УПРУГОНАПРЯЖЕННЫЕ СЛОИ И НАНООСТРОВКИ GESISN В МНОГОСЛОЙНЫХ ПЕРИОДИЧЕСКИХ СТРУКТУРАХ
https://doi.org/10.17073/1609-3577-2017-1-38-44
Аннотация
Об авторах
В. А. Тимофеев
Институт физики полупроводников им. А. В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук.
Россия
Тимофеев Вячеслав Алексеевич — канд. физ.−мат. наук, научный сотрудник. пр. акад. Лаврентьева, д. 13, Новосибирск, 630090.
Россия
Тимофеев Вячеслав Алексеевич — канд. физ.−мат. наук, научный сотрудник. пр. акад. Лаврентьева, д. 13, Новосибирск, 630090.
А. И. Никифоров
Институт физики полупроводников им. А. В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук.
Россия
Никифоров Александр Иванович — канд. физ.−мат. наук, старший научный сотрудник, заведующий лабораторией № 16. пр. акад. Лаврентьева, д. 13, Новосибирск, 630090.
Россия
Никифоров Александр Иванович — канд. физ.−мат. наук, старший научный сотрудник, заведующий лабораторией № 16. пр. акад. Лаврентьева, д. 13, Новосибирск, 630090.
А. Р. Туктамышев
Институт физики полупроводников им. А. В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук.
Россия
Туктамышев Артур Раисович — аспирант. пр. акад. Лаврентьева, д. 13, Новосибирск, 630090.
Россия
Туктамышев Артур Раисович — аспирант. пр. акад. Лаврентьева, д. 13, Новосибирск, 630090.
А. А. Блошкин
Институт физики полупроводников им. А. В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук.
Россия
Блошкин Алексей Александрович — канд. физ.−мат. наук, научный сотрудник. пр. акад. Лаврентьева, д. 13, Новосибирск, 630090.
Россия
Блошкин Алексей Александрович — канд. физ.−мат. наук, научный сотрудник. пр. акад. Лаврентьева, д. 13, Новосибирск, 630090.
В. И. Машанов
Институт физики полупроводников им. А. В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук.
Россия
Машанов Владимир Иванович — канд. физ.−мат. наук, старший научный сотрудник. пр. акад. Лаврентьева, д. 13, Новосибирск, 630090.
Россия
Машанов Владимир Иванович — канд. физ.−мат. наук, старший научный сотрудник. пр. акад. Лаврентьева, д. 13, Новосибирск, 630090.
С. А. Тийс
Институт физики полупроводников им. А. В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук.
Россия
Россия
Тийс Сергей Александрович — канд. физ.−мат. наук, старший научный сотрудник.
пр. акад. Лаврентьева, д. 13, Новосибирск, 630090.
И. Д. Лошкарев
Институт физики полупроводников им. А. В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук.
Россия
Лошкарев Иван Дмитриевич — канд. физ.−мат. наук, научный сотрудник. пр. акад. Лаврентьева, д. 13, Новосибирск, 630090.
Россия
Лошкарев Иван Дмитриевич — канд. физ.−мат. наук, научный сотрудник. пр. акад. Лаврентьева, д. 13, Новосибирск, 630090.
Н. А. Байдакова
Институт физики микроструктур Российской академии наук.
Россия
Россия
Байдакова Наталья Алексеевна — канд. физ.−мат. наук, младший научный сотрудник.
ул. Академическая, д. 7, д. Афонино, Нижегородская обл., Кстовский район, 603087.
Список литературы
1. Soref R. A., Perry C. H. Predirect bandgap of the new semiconductor SiGeSn // J. Appl. Phys. − 1991. − V. 69, N 1. − P. 539—541. DOI: 10.1063/1.347704
2. Moontragoon P., Ikonić Z., Harrison P. Band structure calculation of Si—Ge—Sn alloys: achieving direct bandgap materials // Semicond. Sci. Technol. − 2007. − V. 22, N 7. − P. 742—748. DOI: 10.1088/0268−1242/22/7/012
3. Du W., Ghetmiri S. A., Conley B. R., Mosleh A., Nazzal A., Soref R. A., Sun G., Tolle J., Margetis J., Naseem H. A., Yu S.−Q. Competition of optical transitions between direct and indirect bandgaps in Ge1−xSnx // Appl. Phys. Lett. − 2014. − V. 105, N 5. − P. 051104−1—4. DOI: 10.1063/1.4892302
4. Senaratne C. L., Gallagher J. D., Aoki T., Kouvetakis J., Menéndez J. Advances in light emission from group−IV alloys via lattice engineering and n−type doping based on custom−designed chemistries // Chem. Mater. − 2014. − V. 26, N 20. − P. 6033—6041. DOI: 10.1021/cm502988y
5. Wirths S., Buca D., Mantl S. Si—Ge—Sn alloys: From growth to applications // Progress in crystal growth and characterization of materials. − 2016. − V. 62, N 1. − P. 1—39. DOI: 10.1016/j.pcrysgrow.2015.11.001
6. Wirths S., Geiger R., von den Driesch N., Mussler G., Stoica T., Mantl S., Ikonic Z., Luysberg M., Chiussi S., Hartman J. M., Sigg H., Faist J., Buca D., Grützmacher D. Lasing in direct−bandgap GeSn alloy grown on Si // Nature Photonics. − 2015. − V. 9. − P. 88—92. DOI: 10.1038/nphoton.2014.321
7. Asano T., Terashima T., Yamaha T., Kurosawa M., Takeuchi W., Taoka N., Nakatsuka O., Zaima S. Epitaxial growth and crystalline properties of Ge1−x−ySixSny on Ge(001) substrates // Solid−State Electronics. − 2015. − V. 110. − P. 49—53. DOI: 10.1016/j.sse.2015.01.006
8. Esteves R. J. A., Hafiz S., Demchenko D. O., Özgur Ü., Arachchige I. U. Ultra−small Ge1−xSnx quantum dots with visible photoluminescence // Chem. Commun. − 2016. − V. 52, N 78. − P. 11665—11668. DOI: 10.1039/c6cc04242b
9. Wirths S., Tiedemann A. T., Ikonic Z., Harrison P., Holländer B., Stoica T., Mussler G., Myronov M., Hartmann J. M., Grützmacher D., Buca D., Mantl S. Band engineering and growth of tensile strained Ge/(Si)GeSn heterostructures for tunnel field effect transistors // Appl. Phys. Lett. − 2013. − V. 102, N 19. − P. 192103−1—4. DOI: 10.1063/1.4805034
10. von den Driesch N., Stange D., Wirths S., Mussler G., Holländer B., Ikonic Z., Hartmann J. M., Stoica T., Mantl S., Grützmacher D., Buca D. Direct bandgap group IV epitaxy on Si for laser applications // Chem. Mater. − 2015. − V. 27, N 13. − P. 4693—4702. DOI: 10.1021/acs.chemmater.5b01327
11. Kato K., Asano T., Taoka N., Sakashita M., Takeuchi W., Nakatsuka O., Zaima S. Robustness of Sn precipitation during thermal oxidation of Ge1−xSnx on Ge(001) // Jpn. J. Appl. Phys. − 2014. − V. 53, N 8S1. − P. 08LD04−1—8. DOI: 10.7567/JJAP.53.08LD04
12. Taoka N., Asano T., Yamaha T., Terashima T., Nakatsuka O., Costina I., Zaumseil P., Capellini G., Zaima S., Schroeder T. Non− uniform depth distributions of Sn concentration induced by Sn migration and desorption during GeSnSi layer formation // Appl. Phys. Lett. − 2015. − V. 106, N 6. − P. 061107−1—5. DOI: 10.1063/1.4908121
13. van de Walle C. G. Band lineups and deformation potentials in the model−solid theory // Phys. Rev. B. − 1989. − V. 39, N 3. − P. 1871—1883. DOI: 10.1103/PhysRevB.39.1871
14. El Kurdi M., Sauvage S., Fishman G., Boucaud P. Band− edge alignment of SiGe/Si quantum wells and SiGe/Si self−assembled islands // Phys. Rev. B. − 2006. − V. 73, N 19. − P. 195327−1—9. DOI: 10.1103/PhysRevB.73.195327
15. Jaros M. Simple analytic model for heterojunction band offsets // Phys. Rev. B. − 1988. − V. 37, N 12. − P. 7112—7114. DOI: 10.1103/PhysRevB.37.7112
16. Moontragoon P., Soref R., Ikonic Z. The direct and indirect bandgaps of unstrained SixGe1−x−ySny and their photonic device applications // J. Appl. Phys. − 2012. − V. 112, N 7. − P. 073106−1—8. DOI: 10.1063/1.4757414
17. Fischer I. A., Wendav T., Augel L., Jitpakdeebodin S., Oliveira F., Benedetti A., Stefanov S., Chiussi S., Capellini G., Busch K., Schulze J. Growth and characterization of SiGeSn quantum well photodiodes // Optics Express. − 2015. − V. 23, N 19. − P. 25048—25057. DOI: 10.1364/OE.23.025048
18. Attiaoui A., Moutanabbir O. Indirect−to−direct band gap transition in relaxed and strained Ge1−x−ySixSny ternary alloys // J. Appl. Phys. − 2014. − V. 116, N 6. − P. 063712−1—15. DOI: 10.1063/1.4889926
19. Тимофеев В. А., Никифоров А. И., Туктамышев А. Р., Есин М. Ю., Машанов В. И., Гутаковский А. К., Байдакова Н. А. Напряженные многослойные структуры с псевдоморфными слоями GeSiSn // Физика и техника полупроводников. − 2016. − Т. 50, № 12. − С. 1610—1614.
20. Nikiforov A. I., Mashanov V. I., Timofeev V. A., Pchelyakov O. P., Cheng H.−H. Reflection high energy electron diffraction studies on SixSnyGe1−x−y on Si(100) molecular beam epitaxial growth // Thin Solid Films. − 2014. − V. 557. − P. 188—191. DOI: 10.1016/j. tsf.2013.11.128
Рецензия
Для цитирования:
Тимофеев В.А., Никифоров А.И., Туктамышев А.Р., Блошкин А.А., Машанов В.И., Тийс С.А., Лошкарев И.Д., Байдакова Н.А. УПРУГОНАПРЯЖЕННЫЕ СЛОИ И НАНООСТРОВКИ GESISN В МНОГОСЛОЙНЫХ ПЕРИОДИЧЕСКИХ СТРУКТУРАХ. Известия высших учебных заведений. Материалы электронной техники. 2017;20(1):38-44. https://doi.org/10.17073/1609-3577-2017-1-38-44
For citation:
Timofeev V.A., Nikiforov A.I., Tuktamyshev A.R., Bloshkin A.A., Mashanov V.I., Teys S.A., Loshkarev I.D., Baidakova N.A. MULTILAYERED PERIODICAL STRUCTURES WITH ELASTICALLY STRAINED GESISN LAYERS AND GESISN NANOISLANDS. Izvestiya Vysshikh Uchebnykh Zavedenii. Materialy Elektronnoi Tekhniki = Materials of Electronics Engineering. 2017;20(1):38-44. (In Russ.) https://doi.org/10.17073/1609-3577-2017-1-38-44
Просмотров: 703
Послать статью по эл. почте 