ОБЛАСТЬ ГОМОГЕННОСТИ ТЕЛЛУРИДА ЦИНКА
https://doi.org/10.17073/1609-3577-2013-1-4-10
Аннотация
Прямым физико-химическим методом исследована область гомогенности ZnTe в интервале температур 750—1455 K. Показано, что при хранении препаратов ZnTe на воздухе при комнатной температуре происходит окисление его поверхности, в результате которого определяемая концентрация сверхстехиометрического компонента смещается в сторону избытка теллура. Для неокисленных препаратов впервые было показано, что область гомогенности теллурида цинка носит двусторонний характер. Максимальная концентрация избыточного компонента составила: со стороны избытка теллура — 3,4 · 10−4 моль изб. Те/моль ZnTe при 1325 К, со стороны избытка цинка — 4,4 · 10−3 моль изб. Zn/моль ZnTe при 1292 К. Установлено, что при температурах ниже 1200 К линия солидуса имеет ретроградный характер. Учитывая результаты РФА и оптической микроскопии, сделан вывод, что полиморфный переход «вюрцит — сфалерит» в ZnTe протекает по перитектической реакции со стороны избытка обоих компонентов.
При поддержке: Работа выполнена с использованием оборудования ЦКП «Центр коллективного пользования науч. оборудованием им. Д. И. Менделеева» в рамках ФЦП «Исследования и разработки по приоритетным направлениям развития научно−технологич. комплекса России на 2007-2013
Об авторах
И. Х. Аветисов
Российский химико−технологический университет им. Д. И. Менделеева, 125047, г. Москва, Миусская пл., д. 9
Россия
кандидат хим. наук, доцент
Россия
кандидат хим. наук, доцент
Е. Н. Можевитина
Российский химико−технологический университет им. Д. И. Менделеева
Россия
аспирант
Россия
аспирант
А. В. Хомяков
Российский химико−технологический университет им. Д. И. Менделеева
Россия
ведущий инженер
Россия
ведущий инженер
Р. И. Аветисов
Российский химико−технологический университет им. Д. И. Менделеева
Россия
аспирант
Россия
аспирант
А. Ю. Зиновьев
Российский химико−технологический университет им. Д. И. Менделеева
Россия
ведущий инженер
Россия
ведущий инженер
Список литературы
1. Sato, K. ZnTe pure green light−emitting diodes fabricated by thermal diffusion / K. Sato, M. Hanafusa, A. Noda, A. Arakawa, M. Uchida, T. Asahi, O. Oda // J. Cryst. Growth. – 2000. – N 214—215. – Р. 1080—1084.
2. Sato, K. Recent developments in II—VI substrates / K. Sato, Y. Seki, Y. Matsuda, O. Oda // Ibid. – 1999. – N 197. – Р. 413—422.
3. Triboulet, R. CdTe and related compounds; physics, defects, hetero-and nano-structures crystal growth, surfaces and applications / R. Triboulet, P. Siffert. – Oxford (OX2 8DP.) : Elsevier Science, 2009.
4. Крегер, Ф. Химия несовершенных кристаллов / Ф. Крегер. – М. : Мир, 1969.
5. Абызов, А. С. Выбор полупроводникового материала для детекторов гамма−излучения / А. С. Абызов, В. М. Ажажа, Л. Н. Давыдов, Г. П. Ковтун, В. Е. Кутний, А. В. Рыбка // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. – 2004. – № 3. – С. 3—6.
6. Smith, F. T. J. A high temperature study of native defects in ZnTe / F. T. J. Smith // J. Phys. Chem. Solids. – 1971. – V. 32. – P. 2201—2209.
7. Feltgen, T. P—T—X-phase equilibrium studies in Zn—Te for crystal growth by the Markov method / T. Feltgen, J. H. Greenberg, A. N. Guskov, M. Fiederle, K. W. Benz // Int. J. Inorg. Mater. – 2001. – N 3. – P. 1241—1244.
8. Guskov, V. N. Thermodynamic principles of the synthesis of CdTe, ZnTe and CdZnTe solid solutions / V. N. Guskov, A. D. Izotov // Inorganic Mater. – 2008. – N 44. – P. 1409—1433.
9. Геско, Е. Н. Область гомогенности теллурида цинка / Е. Н. Геско, И. Х. Аветисов, Я. Л. Хариф // Тез. докл. III Всесоюз. конф. «Материаловедение халькогенидных полупроводников». – Черновцы, ЧГУ, 1991. – С. 54.
10. Пальванова, Н. В. Нестехиометрия теллурида цинка / Н. В. Пальванова, А. Ю. Зиновьев, Л. В. Романенкова, И. Х. Аветисов // III Всеросс. конф. «Физико-химические процессы в конденсированном состоянии и на межфазных границах». – Воронеж, 2006. – C. 596—599.
11. Зломанов, В. П. Нестехиометрия и реакционная способность неорганических соединений / В. П. Зломанов // Соровский образовательный журн. – 2001. – № 5. – С. 29—35.
12. Аветисов, И. Х. Перспективы разработки методов определения отклонений от стехиометрии / И. Х. Аветисов // Изв. вузов. Материалы электрон. техники. – 2008. – № 3. – С. 68—75
13. Курбакова, Н. К. Взаимосвязь между условиями синтеза, нестехиометрией и свойствами полупроводникового теллурида кадмия: дисс. … канд. хим. наук / Н. К. Курбакова. – М., 1992. – 145 c.
14. Shiozawa, L. R. Researchon improved II—VI compounds, final report / L. R. Shiozawa, J. M. Jost, G. A. Sullivan // Contract AF 33(615) – 2708. – 1965 – 1968.
15. Хариф, Я. Л. Термодинамика и нестехиометрия халькогенидов свинца и кадмия / Я. Л. Хариф, П. В. Ковтненко, А. А. Майер // Материаловедение полупроводников / под ред. В. М. Глазова. – М. : Металлургия, 1992. −С. 247—272.
16. Chiang, T. C. Part of Landolt—Bцrnstein — group III condensed matter numerical data and functional relationships in science and technology / T. C. Chiang, F. J. Himpsel. – V. 23a. – Subv. A. – Koch Chapter – DOI 10.1007/10377019_28. – Book – DOI 10.1007/b35974.
17. Миркин, Л. И. Справочник по рентгеноструктурному анализу поликристаллов / Л. И. Миркин. – М. : Изд. Физ-матлит., 1961.
18. Pankratz, L. B. High temperature heat contents and entropies of two zinc sulfides and four solid solutions of zinc and iron sulfides / L. B. Pankratz, E. G. King // U. S. Bur. Mines. Rept. Invest. – 1965. – N 6708. – P. 1—8.
19. Kulakov, M. P. Solid state wurtzite—sphalerite transformation and phase boundaries in ZnSe—CdSe / M. P. Kulakov, I. V. Balyakina // J. Cryst. Growth. – 1991. – N 113. – P. 653—658.
20. http://www.webelements.com
21. Dean, J. A. Lange’s Handbook of Chemistry / J. A. Dean. – N. Y. : McGraw-Hill, 2002.
22. Feutelais, Y. A thermodynamic evaluation of the Te-Zn system / Y. Feutelais, A. Haloui, B. Legendre // J. Phase Equilibria. – 1997. – N 18. – P. 48.
Рецензия
Для цитирования:
Аветисов И.Х., Можевитина Е.Н., Хомяков А.В., Аветисов Р.И., Зиновьев А.Ю. ОБЛАСТЬ ГОМОГЕННОСТИ ТЕЛЛУРИДА ЦИНКА. Известия высших учебных заведений. Материалы электронной техники. 2013;(1):4-10. https://doi.org/10.17073/1609-3577-2013-1-4-10
For citation:
Avetissov I.Kh., Mozhevitina E.N., Khomykov A.V., Avetissov R.I., Zinovjev A.Yu. ZNTE HOMOGENEITY LIMITS. Izvestiya Vysshikh Uchebnykh Zavedenii. Materialy Elektronnoi Tekhniki = Materials of Electronics Engineering. 2013;(1):4-10. (In Russ.) https://doi.org/10.17073/1609-3577-2013-1-4-10
Просмотров:
881
Послать статью по эл. почте 