ХИМИЯ И ФУНКЦИОНАЛЬНЫЕ МАТЕРИАЛЫ. НАУЧНАЯ ШКОЛА АКАДЕМИКА Ф. А. КУЗНЕЦОВА

Рассмотрен широкий круг проблем, связанных со становлением, развитием и практической реализацией научных исследований в области материаловедения, выполненных коллективом сотрудников Института неорганической химии им. А. В. Николаева СО РАН под руководством академика Ф. А. Кузнецова. Показана плодотворность его идеи комплексного физико-химического изучения каждой стадии приготовления материала: от предшественника к готовому элементу конкретного устройства. Отмечено его безошибочное предвидение значимости выбираемых объектов исследования, его умение связывать проводимые исследования с такими насущными и глобальными проблемами, как электроника, информатика, энергетика, фотовольтаика, а также его способность сплачивать коллектив общей идеей и активное участие в развитии как российской, так и международной науки, оставаясь при этом локомотивом проводимых передовых работ. Статья написана в память о человеке, организаторе науки, ученом и патриоте, чья деятельность всегда была нацелена на прорывные технологии, обеспечивающие процветание и безопасность Родины.

1. Резниченко, М. Ф. Способ получения трихлорсилана / М. Ф. Резниченко, Б. М. Кучумов, Ф. А. Кузнецов, Н. К. Куксанов, С. А. Муравицкий, А. В. Лаврухин, А. И. Корчагин, Л. А. Борисова // Пат. RU (11) 2147292(13) C1. 18.02.1999.

2. Резниченко, М. Ф. Использование промышленных ускорителей электронов для активации процессов в технологии кремния / М. Ф. Резниченко, Ф. А. Кузнецов, Н. К. Куксанов, Б. М. Кучумов // Изв. вузов. Материалы электрон. техники. – 2001. – № 4. – C. 28—31.

3. Титов, В. А. Термодинамическое моделирование процесса водородного восстановления трихлорсилана при повышенных давлениях / В. А. Титов, С. В. Сысоев, А. А. Титов, Л. А. Борисова // Тез. докл. семинара СО РАН – УрО РАН. «Термодинамика и неорганические материалы». – Новосибирск, – 2001. – С. 164.

4. Belyi, V. I. Chemical non−uniformity of thin dielectric films produced by ammonolysis of monosilane / V. I. Belyi, F. A. Kuznetsov, T. P. Smirnova, L. V. Chramova, L. Kh. Kravchenko // Thin Solid Films. – 1976. – V. 37. – P. L39—L42.

5. Smirnova, T. P. The mechanism of dehydrogenation of SiNx:H films / T. P. Smirnova, L. V. Yakovkina // Ibid. – 1997. – V. 293. – P. 6—10.

6. Belyi, V. I. Phase composition and structure of native oxides on AIIIBV semiconductors / V. I. Belyi, T. P. Smirnova, N. F. Zakharchuk // Appl. Surf. Sci. −1989. – V. 39. – P. 161—167.

7. Смирнова, Т. П. Фазовый состав и структура пленок собственного оксида на GaAs / Т. П. Смирнова, Н. Д. Захарчук, В. И. Белый // Неорган. материалы. – 1991. – Т. 26. – С. 492—499.

8. Smirnova, T. P. Chemical vapor deposition and characterization of hafnium oxide films / T. P. Smirnova, L. V. Yakovkina, V. N. Kitchai, V. V. Kaichev, Yu. V. Shubin, N. V. Morozova, K. V. Zherikova // J. Phys. Chem. Sol. – 2008. – V. 69, N 2—3. – P. 685—687.

9. Smirnova, T. P. Phase formation in double oxide films of Hf−La−O system / T. P. Smirnova, L. V. Yakovkina,V. O. Borisov // J. Crystal Growth. – 2013. – V. 377. – P. 212—216.

10. Smirnova, T. P. SiCN Alloys obtained by remote plasma chemical vapor deposition from novel precursors / T. P. Smirnova, A. M. Badalian, L. V. Yakovkina, V. V. Kaichev, V. I. Bukhtiyarov, A. N. Shmakov, I. P. Asanov. V. I Rachlin, A. N. Fomina // Thin Solid Films. – 2003. – V. 429. – P. 144—151.

11. Кузнецов, Ф. А. Новые металлорганические прекурсоры и процессы химического осаждения из газовой фазы в технологиях наноматериалов / Ф. А. Кузнецов, Т. П. Смирнова, Н. И. Файнер, Н. Б. Морозова, И. К. Игуменов // Изв. вузов. Материалы электрон. техники. – 2012. – № 2. – С. 4—12.

12. Кузнецов, Ф. А. Фундаментальные основы процессов химического осаждения пленок и структур для наноэлектроники / Ф. А. Кузнецов, М. Г. Воронков, В. О. Борисов, И. К. Игуменов, В. В. Каичев, В. Г. Кеслер, В. В. Кириенко, В. Н. Кичай, М. Л. Косинова, В. В. Кривенцев, М. С. Лебедев, А. В. Лис, Н. Б. Морозова, Л. Д. Никулина, В. И. Рахлин, Ю. М. Румянцев, Т. П. Смирнова, В. С. Суляева, С. В. Сысоев, А. А. Титов, Н. И. Файнер, И. П. Цырендоржиева, Л. И. Чернявский, Л. В. Яковкина // Новосибирск : Изд-во СО РАН, 2013. – 175 с.

13. Файнер, Н. И. От кремнийорганических соединений-предшественников — к многофункциональному карбонитриду кремния / Н. И. Файнер // ЖОХ. – 2012. – Т. 82, № 1. – С. 47—56.

14. Fainer, N. I. Thin silicon carbonitride films are perspective low-k materials / N. I. Fainer, M. L. Kosinova, Yu. M. Rumyantsev, E. A. Maximovskii, F. A. Kuznetsov // J. Phys. Chem. Solids. – 2008. – V. 69. – P. 661—668.

15. Akkerman, Z. L. Chemical stability of hydrogen−containing boron nitride films obtained by plasma enhanced chemical vapour deposition / Z. L.Akkerman, M. L. Kosinova, N. I. Fainer, Yu. M. Rumyantsev, N. P. Sysoeva // Thin Solid Films. – 1995. – V. 260. – P. 156—161.

16. Sulyaeva, V. S. PECVD synthesis and optical properties of BCxNy films obtained from N-triethylborazine as a single-source precursor / V. S. Sulyaeva, M. L. Kosinova, Yu. M. Rumyantsev, V. G. Kesler, F. A. Kuznetsov // Surf. Coat. Tech. – 2013. – V. 230. – P. 145—151.

17. Голубенко, А. Н. Термодинамическое моделирование процесса химического осаждения фаз различного состава в системе B-C-N из смеси N-триметилборазина и аммиака // А. Н. Голубенко, М. Л. Косинова, А. А. Титов, Ф. А. Кузнецов / Неорган. материалы. – 2012. – Т. 48. № 7. – C. 792—795.

18. Pavlyuk, A. A. Low thermal gradient technique and method for large oxide crystals growth from melt and flux / A. A. Pavlyuk, Ya. V. Vasiliev, L. Yu. Kharchenko, F. A. Kuznetsov // Proc. Of APSAM-92 (Asia Pacific Society for Advanced Materials.). – Shanghai, China, 1992. P. 164—171.

19. Васильев, Я. В. Экспортно ориентированное произ водство сцинтилляционных элементов BGO / Я. В. Васильев, Г. Н. Кузнецов, Ю. Г. Стенин, В. Н. Шлегель // Изв. вузов. Материалы электронной техники. – 2001. – № 3. – C. 18—22.

20. Borovlev, Yu. A. Progress in growth of large sized BGO crystals by the low-thermal-gradient Czochralski technique / Yu. A. Borovlev, N. V. Ivannikova, V. N. Shlegel, Ya. V. Vasiliev, V. A. Gusev // J. Cryst. Growth. – 2001. – V. 229, Iss. 1—4. – P. 305—311.

21. Mamedov, V. M. Control of multi−zone resistive heater in low temperature gradient BGO Czochralski growth with a weighing feedback, based on the global dynamic heat transfer model / V. M. Mamedov, M. G. Vasiliev, V. S. Yuferev, D. Pantsurkin, V. N. Shlegel, Ya. V. Vasiliev // Ibid. – 2010. – V. 312. – P. 2814—2822.

22. Васильев, Я. В. Низкоградиентная технология роста сцинтилляционных оксидных кристаллов / Я. В. Васильев, Ю. А. Боровлев, Е. Н. Галашов, Н. В. Иванникова, Ф. А. Кузнецов, А. А. Павлюк, Ю. Г. Стенин, В. Н. Шлегель // Сцинтилляционные материалы. Инженерия, устройства, применение. – Харьков: ИСМА, 2011. – C. 119—180.

23. Beeman, J. W. A next-generation neutrinoless double beta decay experiment based on ZnMoO4 scintillating bolometers / J. W. Beeman, F. A. Danevich, V. Ya. Degoda, E. N. Galashov, A. Giuliani, V. V. Kobychev, M. Mancuso, S. Marnieros, C. Nonese, E. Olivieri, G. Pessina, C. Rusconi, V. N. Shlegel, V. I. Tretyak, Ya. V. Vasiliev // Phys. Lett. B. – 2012. – V. 710. – P. 318–323.

24. Kasimkin, P. V. A new approach to the CZ crystal growth weighing control / P. V. Kasimkin, V. A. Moskovskih, Y. V. Vasiliev, V. N. Shlegel, V. S. Yuferev, M. G. Vasiliev, V. N. Zhdankov // J. Cryst. Growth. – 2014. – V. 390. – P. 67—70.

25. Кузнецов, Ф. А. Термодинамическое моделирование в электронном материаловедении / Ф. А. Кузнецов // Процессы роста полупроводниковых кристаллов и пленок. – Новосибирск : Наука, 1988. – 198 с.

26. Kuznetsov, F. A. Data bank of properties of microelectronic materials / F. A. Kuznetsov, V. A. Titov, A. A. Titov, L. I. Chernyavskii // Proc. Int. Sump. on Adv. Mater. – Jap., 1995. – P. 16—32.