Влияние самоорганизации поверхностного заряда на затворно-индуцированные электронную и дырочную двумерные системы
Аннотация
Об авторах
В. А. ТкаченкоРоссия
Ткаченко Виталий Анатольевич — канд. физ.-мат. наук, старший научный сотрудник
О. А. Ткаченко
Россия
Ткаченко Ольга Александровна — канд. физ.-мат. наук, старший научный сотрудник
Д. Г. Бакшеев
Россия
Бакшеев Дмитрий Георгиевич — канд. физ.-мат. наук, ассистент
О. П. Сушков
Австралия
Список литературы
1. Cowley A. M., Sze S. M. Surface states and barrier height of metal-semiconductor systems // J. Appl. Phys. 1965. V. 36, Iss. 10. P. 3212—3220. https://doi.org/10.1063/1.1702952
2. Sze S. M. Physics of semiconductor devices. New York: John Willey, 1981, p. 868.
3. Spicer W. E., Lindau I., Skeath P., Su C. Y. Unified defect model and beyond // J. Vac. Sci. Technol. 1980. V. 17, Iss. 5. P. 1019—1027. https://doi.org/10.1116/1.570583
4. Darling R. B. Defect-state occupation, Fermi-level pinning, and illumination effects on free semiconductor surfaces // Phys. Rev. B. 1991. V. 43, Iss. 5. P. 4071—4083. https://doi.org/10.1103/PhysRevB.43.4071
5. Harrell R. H., Pyshkin K. S., Simmons M. Y., Ritchie D. A., Ford C. J. B., Jones G. A. C., Pepper M. Fabrication of high-quality one- and two-dimensional electron gases in undoped GaAs/AlGaAs heterostructures // Appl. Phys. Lett. 1999. V. 74, Iss. 16. P. 2328—2330. https://doi.org/10.1063/1.123840
6. Tkachenko O. A., Tkachenko V. A., Baksheyev D. G., Pyshkin K. S., Harrell R. H., Linfield E. H., Ritchie D. A., Ford C. J. B. Electrostatic potential and quantum transport in a one-dimensional channel of an induced two-dimensional electron gas // J. Appl. Phys. 2001. V. 89, Iss. 9. P. 4993—5000. https://doi.org/10.1063/1.1352024
7. Chen J. C. H., Wang D. Q., Klochan O., Micolich A. P., Das Gupta K., Sfigakis F., Ritchie D. A., Reuter D., Wieck A. D., Hamilton A. R. Fabrication and characterization of ambipolar devices on an undoped AlGaAs/GaAs heterostructure // Appl. Phys. Lett. 2012. V. 100, Iss. 5. P. 052101. https://doi.org/10.1063/1.3673837
8. Chen J. C. H., Klochan O., Micolich A. P., Das Gupta K., Sfigakis F., Ritchie D. A., Trunov K., Reuter D., Wieck A. D., Hamilton A. R. Fabrication and characterisation of gallium arsenide ambipolar quantum point contacts // Appl. Phys. Lett. 2015. V.106, Iss. 18. P. 183504. https://doi.org/10.1063/1.4918934
9. Taneja D., Sfigakis F., Croxall A. F., Das Gupta K., Narayan V., Waldie J., Farrer I., Ritchie D. A. N-type ohmic contacts to undoped GaAs/AlGaAs quantum wells using only front-sided processing: application to ambipolar FETs // Semicond. Sci. Technol.2016. V. 31, Iss. 6. P. 065013. https://doi.org/10.1088/0268-1242/31/6/065013
10. Miserev D. S., Srinivasan A., Tkachenko O. A., Tkachenko V. A., Farrer I., Ritchie D. A., Hamilton A. R., Sushkov O. P. Mechanisms for strong anisotropy of In-Plane g-Factors in Hole Based Quantum Point Contacts // Phys. Rev. Lett. 2017. V. 119, Iss. 11. P. 116803. https://doi.org/10.1103/PhysRevLett.119.116803
11. Mak W. Y., Das Gupta K., Beere H. E., Farrer I., Sfigakis F., Ritchie D. A. Distinguishing impurity concentrations in GaAs and AlGaAs using very shallow undoped heterostructures // Appl. Phys. Lett. 2010. V. 97, Iss. 24. P. 242107. https://doi.org/10.1063/1.3522651
12. Wang D. Q., Chen J. C. H., Klochan O., Das Gupta K., Reuter D., Wieck A. D., Ritchie D. A., Hamilton A. R. Influence of surface states on quantum and transport lifetimes in high-quality undoped heterostructures // Phys. Rev. B. 2013. V. 87, Iss. 19. P. 195313. https://doi.org/10.1103/PhysRevB.87.195313
13. Tkachenko O. A., Tkachenko V. A., Terekhov I. S., Sushkov O. P. Effects of Coulomb screening and disorder on an artificial graphene based on nanopatterned semiconductor // 2D Mater. 2015. V. 2. N 1. P. 014010. https://doi.org/10.1088/2053-1583/2/1/014010
14. Ткаченко О. А., Бакшеев Д. Г., Ткаченко В. А., Сушков О. П. Моделирование самоорганизации локализованных зарядов на границе полупроводника с подзатворным диэлектриком // Труды Международной конференции «Актуальные проблемы вычислительной и прикладной математики». АПВПМ-2019. 1-5 июля 2019 г. Академгородок, Новосибирск, Россия. Новосибирск: ИПЦ НГУ, 2019. 587 с. ISBN 978-5-901548-42-4 . С. 515—521; https://doi.org/10.24411/9999-016A-2019-10082
15. Fetter A. L. Electrodynamics and thermodynamics of a classical electron surface layer // Phys. Rev. B. 1974. V. 10, Iss. 9. P. 3739—3745. https://doi.org/10.1103/PhysRevB.10.3739
16. Gann R. C., Chakravarty S., Chester G. V. Monte Carlo simulation of the classical two-dimensional one-component plasma // Phys. Rev. B. 1979. V. 20, Iss. 1. P. 326—344. https://doi.org/10.1103/PhysRevB.20.326
17. Efros A. L., Pikus F. G. Samsonidze G. G. Maximum low-temperature mobility of two-dimensional electrons in heterojunctions with a thick spacer layer // Phys. Rev. B. 1990. V. 41, Iss. 12. P. 8295—8301. https://doi.org/10.1103/PhysRevB.41.8295
18. Das Sarma S., Hwang E. H., Kodiyalam S., Pfeiffer L. N., West K. W. Transport in two-dimensional modulation-doped semiconductor structures // Phys. Rev. B. 2015. V. 91, Iss. 20. P. 205304. https://doi.org/10.1103/PhysRevB.91.205304
19. Das Sarma S., Stern F. Single-particle relaxation time versus scattering time in an impure electron gas // Phys. Rev. B. 1985. V. 32, Iss. 12. P. 8442—8444. https://doi.org/10.1103/PhysRevB.32.8442
20. Chaplik A. V. Possible crystallization of charge Carriers in low-density inversion layers // J. Experimental and Theoretical Physics. 1972. V. 62, N 2. P. 395—398.
21. Metropolis N., Rosenbluth A. W., Rosenbluth M. N., Teller A. H., Teller E. Equation of state calculations by fast computing machines // J. Chem. Phys. 1953. V. 21. P. 1087.
22. Rosenbluth M. N., Rosenbluth A. W. Further results on Monte Carlo equations of state // J. Chem. Phys. 1954. V. 22. P. 881.
23. Chib S., Greenberg E. Understanding the Metropolis-Hastings Algorithm // The American Statistician. 1995. V. 49, N 4. P. 327—335.
24. Коткин Г. Л. Лекции по статистической физике: учебник. Москва; Ижевск: Регулярная и хаотическая динамика, 2006. 190 с.
25. Harrang J. P., Higgins R. J., Goodall R. K., Jay P. R., Laviron M., Delescluse P. Quantum and classical mobility determination of the dominant scattering mechanism in the two-dimensional electron gas of an AlGaAs/GaAs heterojunction // Phys. Rev. B. 1985. Iss.12. P. 8126—8135. https://doi.org/10.1103/PhysRevB.32.8126
26. Mani R. G., Anderson J. R. Study of the single-particle and transport lifetimes in GaAs/AlxGal-xAs // Phys. Rev. B. 1988. V. 37, Iss. 8. P. 4299—4302. https://doi.org/10.1103/PhysRevB.37.4299
27. Coleridge P. T., Stoner R., Fletcher R. Low-field transport coefficients in GaAs/Ga1-xAlxAs heterostructures // Phys. Rev. B. 1989. V. 39. P. 1120—1124. https://doi.org/10.1103/PhysRevB.39.1120
28. Bystrov S. D., Kreshchuk A. M., Tuan L., Novikov S. V., Polyanskaya T. A., Savelev I. G., Shik A. Y. Shubnikov-de Hass oscillations in a nonuniform 2D electron-gas // SEMICONDUCTORS, 1994. V. 28, Iss. 1. P. 55—58.
Для цитирования:
Ткаченко В.А., Ткаченко О.А., Бакшеев Д.Г., Сушков О.П. Влияние самоорганизации поверхностного заряда на затворно-индуцированные электронную и дырочную двумерные системы. Известия высших учебных заведений. Материалы электронной техники. 2020;23(2):142-150. https://doi.org/10.17073/1609-3577-2020-2-142-150