ELECTRO-PHYSICAL AND PHOTOELECTRICAL CHARACTERISTICS OF MIS-STRUCTURES BASED ON HETERO-EPITAXIAL HGCDTE MBE WITH NON-UNIFORM DISTRIBUTION OF COMPOSITION
https://doi.org/10.17073/1609-3577-2013-1-38-45
Abstract
The electro-physical and photoelectrical properties of MIS structures based on HgCdTe MBE with non-uniform distribution of composition were experimentally investigated. It is shown that near-surface graded-gap layers with elevated composition strongly affect on dependencies of the capacitance and the photo-emf versus the bias voltage and frequency for the MIS structures based on n-Hg1-xCdxTe (x = 0.21—0.23). The characteristics of MIS structures based on n-Hg0.7Cd0.3Te with periodically located regions with high composition were investigated and it is shown that these regions are most strongly affect the characteristics of MIS structures when their location near the boundary of the insulator−semiconductor. The electrical properties of MIS structures based on n-Hg1-xCdxTe (x = 0.62—0.73) with region with lower composition were experimentally studied.
About the Authors
A. V. Voitsekhovskii
Detached structural subdivision «Siberian Physical–Technical Institute of Tomsk State University
Russian Federation
Russian Federation
S. N. Nesmelov
Detached structural subdivision «Siberian Physical–Technical Institute of Tomsk State University
Russian Federation
Russian Federation
S. M. Dzyadukh
Detached structural subdivision «Siberian Physical–Technical Institute of Tomsk State University
Russian Federation
Russian Federation
References
1. Овсюк, В. Н. Матричные фотоприемные устройства инфракрасного диапазона. / В. Н. Овсюк, Г. Л. Курышев, Ю. Г. Сидоров и др. – Новосибирск : Наука, 2001. – 376 с.
2. Войцеховский, А. В. Время жизни носителей заряда в структурах на основе Hg1-xCdxTe (x = 0,22), выращенных методом молекулярно-лучевой эпитаксии / А. В. Войцеховский, Ю. А. Денисов, А. П. Коханенко, В. С. Варавин, С. А. Дворецкий, В. Т. Либерман, Н. Н. Михайлов, Ю. Г. Сидоров // Физика и техника полупроводников. – 1997. – 7. – С. 774—776.
3. Войцеховский, А. В. Свойства МДП структур на основе варизонного HgCdTe, выращенного методом молекулярно-лучевой эпитаксии / А. В. Войцеховский, С. Н. Несмелов, С. М. Дзядух, В. С. Варавин, С. А. Дворецкий, Н. Н. Михайлов, Ю. Г. Сидоров, В. В. Васильев // Там же. – 2008. – № 11. – С. 1327—1332.
4. Войцеховский, А. В. Фотоэлектрические характеристики МДП-структур на основе варизонного n-HgCdTe (x = 0,21-0,23) / А. В. Войцеховский, С. Н. Несмелов, С. М. Дзядух, В. С. Варавин, С. А. Дворецкий, Н. Н. Михайлов, Ю. Г. Сидоров, В. В. Васильев, Т. И. Захарьяш, Ю. П. Машуков // Изв. вузов. Физика. – 2006. – № 10. – С. 70—80.
5. Goodwin, M. W. Metal-insulator-semiconductor properties of HgTe—CdTe superlattices» / M. W. Goodwin, M. A. Kinch, R. J. Koestner // J. Vacuum Sci. and Technol. – 1988. – V. 6, Iss. 4. – P. 2685—2692.
6. Мынбаев, К. Д. Фотолюминесценция наногетероструктур на основе CdHgTe / К. Д. Мынбаев, Н. Л. Баженов, В. И. Иванов-Омский, А. В. Шиляев, В. С. Варавин, Н. Н. Михайлов, С. А. Дворецкий, Ю. Г. Сидоров // Письма в ЖЭТФ. – 2010. – Т. 36, № 23. – С. 70—77.
7. Пат. 2373606 РФ, МПК H01L 31/0296. Фоточувствительная структура / Ю. Г. Сидоров, С. А. Дворецкий, В. С. Варавин, Н. Н. Михайлов; заявитель и патентообладатель ИФП СО РАН. – № 2008138804/28; Заявл. 29.09.2008; Опубл. 20.11.2009.
8. Войцеховский, А. В. Фотоэлектрические МДП-структуры из узкозонных полупроводников / А. В. Войцеховский, В. Н. Давыдов. – Томск : Радио и связь, 1990. – 327 с.
9. Voitsekhovskii, A. Influence of near-surface graded-gap layers on electrical characteristics of MIS-structures based on MBE grown HgCdTe / A. Voitsekhovskii, S. Nesmelov, S. Dzyadukh, V. Varavin, S. Dvoretskii, N. Mikhailov, Y. Sidorov, M. Yakushev // Opto-Electronics Rev. – 2010. – V. 18, N 3. – P. 259—262.
10. Войцеховский, А. В. Влияние сопротивления объема эпитаксиальной пленки на вольт-фарадные характеристики МДП-ст – № 6. – С. 31—37.
Review
For citations:
Voitsekhovskii A.V., Nesmelov S.N., Dzyadukh S.M. ELECTRO-PHYSICAL AND PHOTOELECTRICAL CHARACTERISTICS OF MIS-STRUCTURES BASED ON HETERO-EPITAXIAL HGCDTE MBE WITH NON-UNIFORM DISTRIBUTION OF COMPOSITION. Izvestiya Vysshikh Uchebnykh Zavedenii. Materialy Elektronnoi Tekhniki = Materials of Electronics Engineering. 2013;(1):38-45. (In Russ.) https://doi.org/10.17073/1609-3577-2013-1-38-45
Views:
892
Email this article 