Кристаллохимические особенности простейших и смешанно–слоистых оксидов висмута


https://doi.org/10.17073/1609-3577-2016-4-279-283

Полный текст:


Аннотация

Семейство висмутсодержащих сегнетоэлектриков со слоистой структурой уже более полувека вызывает устойчивый интерес исследователей как с теоретической, так и с практической точки зрения. Теоретический интерес обусловлен своеобразной структурой соединений, имеющих  высокую температуру размытого сегнетоэлектрического перехода, практический — возможностью получения многофункциональных материалов. Дан кристаллохимический анализ наименее изученных разновидностей семейства, а именно: простейшим составам типа «Bi2O3 — второй оксид» и сложным структурам прорастания — соединениям с так называемым смешанно− слоистым строением решеток. Для описания составов рассмотренных типов структур предложены кристаллохимические формулы, которые должны способствовать более целенаправленному  синтезу новых соединений семейства. Показано, что образование смешанно−слоистых структур срастания (прорастания) определяется условиями синтеза и не представляет исключительного явления. Вопрос об устойчивости (степени неустойчивости) таких сложных структурных образований остается открытым. Существование подобных  соединений вызывает интерес, который обусловлен очевидной возможностью синтеза новых составов семейства с многофункциональными свойствами. Кроме того, подобные системы представляют интерес и для физики твердого тела в целом как объекты исследования и получения дополнительной информации, касающейся размытых фазовых переходов.


Об авторе

В. Г. Осипян
Смоленская государственная сельскохозяйственная академия
Россия

Осипян Валентин Георгиевич — кандидат технических наук.

Большая Советская ул., д. 10/2, Смоленск, 214000.



Список литературы

1. Кочергин , Ю . В. Диэлектрические свойства Bi − содержащих слоистых сегнетоэлектриков / Ю. В. Кочергин // Автореферат дисс. ... канд. физ.−мат. наук. − Астрахань : Волгоградский государственный архитектурно −строительный университет, 2010.

2. Aurivillius, B. Mixed bismuth oxides with layer lattices / B. Aurivillus // Arkiv för Kemi. − 1949. − V. 1, N 54. − P. 463—480.

3. Осипян, В. Г. Висмут−ванадатные сегнетоэлектрики со слоистой структурой / В. Г. Осипян, Л. М. Савченко, В. Л. Элбакян, П. Б. Авакян // Изв. АН СССР. Неорган. материалы. − 1987. − Т. 23, № 3. − С. 523—525.

4. Kodama , Н. New members of a family of layered bismuth compounds / Kodama Н., Izumi F., Watanabe А. // J. Solid State Chem. − 1981. − V. 36, N 3. − P. 349—355. DOI: 10.1016/0022−4596(81)90446−1

5. Борисов, В. Н. Фазовые переходы в ванадате висмута Bi4V2O11 / В. Н. Борисов, Ю. М. Поплавко, П. В. Авакян, В. Г. Осипян // ФТТ. − 1988. − Т. 30, вып. 5. − С. 1560—1562.

6. Shantha, K. Preparation and characterization of nanocrystalline powders of bismuth vanadate / K. Shantha, K. B. R. Varma // Materials Science and Engineering: B. − 1999. − V. 60, iss. 1. − P. 66—75. DOI: 10.1016/S0921-5107(99)00021-5

7. Luo , S . Rietveld analysis and dielectr ic proper ties of Bi2WO6—Bi4Ti3O12 ferroelectric system / S. Luo, Y. Noguchi, M. Miyayama, T. Kudo // Materials Research Bulletin. − 2001. − V. 36, iss. 3–4. − P. 531—540. DOI: 10.1016/S0025-5408(01)00516-5

8. Buyanova , E . S . Synthesis and electrical properties of solid solutions based on bismuth vanadates / E . S. Buyanova, V. M. Zhukovskii, E. S. Lopatina, V. V. Ivanovskaya, E. A. Raitenko // Inorganic Materials. − 2002. − V. 38, N 3. − P. 256—260. DOI: 10.1023/A:1014722800626

9. Mairesse, G. Crystal structure determination of α, β and γ−Bi4V2O11 polymorphs. Pt I: γ and β−Bi4V2O11 / G. Mairesse, P. Roussel, R. N. Vannier, M. Anne, C. Pirovano, G. Nowogrocki // Solid State Sciences. − 2003. − V. 5, N 6. − P. 851—859. DOI: 10.1016/S1293-2558(03)00015-3

10. Freny Joy, K. M. High pressure and high temperature phase transition in nanocrystalline Aurivillius oxide / K. M. Freny Joy, T. K. Jaya Arun, N. V. Jaya, A. Castro // Physica E: Low−dimensional Systems and Nanostructures. − 2004. − V. 23, N 1–2. − P. 188—192. DOI: 10.1016/j.physe.2004.03.018

11. Emel'yanova , Yu . V. Synthesis and properties f Bi4V2−xM2xO11−2x (M = Y, In) solid solutions / Yu. V. Emel'yanova, Zh. V. Salimgareeva, E. S. Buyanova, V. M. Zhukovskii // Inorganic Materials. − 2005. − V. 41, N 10. − P. 1107—1113. DOI: 10.1007/s10789-005-0268-9

12. Зырянов, B. В. Механохимический синтез, структура и проводимость метастабильных твердых растворов Bi2M0,1V0,9O5,5−x (М = V, Zn, Sc, Sb, In) и Вi1,8Pb0,2VO5,4−x / B. В. Зырянов, Н. Ф. Уваров // Неорганические материалы. − 2005. − Т. 41, № 3. − C. 341—347.

13. Воронкова, B. И. Суперионные проводники в системе Bi2WO6—Bi2VO5.5 / B. И. Воронкова, В. К. Яновский, Е. П. Харитонова, О. Г. Рудницкая // Неорганические материалы. − 2005. − Т. 41, № 7. − С. 866—870.

14. Tellier, J. The crystal structure of the mixed−layer Aurivillius phase Bi5Ti1,5W1,5O15 / J. Tellier, Ph. Boullay, N. Créon, D. Mercurio // Solid State Sciences. − 2005. − V. 7, iss. 9. − P. 1025—1034. DOI: 10.1016/j.solidstatesciences.2005.01.025

15. Kumari, N. Dielectric, impedance and ferroelectric characteristics of c−oriented bismuth vanadate films grown by pulsed laser deposition / N. Kumari, S. B. Krupanidhi, K. B. R. Varma // Materials Science and Engineering: B. − 2007. − V. 138, N 1. − P. 22—30. DOI: 10.1016/j.mseb.2006.12.010

16. Харитонова, Е. П. Cинтез и электрофизические свойства смешанослойных фаз Ауривиллиуса / Е. П. Харитонова, В. И. Воронкова // Неорганические материалы. 2007. − Т. 43, № 12. − C. 1488—1493.

17. Борисов , В. Н . Диэлектрические спектры ванадата висмута Bi4V2O11 / В. Н. Борисов, В. М. Пашков, Ю. М. Поплавко, П. В. Авакян, В. Г. Осипян // Изв. АН СССР, сер. физ. − 1990. − Т. 54, № 6. − С. 1221—1224.


Дополнительные файлы

Для цитирования: Осипян В.Г. Кристаллохимические особенности простейших и смешанно–слоистых оксидов висмута. Известия высших учебных заведений. Материалы электронной техники. 2016;19(4):279-283. https://doi.org/10.17073/1609-3577-2016-4-279-283

For citation: Osipyan V.G. Crystallochemical features of simplest and mixed-layered bismuth oxides. Izvestiya Vysshikh Uchebnykh Zavedenii. Materialy Elektronnoi Tekhniki = Materials of Electronics Engineering. 2016;19(4):279-283. (In Russ.) https://doi.org/10.17073/1609-3577-2016-4-279-283

Просмотров: 112

Обратные ссылки

  • Обратные ссылки не определены.


Creative Commons License
Контент доступен под лицензией Creative Commons Attribution 4.0 License.


ISSN 1609-3577 (Print)
ISSN 2413-6387 (Online)