Preview

Известия высших учебных заведений. Материалы электронной техники

Расширенный поиск

О СОВМЕСТНОМ ДЕЙСТВИИ ТЕМПЕРАТУРЫ И ЭЛЕКТРИЧЕСКОГО ТОКА НА ПЛАСТИЧНОСТЬ МОНОКРИСТАЛЛОВ КРЕМНИЯ

https://doi.org/10.17073/1609-3577-2016-1-28-33

Аннотация

В монокристаллах кремния p−типа проводимости (p−Si) исследованы особенности поведения деформационных характеристик в условиях совместного действия электрического тока и температуры, а также отдельно электрического тока. Изучена зависимость изменения удельной электрической проводимости p−Si от температуры при его нагреве и остывании как в условиях сжатия, так и без него. Наблюдается небольшой рост удельного сопротивления p−Si с ростом приложенного давления. В условиях совместного действия на монокристалл температуры и электрического тока обнаружено увеличение сопротивления деформированию. В случае действия только электрического тока при сжатии монокристалла обнаружено увеличение пластических свойств. Изучены поверхностные микроструктуры полученных деформированных образцов. Предложены возможные физические объяснения наблюдаемым явлениям.

Об авторе

А. Р. Велиханов
ФГБУН Институт физики им. Х. И. Амирханова Дагестанского научного центра РАН.
Россия

Велиханов Артур Рауфович — инженер−исследователь. 

ул. М. Ярагского, д. 94, Махачкала, Республика Дагестан, 367003.



Список литературы

1. Coelho, J. Long−range ordering of III−V semiconductor nanostructures by shallowly buried dislocation networks / J. Coelho, G. Patriarche, F. Glas, G. Saint−Girons, I. Sagnes // J. Phys.: Condens. Matter. − 2004. − V. 16, N 45. − P. 7941—7942. DOI: 10.1088/09538984/16/45/016

2. Шкляев, А. А. Предельно плотные массивы наноструктур германия и кремния / А. А. Шкляев, М. Ичикава // УФН. − 2008. − Т. 178, № 2. − С. 139—169. DOI: 10.3367/UFNr.0178.200802b.0139

3. Говорков, В. Г. Влияние температуры на форму кривых сжатия монокристаллов Si / В. Г. Говорков // Кристаллография. − 1961. − Т. 5, вып. 6. − С. 789—791.

4. Скворцова, Н. П. Локализация пластической деформации в кристаллах фтористого кальция при повышенных температурах / Н. П. Скворцова, Е. А. Кривандина, Д. Н. Каримов // ФТТ. − 2008. − Т. 50, вып. 4. − С. 639—643.

5. Клявин, О. В. Пластические свойства и дефектная структура слоистых монокристаллов LiF–LiF: Mg при T = 4,2 К / О. В. Клявин, А. В. Никифоров, В. И. Николаев, В. В. Шпейзман // ФТТ. − 2007. − Т. 49, вып. 2. − С. 258—261.

6. Rabier, J. Plastic deformation of silicon between 20 °C and 425 °C / J. Rabier, P. O. Renault, D. Eyidi, J. L. Demenet, J. Chen, H. Convy, L. Wang // Phys. Status Solidi (c). − 2007. − V. 4, iss. 8. − P. 3110—3114. DOI: 10.1002/pssc.200675480

7. Спицын, В. И. Электропластическая деформация металлов / В. И. Спицын, О. А. Троицкий. − М. : Наука, 1985. − 160 с.

8. Троицкий, О. А. Физические основы и технологии обработки современных материалов. Теория, технология, структура и свойства. В 2 т. / О. А. Троицкий, Ю. В. Баранов, Ю. С. Авраамов, А. Д. Шляпин. − М. ; Ижевск : Институт компьютерных исследований, 2004. − 592 с.

9. Столяров, В. В. Структурные превращения при растяжении с током в титановых сплавах / В. В. Столяров // Письма о материалах. − 2013. − Т. 3. − С. 137—140.

10. Хон, Ю. А. О влиянии электрического потенциала на пластическую деформацию проводников / Ю. А. Хон, П. П. Каминский, Л. Б. Зуев // ФТТ. − 2013. − Т. 55, № 6. − С. 1047—1051.

11. Полякова, А. Л. Деформация полупроводников и полупроводниковых приборов / А. Л. Полякова. − М. : Энергия, 1979. − 168 с.

12. Велиханов, А. Р. // Электропластичность монокристаллов кремния n− и p−типа / А. Р. Велиханов // Известия вузов. Материалы электронной техники. − 2008. − № 2. − C. 25—28.

13. Mahesh, S. Deformation banding and shear banding in single crystals / S. Mahesh // Acta Materialia. − 2006. − V. 54, iss. 17. − P. 4565—4574. DOI: 10.1016/j.actamat.2006.05.043

14. Kveder, V. V. Influence of the dislocation travel distance on the DLTS spectra of dislocations in Cz−Si / V. V. Kveder, V. I. Orlov, M. Khorosheva, M. Seibt // Solid State Phenomena. − 2008. − V. 131− 133. − P. 175—182. DOI: 10.4028/www.scientific.net/SSP.131-133.175

15. Ellis, W. C. Production of acceptor centers in germanium and silicon by plastic deformation / W. C. Ellis, E. S. Greiner // Phys. Rev. − 1953. − V. 92, N 4. − P. 1061—1062. DOI: 10.1103/PhysRev.92.1061.2


Рецензия

Для цитирования:


Велиханов А.Р. О СОВМЕСТНОМ ДЕЙСТВИИ ТЕМПЕРАТУРЫ И ЭЛЕКТРИЧЕСКОГО ТОКА НА ПЛАСТИЧНОСТЬ МОНОКРИСТАЛЛОВ КРЕМНИЯ. Известия высших учебных заведений. Материалы электронной техники. 2016;19(1):28-33. https://doi.org/10.17073/1609-3577-2016-1-28-33

For citation:


Velikhanov A.R. ABOUT JOINT ACTION OF THE TEMPERATURE AND ELECTRIC CURRENT ON PLASTIC SINGLE–CRYSTALLINE SILICON. Izvestiya Vysshikh Uchebnykh Zavedenii. Materialy Elektronnoi Tekhniki = Materials of Electronics Engineering. 2016;19(1):28-33. (In Russ.) https://doi.org/10.17073/1609-3577-2016-1-28-33

Просмотров: 842


Creative Commons License
Контент доступен под лицензией Creative Commons Attribution 4.0 License.


ISSN 1609-3577 (Print)
ISSN 2413-6387 (Online)