X-RAY TOPOGRAPHIC STUDY OF DEFECTS IN SI-BASED MULTILAYER EPITAXIAL POWER DEVICES
https://doi.org/10.17073/1609-3577-2013-1-28-34
Abstract
The defects in silicon based multilayer epitaxial structures intended for power epitaxial-diffusion devices as initial material were studied by x-ray topography techniques. It was shown the dislocation nets with non-uniform distribution of dislocations both over thickness and layer square in the form of dense rows (dislocation walls) or slip bands were principal defects in initial epitaxial layers and have influenced on electrical characteristics of power devices.
About the Authors
I. L. Shul’pina
Ioffe Physico–Technical Institute of Russian Academy of Sciences
Russian Federation
Russian Federation
V. A. Kozlov
FID Technology Ltd.
Power Semiconductors Ltd.
Russian Federation
Russian Federation
References
1. Боуэн, Д. К. Высокоразрешающая рентгеновская дифрактометрия и топография / Д. К. Боуэн, Б. К. Таннер. – СПб. : Наука, 2002. – 274 с.
2. Шульпина, И. Л. Диагностика кремния методами рентгеновской топографии / И. Л. Шульпина // Изв. вузов. Материалы электрон. техники. – 2001. – № 4. – С. 73—76.
3. Шульпина, И. Л. Некоторые возможности рентгеновской топографии для исследования и контроля технологических дефектов в кремнии / И. Л. Шульпина // Кристаллография. – 1992. – Т. 37, вып. 2. – С. 451—457.
4. Анфимов, И. М. Однородность распределения удельного электросопротивления в монокристаллическом кремнии, выращенном методом Чохральского / И. М. Анфимов, В. С. Бердников, Е. А. Выговская, С. П. Кобелева, А. А. Смирнов, Ю. В. Осипов, О. В. Торопова, В. Н. Мурашев // Изв. вузов. Материалы электрон. техники. – 2007. – № 4. −С. 40—44.
5. Павлов, Л. П. Методы измерения параметров полупроводниковых материалов / Л. П. Павлов. – М. : Высшая школа, 1987. – 239 с.
6. Козлов, В. А. Исследование дефектов в эпитаксиально-диффузионнных приборных структурах на основе кремния методами рентгеновской топографии / В. А. Козлов, И. Л. Шульпина // Тез. докл. VIII междунар. конф. «Кремний – 2011» – М., 2011. – С. 140.
7. Шульпина, И. Л. Возможности рентгеновской топографии в исследовании многослойных приборных структур на основе кремния / И. Л. Шульпина, В. А. Козлов // Тез. докл. V Междунар. семинара «Современные методы анализа дифракционных данных». – Великий Новгород, 2011. – С. 193—194.
8. Kittler, M. Gettering and defect engineering in semiconductor technology / M. Kittler, H. Richter // XIII: GADEST 2009: Рroc. of the XIII-th Int. Autumn Meeting // Solid state phenomena. – 2010. – V. 156–158. – 592 p.
Review
For citations:
Shul’pina I.L., Kozlov V.A. X-RAY TOPOGRAPHIC STUDY OF DEFECTS IN SI-BASED MULTILAYER EPITAXIAL POWER DEVICES. Izvestiya Vysshikh Uchebnykh Zavedenii. Materialy Elektronnoi Tekhniki = Materials of Electronics Engineering. 2013;(1):28-34. (In Russ.) https://doi.org/10.17073/1609-3577-2013-1-28-34
Views:
1622
Email this article 