.png)
.png)
Послать статью по эл. почте 
О СОВМЕСТНОМ ДЕЙСТВИИ ТЕМПЕРАТУРЫ И ЭЛЕКТРИЧЕСКОГО ТОКА НА ПЛАСТИЧНОСТЬ МОНОКРИСТАЛЛОВ КРЕМНИЯ
https://doi.org/10.17073/1609-3577-2016-1-28-33
Аннотация
Об авторе
А. Р. ВелихановРоссия
Велиханов Артур Рауфович — инженер−исследователь.
ул. М. Ярагского, д. 94, Махачкала, Республика Дагестан, 367003.
Список литературы
1. Coelho, J. Long−range ordering of III−V semiconductor nanostructures by shallowly buried dislocation networks / J. Coelho, G. Patriarche, F. Glas, G. Saint−Girons, I. Sagnes // J. Phys.: Condens. Matter. − 2004. − V. 16, N 45. − P. 7941—7942. DOI: 10.1088/09538984/16/45/016
2. Шкляев, А. А. Предельно плотные массивы наноструктур германия и кремния / А. А. Шкляев, М. Ичикава // УФН. − 2008. − Т. 178, № 2. − С. 139—169. DOI: 10.3367/UFNr.0178.200802b.0139
3. Говорков, В. Г. Влияние температуры на форму кривых сжатия монокристаллов Si / В. Г. Говорков // Кристаллография. − 1961. − Т. 5, вып. 6. − С. 789—791.
4. Скворцова, Н. П. Локализация пластической деформации в кристаллах фтористого кальция при повышенных температурах / Н. П. Скворцова, Е. А. Кривандина, Д. Н. Каримов // ФТТ. − 2008. − Т. 50, вып. 4. − С. 639—643.
5. Клявин, О. В. Пластические свойства и дефектная структура слоистых монокристаллов LiF–LiF: Mg при T = 4,2 К / О. В. Клявин, А. В. Никифоров, В. И. Николаев, В. В. Шпейзман // ФТТ. − 2007. − Т. 49, вып. 2. − С. 258—261.
6. Rabier, J. Plastic deformation of silicon between 20 °C and 425 °C / J. Rabier, P. O. Renault, D. Eyidi, J. L. Demenet, J. Chen, H. Convy, L. Wang // Phys. Status Solidi (c). − 2007. − V. 4, iss. 8. − P. 3110—3114. DOI: 10.1002/pssc.200675480
7. Спицын, В. И. Электропластическая деформация металлов / В. И. Спицын, О. А. Троицкий. − М. : Наука, 1985. − 160 с.
8. Троицкий, О. А. Физические основы и технологии обработки современных материалов. Теория, технология, структура и свойства. В 2 т. / О. А. Троицкий, Ю. В. Баранов, Ю. С. Авраамов, А. Д. Шляпин. − М. ; Ижевск : Институт компьютерных исследований, 2004. − 592 с.
9. Столяров, В. В. Структурные превращения при растяжении с током в титановых сплавах / В. В. Столяров // Письма о материалах. − 2013. − Т. 3. − С. 137—140.
10. Хон, Ю. А. О влиянии электрического потенциала на пластическую деформацию проводников / Ю. А. Хон, П. П. Каминский, Л. Б. Зуев // ФТТ. − 2013. − Т. 55, № 6. − С. 1047—1051.
11. Полякова, А. Л. Деформация полупроводников и полупроводниковых приборов / А. Л. Полякова. − М. : Энергия, 1979. − 168 с.
12. Велиханов, А. Р. // Электропластичность монокристаллов кремния n− и p−типа / А. Р. Велиханов // Известия вузов. Материалы электронной техники. − 2008. − № 2. − C. 25—28.
13. Mahesh, S. Deformation banding and shear banding in single crystals / S. Mahesh // Acta Materialia. − 2006. − V. 54, iss. 17. − P. 4565—4574. DOI: 10.1016/j.actamat.2006.05.043
14. Kveder, V. V. Influence of the dislocation travel distance on the DLTS spectra of dislocations in Cz−Si / V. V. Kveder, V. I. Orlov, M. Khorosheva, M. Seibt // Solid State Phenomena. − 2008. − V. 131− 133. − P. 175—182. DOI: 10.4028/www.scientific.net/SSP.131-133.175
15. Ellis, W. C. Production of acceptor centers in germanium and silicon by plastic deformation / W. C. Ellis, E. S. Greiner // Phys. Rev. − 1953. − V. 92, N 4. − P. 1061—1062. DOI: 10.1103/PhysRev.92.1061.2
Дополнительные файлы
Для цитирования: Велиханов А.Р. О СОВМЕСТНОМ ДЕЙСТВИИ ТЕМПЕРАТУРЫ И ЭЛЕКТРИЧЕСКОГО ТОКА НА ПЛАСТИЧНОСТЬ МОНОКРИСТАЛЛОВ КРЕМНИЯ. Известия высших учебных заведений. Материалы электронной техники. 2016;19(1):28-33. https://doi.org/10.17073/1609-3577-2016-1-28-33
For citation: Velikhanov A.R. ABOUT JOINT ACTION OF THE TEMPERATURE AND ELECTRIC CURRENT ON PLASTIC SINGLE–CRYSTALLINE SILICON. Izvestiya Vysshikh Uchebnykh Zavedenii. Materialy Elektronnoi Tekhniki = Materials of Electronics Engineering. 2016;19(1):28-33. (In Russ.) https://doi.org/10.17073/1609-3577-2016-1-28-33
Обратные ссылки
- Обратные ссылки не определены.
