ZNTE HOMOGENEITY LIMITS
https://doi.org/10.17073/1609-3577-2013-1-4-10
Abstract
The homogeneity limits of ZnTe were examined using direct physical−chemical technique in the temperature range 750—1455 K. It was demonstrated that surface oxidation in the room environment results in the distortion of the observed picture such that an excess of a component may appear with a negative sign. At the same time, in the case of non−oxidized ZnTe, it was demonstrated for the first time the stoichiometrical composition lies within the homogeneity limits. The maximum nonstoichiometries were found to be a 3.4 × 10-4 and 4.4 × 10-3 mole excess of a component per mole of ZnTe for Te at 1369 K and Zn at 1292 K, respectively. At T < 1200 K the solidus lines of both the Te- and Zn-rich boundaries demonstrated retrograde behavior. On the basis of the results obtained from X-ray diffraction and optical microscopy measurements performed on quenched samples, a T—x-projection including a wurtzite-sphalerite-like phase transformation was proposed for the Zn—Te-system.
About the Authors
I. Kh. Avetissov
D. Mendeleyev University of Chemical Technology of Russia
Russian Federation
Russian Federation
E. N. Mozhevitina
D. Mendeleyev University of Chemical Technology of Russia
Russian Federation
Russian Federation
A. V. Khomykov
D. Mendeleyev University of Chemical Technology of Russia
Russian Federation
Russian Federation
R. I. Avetissov
D. Mendeleyev University of Chemical Technology of Russia
Russian Federation
Russian Federation
A. Yu. Zinovjev
D. Mendeleyev University of Chemical Technology of Russia
Russian Federation
Russian Federation
References
1. Sato, K. ZnTe pure green light−emitting diodes fabricated by thermal diffusion / K. Sato, M. Hanafusa, A. Noda, A. Arakawa, M. Uchida, T. Asahi, O. Oda // J. Cryst. Growth. – 2000. – N 214—215. – Р. 1080—1084.
2. Sato, K. Recent developments in II—VI substrates / K. Sato, Y. Seki, Y. Matsuda, O. Oda // Ibid. – 1999. – N 197. – Р. 413—422.
3. Triboulet, R. CdTe and related compounds; physics, defects, hetero-and nano-structures crystal growth, surfaces and applications / R. Triboulet, P. Siffert. – Oxford (OX2 8DP.) : Elsevier Science, 2009.
4. Крегер, Ф. Химия несовершенных кристаллов / Ф. Крегер. – М. : Мир, 1969.
5. Абызов, А. С. Выбор полупроводникового материала для детекторов гамма−излучения / А. С. Абызов, В. М. Ажажа, Л. Н. Давыдов, Г. П. Ковтун, В. Е. Кутний, А. В. Рыбка // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. – 2004. – № 3. – С. 3—6.
6. Smith, F. T. J. A high temperature study of native defects in ZnTe / F. T. J. Smith // J. Phys. Chem. Solids. – 1971. – V. 32. – P. 2201—2209.
7. Feltgen, T. P—T—X-phase equilibrium studies in Zn—Te for crystal growth by the Markov method / T. Feltgen, J. H. Greenberg, A. N. Guskov, M. Fiederle, K. W. Benz // Int. J. Inorg. Mater. – 2001. – N 3. – P. 1241—1244.
8. Guskov, V. N. Thermodynamic principles of the synthesis of CdTe, ZnTe and CdZnTe solid solutions / V. N. Guskov, A. D. Izotov // Inorganic Mater. – 2008. – N 44. – P. 1409—1433.
9. Геско, Е. Н. Область гомогенности теллурида цинка / Е. Н. Геско, И. Х. Аветисов, Я. Л. Хариф // Тез. докл. III Всесоюз. конф. «Материаловедение халькогенидных полупроводников». – Черновцы, ЧГУ, 1991. – С. 54.
10. Пальванова, Н. В. Нестехиометрия теллурида цинка / Н. В. Пальванова, А. Ю. Зиновьев, Л. В. Романенкова, И. Х. Аветисов // III Всеросс. конф. «Физико-химические процессы в конденсированном состоянии и на межфазных границах». – Воронеж, 2006. – C. 596—599.
11. Зломанов, В. П. Нестехиометрия и реакционная способность неорганических соединений / В. П. Зломанов // Соровский образовательный журн. – 2001. – № 5. – С. 29—35.
12. Аветисов, И. Х. Перспективы разработки методов определения отклонений от стехиометрии / И. Х. Аветисов // Изв. вузов. Материалы электрон. техники. – 2008. – № 3. – С. 68—75
13. Курбакова, Н. К. Взаимосвязь между условиями синтеза, нестехиометрией и свойствами полупроводникового теллурида кадмия: дисс. … канд. хим. наук / Н. К. Курбакова. – М., 1992. – 145 c.
14. Shiozawa, L. R. Researchon improved II—VI compounds, final report / L. R. Shiozawa, J. M. Jost, G. A. Sullivan // Contract AF 33(615) – 2708. – 1965 – 1968.
15. Хариф, Я. Л. Термодинамика и нестехиометрия халькогенидов свинца и кадмия / Я. Л. Хариф, П. В. Ковтненко, А. А. Майер // Материаловедение полупроводников / под ред. В. М. Глазова. – М. : Металлургия, 1992. −С. 247—272.
16. Chiang, T. C. Part of Landolt—Bцrnstein — group III condensed matter numerical data and functional relationships in science and technology / T. C. Chiang, F. J. Himpsel. – V. 23a. – Subv. A. – Koch Chapter – DOI 10.1007/10377019_28. – Book – DOI 10.1007/b35974.
17. Миркин, Л. И. Справочник по рентгеноструктурному анализу поликристаллов / Л. И. Миркин. – М. : Изд. Физ-матлит., 1961.
18. Pankratz, L. B. High temperature heat contents and entropies of two zinc sulfides and four solid solutions of zinc and iron sulfides / L. B. Pankratz, E. G. King // U. S. Bur. Mines. Rept. Invest. – 1965. – N 6708. – P. 1—8.
19. Kulakov, M. P. Solid state wurtzite—sphalerite transformation and phase boundaries in ZnSe—CdSe / M. P. Kulakov, I. V. Balyakina // J. Cryst. Growth. – 1991. – N 113. – P. 653—658.
20. http://www.webelements.com
21. Dean, J. A. Lange’s Handbook of Chemistry / J. A. Dean. – N. Y. : McGraw-Hill, 2002.
22. Feutelais, Y. A thermodynamic evaluation of the Te-Zn system / Y. Feutelais, A. Haloui, B. Legendre // J. Phase Equilibria. – 1997. – N 18. – P. 48.
Review
For citations:
Avetissov I.Kh., Mozhevitina E.N., Khomykov A.V., Avetissov R.I., Zinovjev A.Yu. ZNTE HOMOGENEITY LIMITS. Izvestiya Vysshikh Uchebnykh Zavedenii. Materialy Elektronnoi Tekhniki = Materials of Electronics Engineering. 2013;(1):4-10. (In Russ.) https://doi.org/10.17073/1609-3577-2013-1-4-10
Views:
885
Email this article 