ИССЛЕДОВАНИЕ ДЕФЕКТОВ В МНОГОСЛОЙНЫХ ЭПИТАКСИАЛЬНЫХ СИЛОВЫХ ПРИБОРАХ НА ОСНОВЕ КРЕМНИЯ МЕТОДАМИ РЕНТГЕНОВСКОЙ ТОПОГРАФИИ


https://doi.org/10.17073/1609-3577-2013-1-28-34

Полный текст:


Аннотация

Методами рентгеновской дифракционной топографии исследованы дефекты в многослойных эпитаксиальных структурах на основе кремния, предназначенных для использования в качестве исходного материала для изготовления силовых эпитаксиально-диффузионных полупроводниковых приборов. Показано, что основными дефектами в исходных эпитаксиальных слоях являются сетки дислокаций с неравномерным распределением дислокаций как по толщине, так и по площади слоев в виде плотных рядов (дислокационных стенок) или полос скольжения, оказывающих влияние на электрические характеристики силовых приборов.


Об авторах

И. Л. Шульпина
Физико−технический институт РАН им. А. Ф. Иоффе, 194021, г. Санкт−Петербург, Политехническая ул., д. 26
Россия
доктор физ.−мат. наук, главный научный сотрудник


В. А. Козлов
НПО «ФИД−Техника», 195220, г. Санкт−Петербург, Гжатская ул., д. 27, Лит. А ООО «Силовые полупроводники», 195220, г. Санкт−Петербург, Гжатская ул., д. 27, Лит. А
Россия

канд. физ.−мат. наук, консультант


генеральный директор



Список литературы

1. Боуэн, Д. К. Высокоразрешающая рентгеновская дифрактометрия и топография / Д. К. Боуэн, Б. К. Таннер. – СПб. : Наука, 2002. – 274 с.

2. Шульпина, И. Л. Диагностика кремния методами рентгеновской топографии / И. Л. Шульпина // Изв. вузов. Материалы электрон. техники. – 2001. – № 4. – С. 73—76.

3. Шульпина, И. Л. Некоторые возможности рентгеновской топографии для исследования и контроля технологических дефектов в кремнии / И. Л. Шульпина // Кристаллография. – 1992. – Т. 37, вып. 2. – С. 451—457.

4. Анфимов, И. М. Однородность распределения удельного электросопротивления в монокристаллическом кремнии, выращенном методом Чохральского / И. М. Анфимов, В. С. Бердников, Е. А. Выговская, С. П. Кобелева, А. А. Смирнов, Ю. В. Осипов, О. В. Торопова, В. Н. Мурашев // Изв. вузов. Материалы электрон. техники. – 2007. – № 4. −С. 40—44.

5. Павлов, Л. П. Методы измерения параметров полупроводниковых материалов / Л. П. Павлов. – М. : Высшая школа, 1987. – 239 с.

6. Козлов, В. А. Исследование дефектов в эпитаксиально-диффузионнных приборных структурах на основе кремния методами рентгеновской топографии / В. А. Козлов, И. Л. Шульпина // Тез. докл. VIII междунар. конф. «Кремний – 2011» – М., 2011. – С. 140.

7. Шульпина, И. Л. Возможности рентгеновской топографии в исследовании многослойных приборных структур на основе кремния / И. Л. Шульпина, В. А. Козлов // Тез. докл. V Междунар. семинара «Современные методы анализа дифракционных данных». – Великий Новгород, 2011. – С. 193—194.

8. Kittler, M. Gettering and defect engineering in semiconductor technology / M. Kittler, H. Richter // XIII: GADEST 2009: Рroc. of the XIII-th Int. Autumn Meeting // Solid state phenomena. – 2010. – V. 156–158. – 592 p.


Дополнительные файлы

Для цитирования: Шульпина И.Л., Козлов В.А. ИССЛЕДОВАНИЕ ДЕФЕКТОВ В МНОГОСЛОЙНЫХ ЭПИТАКСИАЛЬНЫХ СИЛОВЫХ ПРИБОРАХ НА ОСНОВЕ КРЕМНИЯ МЕТОДАМИ РЕНТГЕНОВСКОЙ ТОПОГРАФИИ. Известия высших учебных заведений. Материалы электронной техники. 2013;(1):28-34. https://doi.org/10.17073/1609-3577-2013-1-28-34

For citation: Shul’pina I.L., Kozlov V.A. X-RAY TOPOGRAPHIC STUDY OF DEFECTS IN SI-BASED MULTILAYER EPITAXIAL POWER DEVICES. Izvestiya Vysshikh Uchebnykh Zavedenii. Materialy Elektronnoi Tekhniki = Materials of Electronics Engineering. 2013;(1):28-34. (In Russ.) https://doi.org/10.17073/1609-3577-2013-1-28-34

Просмотров: 226

Обратные ссылки

  • Обратные ссылки не определены.


Creative Commons License
Контент доступен под лицензией Creative Commons Attribution 4.0 License.


ISSN 1609-3577 (Print)
ISSN 2413-6387 (Online)