учебных заведений. Материалы электронной техники

Расширенный поиск

ВЛИЯНИЕ БАЗОВОГО СОСТАВА И МИКРОСТРУКТУРЫ НИКЕЛЬ–ЦИНКОВЫХ ФЕРРИТОВ НА УРОВЕНЬ ПОГЛОЩЕНИЯ ЭЛЕКТРОМАГНИТНОГО ИЗЛУЧЕНИЯ

https://doi.org/10.17073/1609-3577-2015-4-261-266

Аннотация

Никель−цинковые ферриты относятся к перспективным радиопоглощающим материалам, так как они интенсивно поглощают электромагнитные волны в интервале частот от 50 до 1000 МГц. Проведены исследования электромагнитных свойств Ni—Zn−ферритовых радиопоглощающих материалов, полученных по различным технологическим режимам. Предложена модель, позволяющая оценить диэлектрическую проницаемость ферритового материала в зависимости от параметров микроструктуры и электрофизических свойств границ зерен. Установлено влияние базового состава и микроструктуры на уровень поглощения электромагнитного излучения Ni—Zn− ферритовыми радиопоглощающими материалами. Установлено, что увеличение содержания избытка Fe2O3 до 51 % (мол.) приводит к смещению частотного интервала поглощения электромагнитного излучения в сторону низких частот. Это можно объяснить увеличением магнитной и диэлектрической проницаемостей феррита. Показано, что более эффективно введение избытка Fe2O3 на стадии измельчения синтезированной шихты. Обнаружено, что увеличение температуры спекания до 1350 °С  также обеспечивает смещение частотного интервала поглощения электромагнитного излучения в сторону низких частот. Вероятно, это обусловлено увеличением магнитной и диэлектрической проницаемостей феррита и смещением частоты резонанса доменных стенок в результате формирования крупнозернистой структуры.

Об авторах

В. Г. Андреев
Кузнецкий институт информационных и управленческих технологий (филиал Пензенского государственного университета)
Россия

Андреев Валерий Георгиевич — доктор технических наук, профессор 

ул. Маяковского, д. 57А, Кузнецк, 442537



С. Б. Меньшова
Кузнецкий институт информационных и управленческих технологий (филиал Пензенского государственного университета)
Россия

Меньшова Светлана Борисовна — кандидат технических наук, научный сотрудник 

ул. Маяковского, д. 57А, Кузнецк, 442537



В. Г. Костишин
Национальный исследовательский технологический университет «МИСиС»
Россия

Костишин Владимир Григорьевич — доктор физико-математических наук, профессор, зав. кафедрой 

Ленинский просп. д. 4, Москва, 119049



Д. Н. Читанов
Национальный исследовательский технологический университет «МИСиС»
Россия

Читанов Денис Николаевич — кандидат физико-математических наук, заведующий лабораторией 

Ленинский просп. д. 4, Москва, 119049



А. Н. Климов
Кузнецкий институт информационных и управленческих технологий (филиал Пензенского государственного университета)
Россия

Климов Алексей Николаевич — инженер 

ул. Маяковского, д. 57А, Кузнецк, 442537



А. Ю. Кирина
Кузнецкий институт информационных и управленческих технологий (филиал Пензенского государственного университета)
Россия

Кирина Алина Юрьевна — инженер 

ул. Маяковского, д. 57А, Кузнецк, 442537



Р. М. Вергазов
Пензенский государственный университет
Россия

Вергазов Рашит Мунирович — инженер 

ул. Красная, д. 40, Пенза, 440026



С. Б. Бибиков
ФГБУН Институт биохимической физики им. Н. М. Эмануэля Российской академии наук
Россия

Бибиков Сергей Борисович — кандидат физико-математических наук, заведующий лабораторией 

ул. Косыгина, д. 4, Москва, 119334



М. В. Прокофьев
Московский авиационный институт (Национальный исследовательский университет)
Россия

Прокофьев Михаил Владимирович — кандидат химических наук, доцент 

Волоколамское ш., д. 4, Москва, 125871



Список литературы

1. Kim, D. Developments of new em wave absorbers. / D. Kim // Internat. Symp. on Electrical and Electronics Eng. − HCM City, (Vietnam), 2005. − P. 23—29.

2. Лапшин, Э. В. Влияние параметров микроструктуры на радиофизические характеристики Ni—Zn−ферритовых материалов / Э. В. Лапшин, С. Б. Бибиков, М. В. Прокофьев, Р. М. Вергазов // Изв. вузов. Поволжский регион. Техн. науки. − 2010. − № 3 (15). − С. 123—135.

3. Pat. N 8138959 B2. H01F1/34B2, H05K9/00M2, H01F1/36, C04B35/26H (US). Radio wave absorption material and radio wave absorber / S. Itoh, Y. Miyoshi, 18.10.2007.

4. Pat. N US7108799 B2. H01Q17/00, C04B35/26H, C04B35/057, C04B35/626A6H (US). Electromagnetic wave absorber formed of Mn—Zn ferrite / O. Kobayashi, K. Ito, M. Norizuki, 30.01.2004.

5. Pat. N 6984338 B2. C04B35/26H, H01F1/34B2 (US). A mixed oxides of iron, zinc, titanium, tin, manganese and calcium; high electrical resistance, permeability, soft magnetism in a high frequency band, stable grain structure; power supply switches, electromagnetic wave absorbers / O. Kobayashi, O. Yamada, K. Ito, 28.01.2004.

6. Goncar, A. Problems of increasing of thermostability of highly permeable Ni—Zn ferrites and for telecommunications / A. Goncar, V. Andreev, L. Letyuk // J. Magn. Mag. Mater. − 2003. − V. 254–255. − P. 544—546.

7. Kostishin, V. G. Influence of technological factors on dielectric permeability and radio−wave absorbing characteristics of nickel−zinc ferrites / V. G. Kostishin, R. M. Vergazov, V. G. Andreev, S. B. Bibikov // Russ. Microelectron. − 2012. − V. 41, N. 8. − P. 469— 473. DOI: 10.1134/S1063739712080094

8. Канева, И. И. Исследование возможности получения марганец−цинкового феррита по короткой технологической схеме / И. И. Канева, В. Г. Костишин, В. Г. Андреев, А. Н. Николаев, Е. И. Волкова // Изв. вузов. Материалы электрон. техники. − 2013. − № 1. − С. 23—27. DOI: 10.17073/1609-3577-2013-1-23-27

9. Непомнящий, В. В. Влияние различных технологических методов изготовления порошковых постоянных магнитов на их свойства / В. В. Непомнящий, Т. В. Мосина, А. К. Радченко, В. А. Назаренко // Порошковая металлургия. − 2009. − № 1/2. − С. 143—147.

10. Махнач, Л. В. Влияние оксидных добавок с перовскитоподобной структурой на микроструктуру и некоторые свойства магний−цинкового феррита / Л. В. Махнач, В. А. Ломоносов, В. В. Саевич, М. В. Новицкая, В. В. Паньков // Вестн. БГУ. − 2011. − Сер. 2. − № 1. − С. 10—14.

11. Sunny, V. A flexible microwave absorber based on nickel ferrite nanocomposite / V. Sunny, P. Kurian, P. Mohanan, P. A. Joy, M. R. Anantharaman // J. Alloys and Compounds. − 2010. − V. 489, iss. 1. − P. 297—303. DOI: 10.1016/j.jallcom.2009.09.077

12. Костишин, В. Г. Влияние микроструктуры на свойства радиопоглощающих никель−цинковых ферритов / В. Г. Костишин, Р. М. Вергазов, В. Г. Андреев, С. Б. Бибиков, С. В. Подгорная, А. Т. Морченко // Изв. вузов. Материалы электрон. техники. − 2010. − № 4. − С. 18—22.

13. Kong, I. Magnetic and microwave absorbing properties of magnetite−thermoplastic natural rubber nanocomposites / I. Kong, J. Magnetism and Magnetic Materials. − 2010. − V. 322, iss 21. − P. 3401—3409. DOI: 10.1016/j.jmmm.2010.06.036

14. Kostishyn, V. G. Effect of the microstructure on the properties of radio−absorbing nickel−zinc ferrites / V. G. Kostishyn, R. M. Vergazov, V. G. Andreev, S. B. Bibikov, S. V. Podgornaya, A. T. Morchenko // Russ. Microelectron. − 2011. − V. 40, N 8. − P. 574— 577. DOI: 10.1134/S1063739711080117S. H. Ahmad, M. H. Abdullah, D. Hui, A. N. Yusoff, D. Puryanti //

15. Пат. № 2417268 (РФ). Радиопоглощающий феррит / В. Г. Костишин, Л. В. Кожитов, Р. М. Вергазов, В. Г. Андреев, А. Т. Морченко, 27.04.2011.

16. Пат. № 2447551 (РФ). Безэховая камера / В. Г. Костишин, Л. В. Кожитов, В. Г. Андреев, А. Т. Морченко, А. Ю. Молчанов, 10.04.2012


Рецензия

Для цитирования:


Андреев В.Г., Меньшова С.Б., Костишин В.Г., Читанов Д.Н., Климов А.Н., Кирина А.Ю., Вергазов Р.М., Бибиков С.Б., Прокофьев М.В. ВЛИЯНИЕ БАЗОВОГО СОСТАВА И МИКРОСТРУКТУРЫ НИКЕЛЬ–ЦИНКОВЫХ ФЕРРИТОВ НА УРОВЕНЬ ПОГЛОЩЕНИЯ ЭЛЕКТРОМАГНИТНОГО ИЗЛУЧЕНИЯ. Известия высших учебных заведений. Материалы электронной техники. 2015;18(4):261-266. https://doi.org/10.17073/1609-3577-2015-4-261-266

For citation:


Andreev V.G., Menshova S.B., Kostishin V.G., Chitanov D.N., Klimov A.N., Kirina A.Yu., Vergazov R.M., Bibikov S.B., Prokofev M.V. EFFECT OF THE BASE COMPOSITION AND MICROSTRUCTURE ON THE LEVEL OF ABSORPTION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN NICKEL−ZINC FERRITE. Izvestiya Vysshikh Uchebnykh Zavedenii. Materialy Elektronnoi Tekhniki = Materials of Electronics Engineering. 2015;18(4):261-266. (In Russ.) https://doi.org/10.17073/1609-3577-2015-4-261-266

Просмотров: 1093


Creative Commons License
Контент доступен под лицензией Creative Commons Attribution 4.0 License.


ISSN 1609-3577 (Print)
ISSN 2413-6387 (Online)