Глубокая очистка теллура для производства материалов электроники и фотоники


https://doi.org/10.17073/1609-3577-2016-4-235-240

Полный текст:


Аннотация

Для проведения процесса получе ния высокочистого теллура методом вакуумной  дистилляции предложена конструкция реактора из высокочистых кварцевого стекла и графита. В ходе процесса расплав теллура испаряется, пар переносится из горячей части системы в более холодную и конденсируется в виде твердой фазы (дистиллята) без образования жидкости. Изучены закономерности перераспределения примесей между дистиллятом и кубовым остатком, а также пространственное распределение примесей в дистилляте при проведении очистки металлического теллура. Установлено, что часть примесей, например щелочные металлы, Zn, Ni, V, редкоземельные металлы распределены равномерно по длине  дистиллята (20  см). В то же время концентрация Se в дальней (от перегонного куба) части дистиллята превышает концентрацию в ближней части на порядок.


Об авторах

М. Б. Гришечкин
Российский химико−технологический университет им. Д. И. Менделеева
Россия
Гришечкин Михаил Борисович — ведущий инженер.

Миусская пл., д. 9, стр. 5, Москва, 125047.



Е. Н. Можевитина
Российский химико−технологический университет им. Д. И. Менделеева
Россия
Можевитина Елена Николаевна — кандидат химических наук, старший научный сотрудник.

Миусская пл., д. 9, стр. 5, Москва, 125047.



А. В. Хомяков
Российский химико−технологический университет им. Д. И. Менделеева
Россия

Хомяков Андрей Владимирович — ведущий инженер.

Миусская пл., д. 9, стр. 5, Москва, 125047.



М. П. Зыкова
Российский химико−технологический университет им. Д. И. Менделеева
Россия

Зыкова Марина Павловна — ведущий инженер.

Миусская пл., д. 9, стр. 5, Москва, 125047.



Р. И. Аветисов
ООО «АРМОЛЕД»
Россия

Аветисов Роман Игоревич — кандидат химических наук, генеральный директор.

Миусская пл., д. 9, стр. 5, Москва, 125047.



И. Х. Аветисов
Российский химико−технологический университет им. Д. И. Менделеева
Россия

Аветисов Игорь Христофорович — доктор химических наук, профессор, заведующий кафедрой.

Миусская пл., д. 9, стр. 5, Москва, 125047.



Список литературы

1. CdTe and Related Compounds; Physics, Defects, Hetero− and Nano−structures. Pt II: Crystal growth, Surface and Application / Ed. by R. Triboulet, P. Shiffert. − Oxford: Elsevier, 2010. − 296 p. DOI: 10.1016/B978−0−08−096513−0.00001−7

2. Xu, H. Preparation of low−loss Ge15Ga10Te75 chalcogenide glass for far−IR optics applications / H. Xu, Y. Xe, X. Wang, Q. Nie, P. Zhang, T. Xu, Sh. Dai, X. Zhang, G. Tao // Infrared Phys. Technol. − 2014. − V. 65. − P. 77—82. DOI: 10.1016/j.infrared.2014.03.008

3. Xu, Y. Research into the electrical property variation of undoped CdTe and ZnTe crystals grown under Te−rich conditions / Y. Xu, H. Liu, Y. He, R. Yang, L. Luo, W. Jie // J. Alloys Compd. − 2014. − V. 612. − P. 392—397. DOI: 10.1016/j.jallcom.2014.05.167

4. Nokhwal, R. Study of dislocations in HgCdTe epilayers at (111)B and (110) surfaces using modified defect etchant / R. Nokhwal, R. S. Saxena, B. L. Sharma, A. Kumar, S. A. Hashmi, R. K. Sharma // Infrared Phys. Technol. − 2015. − V. 71. − P. 378—383. DOI: 10.1016/j.infrared.2015.05.016

5. Avetissov, I. Universal approach for nonstoichiometry determination in binary chemical compounds / I. Avetissov, E. Mozhevitina, A. Khomyakov, T. Khanh // Cryst. Res. Technol. − 2014. − V. 50. − P. 93—100. DOI: 10.1002/crat.201400201

6. Пат. CN101892496 A (КНР). Method for preparing highpurity 5N tellurium from 3N crude tellurium, 2010.

7. Пат. CN102153054 A (КНР). Preparation method of high purity tellurium, 2011.

8. Пат. CN104233362 A (КНР). Preparation method for highpurity tellurium, 2014.

9. Пат. CN103183322 A (КНР). Preparation method of high purity tellurium, 2013.

10. Пат. UA98751 C2 (Украина). Пристрій для очищення телуру методом вакуумної дистиляції / Б. Б. Нетак, Ю. О. Канібор, С. Ю. Єрмаков, Д. В. Черненков, В. М. Біляков, О. С. Єрмаков, 2012.

11. Zaiour, A. Purification of tellurium to nearly 7N purity / A. Zaiour, K. Zahraman, M. Roumie, J. Charara, A. Fawaz, F. Lmai, M. Hage−Ali // Mater. Sci. Eng.: B. − 2006. − V. 131, N 1−3. − P. 54—61. DOI: 10.1016/j.mseb.2006.03.029

12. Sun, Zh.−M. Preparation of high purity tellurium containing Cu and Se by chemical method / Zh.−M. Sun, Y.−J. Zheng // Trans. Nonferrous Met. Soc. China. − 2011. − V. 21, N 3. − P. 665—672. DOI: 10.1016/S1003−6326(11)60763−2

13. Hageman, A. M. Purification of tellurium to 6N using a multistage vacuum distillation method / A. M. Hageman, M. J. Harrison, N. Fritz, T. N. Krehbiel, R. White, J. Patenaude, D. S. McGregor // Proc. SPIE. − 2007. − V. 6707: Penetrating radiation systems and applications VIII, 67070Z. − P. 1—7. DOI: 10.1117/12.740525

14. Куликов, И. С. Термодинамика оксидов / И. С. Куликов. − М.: Металлургия, 1986. − 344 с.

15. Герасимов, Л. И. Химическая термодинамика в цветной металлургии, часть VI / Л. И. Герасимов, А. И. Крестовников, С. И. Горбов. − М.: Металлургия, 1974. − C. 283—286.

16. Munirathnam, N. R. Preparation of high purity tellurium by zone refining / N. R. Munirathnam, D. S. Prasad, Ch. Sudheer, A. J. Singh, T. L. Prakash // Bull. Mater. Sci. − 2002. − V. 25, N 2. − P. 79—83. DOI: 10.1007/BF02706225

17. Hoffmann, J. E. Recovering selenium and tellurium from copper refinery slimes / J. E. Hoffmann // JOM. − 1989. − V. 41, N 7. − P. 33—38. DOI: 10.1007/BF03220269

18. Wilbut, S . M . Optimizing performance for a collision/ reaction cell ICP−MS system operating in helium collision mode / S. M. Wilbut, N. Sugiyama, E. McCurdy // Spectroscopy − 2010. − Special Iss. − P. 20. URL: http://www.spectroscopyonline.com/optimizing−performance−collisionreaction−cell−icp−ms−system− operating−helium−collision−mode (дата обращения: 10.06.2017)

19. Dehelean, A . Determination of lead and strontium isotope ratios in wines by inductively coupled plasma mass spectrometry / A. Dehelean, C. Voica // Rom. Journ. Phys. − 2012. − V. 57, N 7−8. − P. 1194—1203. URL: http://www.nipne.ro/rjp/2012_57_7-8/1194_1203.pdf

20. Пат. 2374358 (РФ). Способ получения углеродсодержащих покрытий / П. А. Аверичкин, В. А. Кальнов, Е. А. Кожухова, Б. Н. Левонович, Ю. П. Маишев, Ю. Н. Пархоменко, С. Л. Шевчук, А. А. Шлёнский, 2009.


Дополнительные файлы

Для цитирования: Гришечкин М.Б., Можевитина Е.Н., Хомяков А.В., Зыкова М.П., Аветисов Р.И., Аветисов И.Х. Глубокая очистка теллура для производства материалов электроники и фотоники. Известия высших учебных заведений. Материалы электронной техники. 2016;19(4):235-240. https://doi.org/10.17073/1609-3577-2016-4-235-240

For citation: Grishechkin M.B., Mozhevitina E.N., Khomyakov A.V., Zykova M.P., Avetisov R.I., Avetissov I.C. Deep tellurium purification for electronic and photonic materials. Izvestiya Vysshikh Uchebnykh Zavedenii. Materialy Elektronnoi Tekhniki = Materials of Electronics Engineering. 2016;19(4):235-240. (In Russ.) https://doi.org/10.17073/1609-3577-2016-4-235-240

Просмотров: 83

Обратные ссылки

  • Обратные ссылки не определены.


Creative Commons License
Контент доступен под лицензией Creative Commons Attribution 4.0 License.


ISSN 1609-3577 (Print)
ISSN 2413-6387 (Online)