ЭВОЛЮЦИЯ СИСТЕМЫ МОДЕЛЕЙ И АЛГОРИТМОВ ДЛЯ РАСЧЕТОВ ПАРАМЕТРОВ ТЕХНОЛОГИЧЕСКИХ ПРОЦЕССОВ ПОЛУЧЕНИЯ МАТЕРИАЛОВ МИКРО– И НАНОЭЛЕКТРОНИКИ


https://doi.org/10.17073/1609-3577-2016-3-179-188

Полный текст:


Аннотация

Рассмотрены результаты создания системы моделей и алгоритмов расчетов параметров технологических процессов получения материалов микро− и наноэлектроники и проектирования оборудования. Акцентируется внимание на том, что отличительной чертой методики преподавания специальных технологических курсов материалов электронной техники является построение курсов по аналогии с технологическими процессами получения материалов для электроники: от объемного монокристалла до приборных структур, размеры которых в настоящее время не превышают нескольких десятков нанометров. Научный модельный подход к решению технологических задач формировался при изучении процессов тепло− и массобмена, которые в совокупности с процессами взаимодействия в жидкостях и газе, с учетом гетерогенных реакций, являются теоретической основой технологии материалов электронной техники. Проведено сравнение возможностей физического и математического моделирования. Рассмотрены подходы к созданию математических моделей процессов роста монокристаллов полупроводников, эпитаксиальных слоев и гетероструктур и определены возможности их практического использования. Показано, что идеи, заложенные В. В. Крапухиным на начальных этапах подготовки специалистов в области технологии материалов электронной техники и развиваемые его учениками, определили возможности подготовки нескольких поколений квалифицированных специалистов.

Об авторах

В. В. Крапухин
Национальный исследовательский технологический университет «МИСиС».
Россия
Крапухин Всеволод Валерьевич — профессор.  Ленинский просп., д. 4, Москва, 119049.


В. Г. Косушкин
Московский государственный технический университет им. Н. Э. Баумана.
Россия
Косушкин Виктор Григорьевич — доктор техн. наук, профессор. 2−я Бауманская ул., д. 5, стр. 1, Москва, 105005.


Л. В. Кожитов
Национальный исследовательский технологический университет «МИСиС».
Россия
Кожитов Лев Васильевич — доктор техн. наук, профессор.  2−я Бауманская ул., д. 5, стр. 1, Москва, 105005.


В. Г. Костишин
Национальный исследовательский технологический университет «МИСиС».
Россия
Костишин Владимир Григорьевич — доктор физ.−мат. наук, профессор, зав. кафедрой «Технология материалов электроники». 2−я Бауманская ул., д. 5, стр. 1, Москва, 105005.


Д. Г. Муратов
Национальный исследовательский технологический университет «МИСиС».
Россия
Муратов Дмитрий Геннадиевич — кандидат техн. наук, старший научный сотрудник. 2−я Бауманская ул., д. 5, стр. 1, Москва, 105005.


А. В. Попкова
Тверской государственный университет.
Россия

Попкова Алена Васильевна — старший научный сотрудник.

ул. Желябова, д. 33, Тверь, 170100.



Список литературы

1. Крапухин, В. В. Технология материалов электронной техники / В. В. Крапухин, Г. Д. Кузнецов, И. А. Соколов. − М. : Металлургия, 1996. − 486 с.

2. Соколов, И. А. Расчеты процессов полупроводниковой технологии / И. А. Соколов. − М. : Металлургия, 1994. − 136 с.

3. Кожитов, Л. В. Технология материалов микро− и наноэлектроники / Л. В. Кожитов, В. Г. Косушкин, В. В. Крапухин, Ю. Н. Пархоменко. − М. : МИСИС, 2007. − 526 с.

4. Кожитов, Л. В. Технология эпитаксиальных гетерокомпозиций: учебное пособие / Л. В. Кожитов, В. В. Крапухин, В. А. Улыбин. − М. : МИСИС, 2001. − 156 с.

5. Косушкин, В. Г. Управление ростом кристаллов низкоэнергетическими воздействиями / В. Г. Косушкин. − Калуга : Изд. научной литературы Н. Ф. Бочкаревой, 2004. − 272 с.

6. Кожитов, Л. В. Оборудование полупроводникового производства / Л. В. Кожитов, И. Г. Блинов. − М. : Машиностроение, 1986. − 264 с.

7. Скворцов, И. М. Технология и аппаратура газовой эпитаксии кремния и германия / И. М. Скворцов, И. И. Лапидус, Б. В. Орион, Л. В. Кожитов, В. К. Аникин. − М. : Энергия, 1978. − 136 с.

8. Черняев, В. Н. Технология эпитаксиальных слоев арсенида галлия и приборы на их основе: монография / В. Н. Черняев, Л. В. Кожитов. − М. : Энергия, 1974. − 256 с.

9. Кожитов, Л. В. Жидкофазная эпитаксия кремния / Л. В. Кожитов, В. В. Липатов, А. С. Тимошин, М. П. Волков. − М. : Металлургия, 1989. − 200 с.

10. Крапухин, В. В. Физико−химические основы технологии полупроводниковых материалов / В. В. Крапухин, И. А. Соколов, Г. Д. Кузнецов. − М. : Изд−во «МИСиС», 1995.

11. Кожитов, Л. В. Технологическое вакуумное оборудование / Л. В. Кожитов, Н. А. Чиченев, С. Г. Емельянов, В. Г. Косушкин. − Курск : ЮЗГУ, 2014. − 552 с.

12. Головатый, Ю. П. Модели и алгоритмы технологических процессов получения новых материалов: учеб. пособие / Ю. П. Головатый, В. Г. Косушкин, С. Г. Емельянов, Л. М. Червяков, В. Г. Костишин, Л. В. Кожитов, В. Г. Бебенин. − Курск : ЮЗГУ, 2014. − 282 с.

13. Косушкин, В. Г. Расчеты параметров технологических процессов получения новых материалов: учеб. пособие / В. Г. Косушкин, С. А. Адарчин, Л. В. Кожитов, С. Г. Емельянов, В. Г. Костишин, Д. Г. Муратов, Л. М. Червяков, В. Г. Бебенин. − Курск : ЮЗГУ, 2016. − 314 с.

14. Кожитов, Л. В. Технология материалов микро− и наноэлектроники / Л. В. Кожитов, С. Г. Емельянов, В. Г. Косушкин, С. С. Стрельченко, Ю. Н. Пархоменко, В. В. Козлов, С. Л. Кожитов. − Курск : ЮЗГУ, 2012. − 862 с.

15. Карамурзов, Б. С. Модели, технологии и оборудование роста кристаллов и эпитаксиальных слоев: монография / Б. С. Карамурзов, Л. В. Кожитов, В. Г. Косушкин, С. С. Стрельченко, С. Л. Кожитов. − Нальчик : Кабардино−Балкарский ун−т, 2011. − 334 с.

16. Мазалов, А. В. Влияние условий роста на структурное совершенство слоев AlN, полученных методом МОС−гидридной эпитаксии / А. В. Мазалов, Д. Р. Сабитов, В. А. Курешов, А. А. Падалица, А. А. Мармалюк, Р. Х. Акчурин // Известия вузов. Материалы электронной техники. − 2013. − № 1. − С. 45—48. DOI: 10.17073/1609-3577-2013-1-45-48

17. Простомолотов, А. И. Дистанционное и сопряженное моделирование тепломассопереноса и дефектообразование в технологических процессах / А. И. Простомолотов, Н. А. Верезуб, Х. Х. Ильясов // Известия вузов. Материалы электронной техники. − 2015. − Т. 18, № 1. − С. 31—36. DOI: 10.17073/1609-3577-2015-1-31-36

18. Абгарян, К. К. Математическое моделирование процессов формирования кластеров точечных дефектов в кремнии на базе молекулярно−динамического подхода / К. К. Абгарян, О. В. Володина, С. И. Уваров // Известия вузов. Материалы электронной техники. – 2015. – Т. 18, № 1. – С. 37—42. DOI: 10.17073/1609-35772015-1-37-42

19. Филиппов, М. М. Применение математической модели для сопровождения процесса выращивания монокристаллов в многозонных термических установках / М. М. Филиппов, А. И. Грибенюков, В. Е. Гинсар, Ю. В. Бабушкин // Известия вузов. Материалы электронной техники. − 2013. − № 2. − С. 26—31. DOI: 10.17073/1609-3577-2013-2-26-31

20. Верезуб, Н. А. Расчетно−экспериментальное исследование влияния тепловых процессов на форму фронта кристаллизации гептадекана и галлия в модели метода Чохральского / Н. А. Верезуб, А. И. Простомолотов, В. С. Бердников, В. А. Винокуров // Известия вузов. Материалы электронной техники. − 2014. − Т. 17, № 4. − С. 257—267. DOI: 10.17073/1609-3577-2014-4-257-267

21. Machlin, E. An introduction to aspects of thermodynamics and kinetics relevant to material science / E. Machlin. − Amsterdam; Boston; Heidelberg; London; New York; Oxford; Paris; San Diego; San Francisco; Singapore; Sydney; Tokyo: Elsevier, 2014. − 480 p.

22. Byrappa, K. Crystal Growth Technology / K. Byrappa, T. Ohachi. − Norwich; New York: William Andrew publishing, 2016. − 585 p.

23. Ulrich, J. Heat and mass transfer operations — crystallization / J. Ulrich, M. J. Jones // Enciclopedia of the Life Support Systems. Developed under the Auspices of the UNESCO. − Oxford (UK): Tolss Publishtrs. URL: http://www.eolss.net/


Дополнительные файлы

Для цитирования: Крапухин В.В., Косушкин В.Г., Кожитов Л.В., Костишин В.Г., Муратов Д.Г., Попкова А.В. ЭВОЛЮЦИЯ СИСТЕМЫ МОДЕЛЕЙ И АЛГОРИТМОВ ДЛЯ РАСЧЕТОВ ПАРАМЕТРОВ ТЕХНОЛОГИЧЕСКИХ ПРОЦЕССОВ ПОЛУЧЕНИЯ МАТЕРИАЛОВ МИКРО– И НАНОЭЛЕКТРОНИКИ. Известия высших учебных заведений. Материалы электронной техники. 2016;19(3):179-188. https://doi.org/10.17073/1609-3577-2016-3-179-188

For citation: Krapukhin V.V., Kosushkin V.G., Kozhitov L.V., Kostishin V.G., Muratov D.G., Popkova A.V. EVOLUTION OF MODELS AND ALGORITHMS FOR PARAMETER CALCULATION IN MICRO– AND NANOELECTRONICS MATERIALS TECHNOLOGY. Izvestiya Vysshikh Uchebnykh Zavedenii. Materialy Elektronnoi Tekhniki = Materials of Electronics Engineering. 2016;19(3):179-188. (In Russ.) https://doi.org/10.17073/1609-3577-2016-3-179-188

Просмотров: 102

Обратные ссылки

  • Обратные ссылки не определены.


Creative Commons License
Контент доступен под лицензией Creative Commons Attribution 4.0 License.


ISSN 1609-3577 (Print)
ISSN 2413-6387 (Online)