ХИМИЯ И ФУНКЦИОНАЛЬНЫЕ МАТЕРИАЛЫ. НАУЧНАЯ ШКОЛА АКАДЕМИКА Ф. А. КУЗНЕЦОВА


https://doi.org/10.17073/1609-3577-2014-1-67-75

Полный текст:


Аннотация

Рассмотрен широкий круг проблем, связанных со становлением, развитием и практической реализацией научных исследований в области материаловедения, выполненных коллективом сотрудников Института неорганической химии им. А. В. Николаева СО РАН под руководством академика Ф. А. Кузнецова. Показана плодотворность его идеи комплексного физико-химического изучения каждой стадии приготовления материала: от предшественника к готовому элементу конкретного устройства. Отмечено его безошибочное предвидение значимости выбираемых объектов исследования, его умение связывать проводимые исследования с такими насущными и глобальными проблемами, как электроника, информатика, энергетика, фотовольтаика, а также его способность сплачивать коллектив общей идеей и активное участие в развитии как российской, так и международной науки, оставаясь при этом локомотивом проводимых передовых работ. Статья написана в память о человеке, организаторе науки, ученом и патриоте, чья деятельность всегда была нацелена на прорывные технологии, обеспечивающие процветание и безопасность Родины.


Об авторах

М. Л. Косинова
ФГБУН Институт неорганической химии им. А. В. Николаева СО РАН, 630090, Россия, Новосибирск, просп. акад. Лаврентьева, д. 3.
Россия
кандидат хим.наук, заведующая лабораторией


И. Г. Васильева
ФГБУН Институт неорганической химии им. А. В. Николаева СО РАН, 630090, Россия, Новосибирск, просп. акад. Лаврентьева, д. 3.
Россия
доктор хим. наук, главный научный сотрудник


Я. В. Васильев
ФГБУН Институт неорганической химии им. А. В. Николаева СО РАН, 630090, Россия, Новосибирск, просп. акад. Лаврентьева, д. 3.
Россия
кандидат хим. наук, ведущий научный сотрудник


Т. П. Смирнова
ФГБУН Институт неорганической химии им. А. В. Николаева СО РАН, 630090, Россия, Новосибирск, просп. акад. Лаврентьева, д. 3.
Россия
доктор хим. наук, главный научный сотрудник


Список литературы

1. Резниченко, М. Ф. Способ получения трихлорсилана / М. Ф. Резниченко, Б. М. Кучумов, Ф. А. Кузнецов, Н. К. Куксанов, С. А. Муравицкий, А. В. Лаврухин, А. И. Корчагин, Л. А. Борисова // Пат. RU (11) 2147292(13) C1. 18.02.1999.

2. Резниченко, М. Ф. Использование промышленных ускорителей электронов для активации процессов в технологии кремния / М. Ф. Резниченко, Ф. А. Кузнецов, Н. К. Куксанов, Б. М. Кучумов // Изв. вузов. Материалы электрон. техники. – 2001. – № 4. – C. 28—31.

3. Титов, В. А. Термодинамическое моделирование процесса водородного восстановления трихлорсилана при повышенных давлениях / В. А. Титов, С. В. Сысоев, А. А. Титов, Л. А. Борисова // Тез. докл. семинара СО РАН – УрО РАН. «Термодинамика и неорганические материалы». – Новосибирск, – 2001. – С. 164.

4. Belyi, V. I. Chemical non−uniformity of thin dielectric films produced by ammonolysis of monosilane / V. I. Belyi, F. A. Kuznetsov, T. P. Smirnova, L. V. Chramova, L. Kh. Kravchenko // Thin Solid Films. – 1976. – V. 37. – P. L39—L42.

5. Smirnova, T. P. The mechanism of dehydrogenation of SiNx:H films / T. P. Smirnova, L. V. Yakovkina // Ibid. – 1997. – V. 293. – P. 6—10.

6. Belyi, V. I. Phase composition and structure of native oxides on AIIIBV semiconductors / V. I. Belyi, T. P. Smirnova, N. F. Zakharchuk // Appl. Surf. Sci. −1989. – V. 39. – P. 161—167.

7. Смирнова, Т. П. Фазовый состав и структура пленок собственного оксида на GaAs / Т. П. Смирнова, Н. Д. Захарчук, В. И. Белый // Неорган. материалы. – 1991. – Т. 26. – С. 492—499.

8. Smirnova, T. P. Chemical vapor deposition and characterization of hafnium oxide films / T. P. Smirnova, L. V. Yakovkina, V. N. Kitchai, V. V. Kaichev, Yu. V. Shubin, N. V. Morozova, K. V. Zherikova // J. Phys. Chem. Sol. – 2008. – V. 69, N 2—3. – P. 685—687.

9. Smirnova, T. P. Phase formation in double oxide films of Hf−La−O system / T. P. Smirnova, L. V. Yakovkina,V. O. Borisov // J. Crystal Growth. – 2013. – V. 377. – P. 212—216.

10. Smirnova, T. P. SiCN Alloys obtained by remote plasma chemical vapor deposition from novel precursors / T. P. Smirnova, A. M. Badalian, L. V. Yakovkina, V. V. Kaichev, V. I. Bukhtiyarov, A. N. Shmakov, I. P. Asanov. V. I Rachlin, A. N. Fomina // Thin Solid Films. – 2003. – V. 429. – P. 144—151.

11. Кузнецов, Ф. А. Новые металлорганические прекурсоры и процессы химического осаждения из газовой фазы в технологиях наноматериалов / Ф. А. Кузнецов, Т. П. Смирнова, Н. И. Файнер, Н. Б. Морозова, И. К. Игуменов // Изв. вузов. Материалы электрон. техники. – 2012. – № 2. – С. 4—12.

12. Кузнецов, Ф. А. Фундаментальные основы процессов химического осаждения пленок и структур для наноэлектроники / Ф. А. Кузнецов, М. Г. Воронков, В. О. Борисов, И. К. Игуменов, В. В. Каичев, В. Г. Кеслер, В. В. Кириенко, В. Н. Кичай, М. Л. Косинова, В. В. Кривенцев, М. С. Лебедев, А. В. Лис, Н. Б. Морозова, Л. Д. Никулина, В. И. Рахлин, Ю. М. Румянцев, Т. П. Смирнова, В. С. Суляева, С. В. Сысоев, А. А. Титов, Н. И. Файнер, И. П. Цырендоржиева, Л. И. Чернявский, Л. В. Яковкина // Новосибирск : Изд-во СО РАН, 2013. – 175 с.

13. Файнер, Н. И. От кремнийорганических соединений-предшественников — к многофункциональному карбонитриду кремния / Н. И. Файнер // ЖОХ. – 2012. – Т. 82, № 1. – С. 47—56.

14. Fainer, N. I. Thin silicon carbonitride films are perspective low-k materials / N. I. Fainer, M. L. Kosinova, Yu. M. Rumyantsev, E. A. Maximovskii, F. A. Kuznetsov // J. Phys. Chem. Solids. – 2008. – V. 69. – P. 661—668.

15. Akkerman, Z. L. Chemical stability of hydrogen−containing boron nitride films obtained by plasma enhanced chemical vapour deposition / Z. L.Akkerman, M. L. Kosinova, N. I. Fainer, Yu. M. Rumyantsev, N. P. Sysoeva // Thin Solid Films. – 1995. – V. 260. – P. 156—161.

16. Sulyaeva, V. S. PECVD synthesis and optical properties of BCxNy films obtained from N-triethylborazine as a single-source precursor / V. S. Sulyaeva, M. L. Kosinova, Yu. M. Rumyantsev, V. G. Kesler, F. A. Kuznetsov // Surf. Coat. Tech. – 2013. – V. 230. – P. 145—151.

17. Голубенко, А. Н. Термодинамическое моделирование процесса химического осаждения фаз различного состава в системе B-C-N из смеси N-триметилборазина и аммиака // А. Н. Голубенко, М. Л. Косинова, А. А. Титов, Ф. А. Кузнецов / Неорган. материалы. – 2012. – Т. 48. № 7. – C. 792—795.

18. Pavlyuk, A. A. Low thermal gradient technique and method for large oxide crystals growth from melt and flux / A. A. Pavlyuk, Ya. V. Vasiliev, L. Yu. Kharchenko, F. A. Kuznetsov // Proc. Of APSAM-92 (Asia Pacific Society for Advanced Materials.). – Shanghai, China, 1992. P. 164—171.

19. Васильев, Я. В. Экспортно ориентированное произ водство сцинтилляционных элементов BGO / Я. В. Васильев, Г. Н. Кузнецов, Ю. Г. Стенин, В. Н. Шлегель // Изв. вузов. Материалы электронной техники. – 2001. – № 3. – C. 18—22.

20. Borovlev, Yu. A. Progress in growth of large sized BGO crystals by the low-thermal-gradient Czochralski technique / Yu. A. Borovlev, N. V. Ivannikova, V. N. Shlegel, Ya. V. Vasiliev, V. A. Gusev // J. Cryst. Growth. – 2001. – V. 229, Iss. 1—4. – P. 305—311.

21. Mamedov, V. M. Control of multi−zone resistive heater in low temperature gradient BGO Czochralski growth with a weighing feedback, based on the global dynamic heat transfer model / V. M. Mamedov, M. G. Vasiliev, V. S. Yuferev, D. Pantsurkin, V. N. Shlegel, Ya. V. Vasiliev // Ibid. – 2010. – V. 312. – P. 2814—2822.

22. Васильев, Я. В. Низкоградиентная технология роста сцинтилляционных оксидных кристаллов / Я. В. Васильев, Ю. А. Боровлев, Е. Н. Галашов, Н. В. Иванникова, Ф. А. Кузнецов, А. А. Павлюк, Ю. Г. Стенин, В. Н. Шлегель // Сцинтилляционные материалы. Инженерия, устройства, применение. – Харьков: ИСМА, 2011. – C. 119—180.

23. Beeman, J. W. A next-generation neutrinoless double beta decay experiment based on ZnMoO4 scintillating bolometers / J. W. Beeman, F. A. Danevich, V. Ya. Degoda, E. N. Galashov, A. Giuliani, V. V. Kobychev, M. Mancuso, S. Marnieros, C. Nonese, E. Olivieri, G. Pessina, C. Rusconi, V. N. Shlegel, V. I. Tretyak, Ya. V. Vasiliev // Phys. Lett. B. – 2012. – V. 710. – P. 318–323.

24. Kasimkin, P. V. A new approach to the CZ crystal growth weighing control / P. V. Kasimkin, V. A. Moskovskih, Y. V. Vasiliev, V. N. Shlegel, V. S. Yuferev, M. G. Vasiliev, V. N. Zhdankov // J. Cryst. Growth. – 2014. – V. 390. – P. 67—70.

25. Кузнецов, Ф. А. Термодинамическое моделирование в электронном материаловедении / Ф. А. Кузнецов // Процессы роста полупроводниковых кристаллов и пленок. – Новосибирск : Наука, 1988. – 198 с.

26. Kuznetsov, F. A. Data bank of properties of microelectronic materials / F. A. Kuznetsov, V. A. Titov, A. A. Titov, L. I. Chernyavskii // Proc. Int. Sump. on Adv. Mater. – Jap., 1995. – P. 16—32.


Дополнительные файлы

Для цитирования: Косинова М.Л., Васильева И.Г., Васильев Я.В., Смирнова Т.П. ХИМИЯ И ФУНКЦИОНАЛЬНЫЕ МАТЕРИАЛЫ. НАУЧНАЯ ШКОЛА АКАДЕМИКА Ф. А. КУЗНЕЦОВА. Известия высших учебных заведений. Материалы электронной техники. 2014;(1):67-75. https://doi.org/10.17073/1609-3577-2014-1-67-75

For citation: Kosinova M.L., Vasil'eva I.G., Vasil'ev Y.V., Smirnova T.P. CHEMISTRY AND FUNCTIONAL MATERIALS. SCHOOL OF SCIENCES OF ACADEMICIAN F. A. KUZNETSOV. Izvestiya Vysshikh Uchebnykh Zavedenii. Materialy Elektronnoi Tekhniki = Materials of Electronics Engineering. 2014;(1):67-75. (In Russ.) https://doi.org/10.17073/1609-3577-2014-1-67-75

Просмотров: 242

Обратные ссылки

  • Обратные ссылки не определены.


Creative Commons License
Контент доступен под лицензией Creative Commons Attribution 4.0 License.


ISSN 1609-3577 (Print)
ISSN 2413-6387 (Online)