.png)
.png)
Послать статью по эл. почте 
ОБЛАСТЬ ГОМОГЕННОСТИ ТЕЛЛУРИДА ЦИНКА
https://doi.org/10.17073/1609-3577-2013-1-4-10
Аннотация
Прямым физико-химическим методом исследована область гомогенности ZnTe в интервале температур 750—1455 K. Показано, что при хранении препаратов ZnTe на воздухе при комнатной температуре происходит окисление его поверхности, в результате которого определяемая концентрация сверхстехиометрического компонента смещается в сторону избытка теллура. Для неокисленных препаратов впервые было показано, что область гомогенности теллурида цинка носит двусторонний характер. Максимальная концентрация избыточного компонента составила: со стороны избытка теллура — 3,4 · 10−4 моль изб. Те/моль ZnTe при 1325 К, со стороны избытка цинка — 4,4 · 10−3 моль изб. Zn/моль ZnTe при 1292 К. Установлено, что при температурах ниже 1200 К линия солидуса имеет ретроградный характер. Учитывая результаты РФА и оптической микроскопии, сделан вывод, что полиморфный переход «вюрцит — сфалерит» в ZnTe протекает по перитектической реакции со стороны избытка обоих компонентов.
Об авторах
И. Х. АветисовРоссия
кандидат хим. наук, доцент
Е. Н. Можевитина
Россия
аспирант
А. В. Хомяков
Россия
ведущий инженер
Р. И. Аветисов
Россия
аспирант
А. Ю. Зиновьев
Россия
ведущий инженер
Список литературы
1. Sato, K. ZnTe pure green light−emitting diodes fabricated by thermal diffusion / K. Sato, M. Hanafusa, A. Noda, A. Arakawa, M. Uchida, T. Asahi, O. Oda // J. Cryst. Growth. – 2000. – N 214—215. – Р. 1080—1084.
2. Sato, K. Recent developments in II—VI substrates / K. Sato, Y. Seki, Y. Matsuda, O. Oda // Ibid. – 1999. – N 197. – Р. 413—422.
3. Triboulet, R. CdTe and related compounds; physics, defects, hetero-and nano-structures crystal growth, surfaces and applications / R. Triboulet, P. Siffert. – Oxford (OX2 8DP.) : Elsevier Science, 2009.
4. Крегер, Ф. Химия несовершенных кристаллов / Ф. Крегер. – М. : Мир, 1969.
5. Абызов, А. С. Выбор полупроводникового материала для детекторов гамма−излучения / А. С. Абызов, В. М. Ажажа, Л. Н. Давыдов, Г. П. Ковтун, В. Е. Кутний, А. В. Рыбка // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. – 2004. – № 3. – С. 3—6.
6. Smith, F. T. J. A high temperature study of native defects in ZnTe / F. T. J. Smith // J. Phys. Chem. Solids. – 1971. – V. 32. – P. 2201—2209.
7. Feltgen, T. P—T—X-phase equilibrium studies in Zn—Te for crystal growth by the Markov method / T. Feltgen, J. H. Greenberg, A. N. Guskov, M. Fiederle, K. W. Benz // Int. J. Inorg. Mater. – 2001. – N 3. – P. 1241—1244.
8. Guskov, V. N. Thermodynamic principles of the synthesis of CdTe, ZnTe and CdZnTe solid solutions / V. N. Guskov, A. D. Izotov // Inorganic Mater. – 2008. – N 44. – P. 1409—1433.
9. Геско, Е. Н. Область гомогенности теллурида цинка / Е. Н. Геско, И. Х. Аветисов, Я. Л. Хариф // Тез. докл. III Всесоюз. конф. «Материаловедение халькогенидных полупроводников». – Черновцы, ЧГУ, 1991. – С. 54.
10. Пальванова, Н. В. Нестехиометрия теллурида цинка / Н. В. Пальванова, А. Ю. Зиновьев, Л. В. Романенкова, И. Х. Аветисов // III Всеросс. конф. «Физико-химические процессы в конденсированном состоянии и на межфазных границах». – Воронеж, 2006. – C. 596—599.
11. Зломанов, В. П. Нестехиометрия и реакционная способность неорганических соединений / В. П. Зломанов // Соровский образовательный журн. – 2001. – № 5. – С. 29—35.
12. Аветисов, И. Х. Перспективы разработки методов определения отклонений от стехиометрии / И. Х. Аветисов // Изв. вузов. Материалы электрон. техники. – 2008. – № 3. – С. 68—75
13. Курбакова, Н. К. Взаимосвязь между условиями синтеза, нестехиометрией и свойствами полупроводникового теллурида кадмия: дисс. … канд. хим. наук / Н. К. Курбакова. – М., 1992. – 145 c.
14. Shiozawa, L. R. Researchon improved II—VI compounds, final report / L. R. Shiozawa, J. M. Jost, G. A. Sullivan // Contract AF 33(615) – 2708. – 1965 – 1968.
15. Хариф, Я. Л. Термодинамика и нестехиометрия халькогенидов свинца и кадмия / Я. Л. Хариф, П. В. Ковтненко, А. А. Майер // Материаловедение полупроводников / под ред. В. М. Глазова. – М. : Металлургия, 1992. −С. 247—272.
16. Chiang, T. C. Part of Landolt—Bцrnstein — group III condensed matter numerical data and functional relationships in science and technology / T. C. Chiang, F. J. Himpsel. – V. 23a. – Subv. A. – Koch Chapter – DOI 10.1007/10377019_28. – Book – DOI 10.1007/b35974.
17. Миркин, Л. И. Справочник по рентгеноструктурному анализу поликристаллов / Л. И. Миркин. – М. : Изд. Физ-матлит., 1961.
18. Pankratz, L. B. High temperature heat contents and entropies of two zinc sulfides and four solid solutions of zinc and iron sulfides / L. B. Pankratz, E. G. King // U. S. Bur. Mines. Rept. Invest. – 1965. – N 6708. – P. 1—8.
19. Kulakov, M. P. Solid state wurtzite—sphalerite transformation and phase boundaries in ZnSe—CdSe / M. P. Kulakov, I. V. Balyakina // J. Cryst. Growth. – 1991. – N 113. – P. 653—658.
20. http://www.webelements.com
21. Dean, J. A. Lange’s Handbook of Chemistry / J. A. Dean. – N. Y. : McGraw-Hill, 2002.
22. Feutelais, Y. A thermodynamic evaluation of the Te-Zn system / Y. Feutelais, A. Haloui, B. Legendre // J. Phase Equilibria. – 1997. – N 18. – P. 48.
Дополнительные файлы
Для цитирования: Аветисов И.Х., Можевитина Е.Н., Хомяков А.В., Аветисов Р.И., Зиновьев А.Ю. ОБЛАСТЬ ГОМОГЕННОСТИ ТЕЛЛУРИДА ЦИНКА. Известия высших учебных заведений. Материалы электронной техники. 2013;(1):4-10. https://doi.org/10.17073/1609-3577-2013-1-4-10
For citation: Avetissov I.K., Mozhevitina E.N., Khomykov A.V., Avetissov R.I., Zinovjev A.Y. ZNTE HOMOGENEITY LIMITS. Izvestiya Vysshikh Uchebnykh Zavedenii. Materialy Elektronnoi Tekhniki = Materials of Electronics Engineering. 2013;(1):4-10. (In Russ.) https://doi.org/10.17073/1609-3577-2013-1-4-10
Обратные ссылки
- Обратные ссылки не определены.
