Preview

Известия высших учебных заведений. Материалы электронной техники

Расширенный поиск

Обзор методов получения трихлорсилана для производства поликристаллического кремния

https://doi.org/10.17073/1609-3577-2021-1-

Аннотация

В настоящей работе проведен анализ новых технических решений и идей, направленных на повышение производительности процессов получения поликристаллического кремния «солнечного» и полупроводникового качества. Доминирующей технологией поликристаллического кремния остается Сименс-процесс, включающий перевод технического кремния (получаемого карботермическим восстановлением кварцитов) в трихлорсилан с последующими ректификационной очисткой и водородным восстановлением. Для снижения стоимости получаемого кремния необходимо уменьшать затраты на производство трихлорсилана путем совершенствования технологии и аппаратурного оформления. Рассмотрены преимущества, недостатки и пути снижения производственных затрат четырех известных методов получения трихлорсилана: взаимодействием хлористого водорода с техническим кремнием «direct chlorination» (DC), гомогенным гидрированием тетрахлорсилана (конверсией), реакцией тетрахлорсилана и водорода с кремнием «hydro chlorination silicon» (HC), а также взаимодействием тетрахлорсилана и дихлорслана в присутствии катализатора (реакцией перераспределения или анти-диспропорционирования). Эти методы остаются актуальными и постоянно совершенствуются. Большую роль играют каталитические процессы на поверхности кремния, понимание механизма которых позволит найти новые приложения и получить новые результаты. Отмечено, что необходимыми элементами аппаратурно-технологических схем являются рециклы и совмещенные процессы, в том числе реактивная дистилляция. Это позволяет наиболее полно использовать исходный трихлорсилан, получать полезные продукты и снижать стоимость изготавливаемого кремния.

Об авторах

В. Н. Яркин
Wachendorff-Chemie GmbH
Германия

Владимир Н. Яркин: к.т.н.

Langbaurghstraße 15
53842 Troisdorf-Spich



Т. В. Критская
Инженерный учебно-научный институт Запорожского национального университета
Украина
Критская Татьяна Владимировна


О. А. Кисарин
Инженерный учебно-научный институт Запорожского национального университета
Украина
Олег А. Кисарин: к.т.н., доцент


Список литературы

1. Электронный ресурс. Режим доступа: http://www.eeseaec.org/energetika-stran-mira/ieo-2019-tendencii-razvitia-energetiki-2018-2050-gg

2. Colthore A. Lux Research Utility-Scale solar can complete with natural gas by 2025 /www.pv-tech.org/news/31983 03.12.2013

3. US installiert mehr Solarstrom als Gas im Jahr 2015 /www.pv-tech.org/news/us-installied-move-solar-power-than-gas-in-2015,ausgedruckt 06.02.2016

4. Электронный ресурс. Режим доступа: https://renen.ru/market-prospects-for-heterojunction-hjt-modules-solar-energy-intrigue/

5. Global and Chinese polysilicon, silicon wafers, battery wafers, components and installed capacity data in 2019 (recommended collection and preservation). SMM, 16.06.2020 https://news metal com / newscontent/ 101160594 / global – and – Chines

6. Photovoltaic I: Polycrystalline Silicon 27/07/2020 / www. global market monitor.com / report_blog/589763

7. Research Report on Global and Chinas Polysilicon Industries, 2019 -2023, 24.02.2020 /www.kennethresearch.com/report - details/global – and chinas – polysilicon – market/10085065

8. Chinas polysilicon output will reach 450000 tons in 2020, 07.07.2020 /www.funcmater.com/china – S – polysilicon – output – will – reach - …

9. www.bernreuter.com/polysilicon/manufactures, 19.10.2020

10. Dago Sold Move Polysilicon Than Guided In Q2/2020/Taiyang News,

11. 10.2020 http://taiyangnews.info/business/dago - sold move -polysilicon....

12. Bellini, E. China holds on strategy to build self – sufficient domestic polysilicon industry, 20.01.2020 / www.pv - magazin.com / 2020/01 /china-holds – film – on - strategy…

13. Trichlorsilane Market Size wordth over $10 bn by 2025, 17.10.2019 / www.gminsights.com/press - release /trichlorsilane - market...

14. Hesse K.: 4 Advance Solar Grade Si Material in: Veselinka Petrova-Koch, Hezel R., Goctzberg A.: High Efficienty Low-Cost Photovoltaic. Recent Developments, Springer Verlag, Berlin, Heidelberg, 2009, 226 p., Р.45-54.

15. Яркин В.Н., Кисарин О.А., Реков Ю.В., Червоный И.Ф. Кремний для солнечной энергетики: конкуренция технологий, влияние рынка, проблемы развития /Теория и практика металлургии, №1-2 (74-75), 2010, С. 114-126.

16. Fabry L., Hesse K. Crystalline Silicon Feedstock Preparation and Analysis in: Advances in Photovoltaics: Part 1: (Volume 87) (Semiconductors and Semimetals, Volume 87), Elsevier, Academic Press, San Diego. Calif., 2012, 298 p., Р. 185-261.

17. Ceccaroli B., Pizzini S. Processes in: Pizzini S., Advanced Silicon Materials for Photovoltaic Applications, J. Wiley & Sohn Ltd., 1.Aufl., 2012, 405p., Р. 21-78.

18. F. Ran, T. James, M. Woodhouse. Economic Measurements of Polysilicon for the Photovoltaic Industry: Market Competition and Manufacturing Competitiveness/EEE J. of Photovoltaic, vol.5, №2, March 2015, Р. 515-524.

19. Coleman, L.: The Chemistry of Silicon Hydrochlorination //www. Consultant – on – demand.net

20. Crawford A.: Cost saving of using a metallurgical grade silicon with higher trichlorsilane yield in the hydrochlorination based polysilicon process, in: Silicon for the Chemical and Solar Industry XIII, Kristiansand, Norway, 2016, 390p., Р. 201-217.

21. Samori H., Enocuchi M., Aimoto T., et.al.: Effect of Trace Elements in Metallurgical Silicon on Trichlorsilane Synthesis Reaction in : Silicon for the

22. Chemical Industry III, Sandefjord, Norway, 1996, Р. 157-167.

23. Kürschner U., Pätzold U., Hesse K., Lieske H.,: Studies on Trichlorsilane Syntheses, in : Silicon for the Chemical Industry VII, MS Trollfjord, Tromsø-Bergen, Norway, 21-24 September, Р. 177-178.

24. Hesse K., Pätzold U., : Survey over the TCS Process in Silicon for Chemical Industry VIII, Trondheim, Norway, 12-15 June, 2006, Р.157-166.

25. Kürschner U., Radnik J., Lieske H.,: In Resons for Selectivity Losses in TCS Syntesys In: Organosilicon Chemistry VI, vol.1, Ed. Auner N., Weis J., Wiley VCH, NY, Amsterdam, 1 Aufl., 2005, 1020p., Р.119-125.

26. Dropka N., Hoang D.L., Küvschnev U., et.al. : Kinetic Studies on Trichlorsilane Synthesis In: Silicon for the Chemical Industry VIII. Trondcheim, Norway, June 12-15, 2006, Р.167-180.

27. Demin A., Klemm E. Untersuchung des Einflusses ausgewahlter Übergangsmetallhalogenide auf die Selektivität der Hydrochlorierung von Silizium, Institut für Technische Chemie, Universität Stuttgart /www. processnet.org/index. php. id -1326 & div-3…file

28. Фалькевич Э.С., Пульнер Э.О., Червоный И.Ф., Шварцман Л.Я., Яркин В.Н., Салли И.В. Технология полупроводникового кремния, М., Металлургия, 1992.- 408 с.

29. Kanner B., Lewis K.M. Commerzial Production of Silanes by the direct Synthesis In: Studies in Organic Chemistry 49, Catalyzed Direct Reaction of Silicon, Ed. Lewis K.M. and Rethwish D.G., 1993, Elsevier Science Publishers BV., Amsterdam, London, 644 p., Р.1-66.

30. Brenemann W.C., Direct synthesis of chlorsilane and silane, in: Studies in Organic Chemistry 49, Catalyzed Direct Reaction of Silicon, Ed. Lewis K.M. and Rethwish D.G., 1993, Elsevier Science Publishers BV., Amsterdam, London, 644 p., Р.441-457.

31. Liebischev S., Weidhaus D., Weiss T., Integrated loops: a prerequisite for sustanable and environmentally-friedly polysilicon production, Photovoltaics International Journal (ninth edition), 2010, Р.44-51.

32. Noll W. Chemie und Technologie der Silicone, Verlag Chemie GmbH, Weinheim, 1960, 460 s.

33. Voorhoeve, Organosilanes: Precursors to Silicones, Elsevier, NY, 1967, 437 p.

34. Chigondo F. From Metallurgical-Grade to Solar-Grade Silicon: An Overview, Silicon, Springer, 2017, Р.1-10.

35. Andersen G.J., Hoel J.O., Rong H., Øye H.A. Selectivity and Reactivity of the

36. Trichlorsilane Process /www.pyrometallurgy.co.za/infacon-ix/352 - Andersen. pdf. Ausgedrucht 10.15.2016

37. Demin A., Montsch T., Klemm E. Untersuchurgen der Induktionsphase der Hydrochlorierung von metallurgischem Silicium / Chem. Ing. Techn., 2011, 83, №10, 1728-1733.

38. Rong H.M., Forwald K., et.al. Quality criteria for silicon used for organo - silicon industry in: Studies in Organic Chemistry 49, Catalyzed Direct Reaction of Silicon, Ed. Lewis K.M., Rewish D.G., 1993, Elsevier Science Publishers BV., Amsterdam, London, 644 p., Р. 93-105.

39. Bonitz E. Reactionen des elementaren Siliciums /Angew. Chem/78. Jarg.(1966) №9, s. 475-482.

40. Bade S., Hofmann Ü. Development on new reactor for combined comminuting and chemical reaction /Chem. Eng. Comm., 1996, vol. 143, Р. 169-193.

41. Beck B., Neußer T., Müller T. Verfahren zur Gewinnung von Reinsilizium. DE 102006027273, C01b33/02, заявл. 09.06.2006, опубл. 25.10.2007.

42. Petrik A., Schmid Ch., Hahn J. Aufreinigung von metallurgishem Silizium, DE 102009014562, C01b33/02, заявл.16.02.2009, опубл. 23.09.2010.

43. Nygaard L., Brekken H., Lie H.U., et.al. Water Granulation of Ferrosilicon and Silicon Metal in: Infacon 7, Trondheim, Norway, June 1995, Р. 665-671/ www.pyro.ca.zu/infacon VII/665 - Nigaard. pdf

44. Lindstroem, Per-Ake, Wes.Ake, Anderson G.A., Maegy J. Method and Apparatus for Production of Metal Granules, EP 0402665, B22F9/08, опубл.13.10.1993.

45. Rong H., Morten N. et.al. Method for Removing Impurities from silicon-Containing Residues. Pat. WO 03/018207, B03c1/00, заявл. 27.06.2001, опубл. 06.03.2003.

46. Ito T., Novi N., Yokkaichi M. Verfahren zur Herstellung von Trichlorsilan und Silizumtetrachlorid aus Silizium und Chlorwasserstoff / DE 3230590, B01d8/08, B01d8/10, опубл. 21.03.1985.

47. Cansauge J., Muschi J., Frendespreger H., Fluidized bed reactor, Pat. US 4176710, F28c3/16, опубл. 04.12.1979.

48. Pflüger B., Traunsprunger G., Grünleitner W. Verfahren zur Herstellung von Trichlormonosilan/ EP 1586537, C01b33/107, C01b33/02, опубл. 19.10.2005.

49. Seiler, H., Schlederbeck, N., Mertoch, N. Use of Low-Boiling Compounds in Chlorsilane Processes, WO 2013/037639, C01b33/02, опубл. 21.03.2013.

50. Fabry L., Paetzold U., Stepp M. Recycling of high-boiling compounds within in on integrated chlorsilane system / Pat US 2009/0016947, C01b 33/107, 15.01.2009.

51. Nobora Tachino, Hisayuki Takesue, Harumi Sathoh. Method and Apparatus for Manufacturing Trichlorsilane, Pat. US 9533279, C01b 33/107, опубл. 03.01.2017.

52. Che Yong Chae, Kunimune Tefsunovi. Method of producing trichlorsilane (TCS) rich chlorsilane product stably from a fluidized gas phase reactor (FBR) and the structure of the reactor/ Pat. US 20110297884, C09k 3/00, опубл. 08.12.2011.

53. Goebel T., Haeckl W., Muenzer W., Paetzold U., Sofina N. Analyse der Zusammensetzung eines Gases oder eines Gasstromes in einem chemischen Reaktor und ein Verfahren zur Herstellug von Chlorsilanon in einem Wirbelschihtreaktor/EP 3017298, G01N 30/86, B01D 53/12, опубл. 20.09.2017.

54. Аркадьев А.А., Назаров Ю.Н., Кох А.А., Чапыгин А.М., Новиков А.В. Влияние давления на соотношение трихлорсилана и тетрахлорида кремния в парогазовой смеси, образующейся в процессе прямого синтеза трихлорсилана// Цветные металлы, 2012, №7, с. 62-64.

55. Fischer C., Wolf E. Zur Drstellug von Trichlosilan durch Hydrochlorierung von reinem Silicium bei 300-800 / Z. Anorg. und Allg.Chem., 33, 1964, s.46-53

56. Schwarz R., Meyer-Simon E., Verfahren zur Herstellung von Halogensilanen, DE 1942280, C01b 33/02, опубл. 18.03.1971.

57. Руководство по неорганическому синтезу: в 6-ти томах. Т.3. Пер. с нем./ Под ред. Г. Брауэра - М.: Мир, 1985. – 392 с., с.744.

58. Kötzcsh H.-J., Vahlensleck, Josten. W. Process for the Hydrochlorination of Elemeta Silicon/ Pat.USA 4044109, C01b 33/08, опубл. 23.08.1977.

59. Ehrich, H., Lobreyer, T., Hesse, K., Lieske, H. Some phenomenological and mechanistic aspects of the use of copper as catalyst in trichlorsilane synthesis / Studies in Surface Science and Catalysis. Vol.130, 2000, Р. 2267-2272.

60. Иванов В.Н., Трубицин Ю.В. Развитие конструкции реакторов псевдоожиженного слоя для синтеза трихлорсилана / Цветные металлы, 2013, №7, с. 51-57.

61. Jain M.P., Sathijamoorthy, Rao V. Govardhana. Studies on Hydrochlorination of Silicon in a Fluidized bed Reactor / Indian Chem. Engineering, vol. 51, №4, Oct.-Dec. 2009, Р. 272-280.

62. Mui J.Y.P. Corrosion Mechanism of Metal and Alloys in Silicon-Hydrogen-Chlorsilane System at 500 , Corrosion, 1985, vol. 41, №2, Р. 63-69.

63. Ruff, K., Reactor aus nickelhaltigemWerkstoff zur Umsetzung von körnigem Si – meallhaltigem Material mit Chlorwasserstoff unter Bildung von Chlorsilanen, DE 3640172, 18.08.1988.

64. Kraus Christina: Korrosionverhalten metallischer und keramisher Werkstoffe in Prozeßgasen zur Herstellung von Solarsilizium, Aachen, Techn. Hochsch., Diss., 2002, 156 р.

65. Бокшицкая Н.А., Мещерякова И.Д., Колпенская А.В. и др. Коррозионная стойкость материалов в условиях производства хлорсиланов, М., НИИТЭХИМ, 1985, 30 с.

66. Aller J., Ellingwood K., Jacobson N., Gannon P. High Temperature Chlorsilane Corrosion of AISI 316L/ J. Electrochem. Soc., 2016, 163(8), Р. 425-458.

67. Babl M., Liebischev S. Fluidized Bed Reactor for preparing chlorsilane / US 20180105427, 19.04.2018, C01B 33/107, B01J 8/18, B01J 19/02.

68. Ivanov V.N., Trubitsin Yu.V. Approaches to Hydrogeneration of Siicon Tetrachloride in Polysilicon Manufacture// Russian Microelectronics, vol.40, №8, 2011, Р. 559-561.

69. Ipatiew W., Dolgow B.:/ Über Hydrierung und Zerfall von silizium-organischen Verbindungen bei hohen Temperaturen und Drucken (Vorläufige Mitteilung) Berichte der deutsche Chem. Gesellschaft, 1929, vol.62, № 5, S.1220-1226.

70. Rodgers M.A. Process for manufacturing pure polycrystalline silicon / US 4170667, cl. 427/86, (C 01 B 33/00), 09.10.1979.

71. Weigert W., Meyer-Simon E., Schwarz R. / Process for the Production of chlorsilanes / US 4217334, cl. 423/342, (C 01 B 33/08), 12.08.1980.

72. Yang – min Zhou, Wen – bao Fand, Ya – guang Li, et al./ Equilibrium Concentrations of SiHCl3 and SiCl4 in SiCl4 - H2 System for Hydrogenation of SiCl4 to SiHCl3/ J. of Chem. Eng, of Japan, vol. 50, № 12, 2017, Р. 871- 877.

73. Nelson Kunioshi, Yu Moriyama, Akio Fuwa/ Kinetics of the Conversion of Silicon Tetrachloride into Trichlorsilane Obtained through the Temperature Control along a Plug-Flow Reactor // Int. Journal of Chem. Kinetics, vol. 48, issue 1, Jap. 2016, Р. 45-57.

74. PST and DEI Launch Large Scale Silicon Tetrachloride Converter for Polysilicon Market /www. businesswire.com/news/home/20101112005735/en/ PST – DEI launch – Large. 11.12.2010.

75. Fahrenbruck S., Hazeltine B., Schweyen A., et al. Apparatus and Methods for Conversion of Silicon Tetrachloride to Trichlorsilane / US 9217609, cl. 2219/00103 (B 01 J 2219/00135), 22.12.2015.

76. Wagner G.H., Erickson C.H. Hydrogenation of Halogensilanes / US 2595620, 27.11.1948, appl.06.05.1952.

77. Mui J.Y.P., Seyferth D. Investigation of the Hydrogenation of SiCl4 .Final Report DOE/JPL, Contract No. 955382; Massachusetts Institute of Technology; Cambridge, M.A., 1981.

78. Mui J.Y.P. Investigation of the Hydrogenation of SiCl4 . Final Report DOE/JPL, Contract No. 956061; Solarelectronics Inc.: Bellingham, M.A., 1983.

79. Ingle W.M., Peffley M.S. Kinetics of the Hydrogenation of Silicon Tetrachloride. J. Electrochem. Soc., 1985, 132, 5, Р. 236 – 1240.

80. Lehnen R.J.: Untersuchungen zur katalysierten Hydrochorierung von metalurgishem Silizium mit Siliziumtetrachlorid und Wasserstoff in einem Laborfestbettreaktor, Dissertation zur Erlangung des Grades Dr. rer. nat, Bochum, 2002, 173 S.

81. Ding, Wei – Jie; Wang, Zhi – Bo et.al. CuCl – Catalyzed Hydrogenation of Silicon Tetrachoride / Ind. Eng. Chem. Res., 2014, 53, pp. 16725 – 16735.

82. Sill, T., Buchholz, S., Weber, R., Mleczko L. Thermodynamic, Mechanistic and Reaction Engineering Aspects of Hydrochorination of Silicon In.: Silicon for the Chemical Industry//Tromsø, Norway, May 29 - June 2, 2000, Ed: H.A. Øye, H.M. Rong et. al., Trondheim, Norway, 2000, Р.107-120.

83. Hoel J.O., Andersen G., Røe, T., Rong H. Maximizing Trichlorsilane Production in the Reaction Between Silicon, Silicon Tetrachloride and Hydrogen /In: Silicon for the Chemical and Solar Industry XI, Bergen-Ulvik, Norway, June 25 - 29, 2012, Р.157-166.

84. Bohmhammel K., Roewer G., Walter H. Hydrodehalogenation of Chlorsilanes in the Presense of Metal Silicides. Experimental Stadies of Gas and Solid Phase Composition related to Thermodynamic Calculations, J. Chem. Soc. Faraday Trans., 1995, 91 (21), Р. 3879 – 3882.

85. Walter H., Roewer G., Bohmhammel K. Mechanism of the Silicide-catalysed hydrodehalogenation of Silicon tetrachloride to trichlorsilane, J. Chem. Soc.,

86. Faraday Trans., 1996, 92 (22), P. 4605 – 4608.

87. Röver, I., Acker, K., Bohmhammel K., Roewer, G., Hesse, K., Pätzold, U. The catalytic hydrodehalogenation of Chlorsilanes – the crucial point of electron-grade silicon. In: Silicon for the Chemical Industry VI, Loen, Norway, June 17-21, 2002, Ed.: H.A. Øye, H.M. Rong, L. Nygard, G. Schussler, J. Kr. Tusset, Trondheim, Norway, 2002, Р. 209 – 224.

88. Jijun Wu, Zhengjie Chen, Wenhui Ma, Yongnian Doü. Thermodynamic Estimation of Silicon Tetrachloride to Trichlorsilane by a Low Temperature Hydrogenation Technique, Silicon, January 2017, vol. 9, issue 1, pp. 65 - 75.

89. Bulan, A., Weber, R. Method for producing trichlorsilane / US 7056484, 06.06. 2006.

90. Bulan, A., Weber, R. Method for producing trichlorsilane / WO/2002/020404, 14.03.2002.

91. Bulan, A., Weber, R. Method for producing trichlorsilane / WO/2002/22500 21.03.2002.

92. Sun Yongshi, Fan Xiecheng et.al. Catalyst for preparation of trichlorsilane by cold hydrogenation of silicon tetrachloride and preparation method of catalyst / CN 108855091, 23.11.2018.

93. Pfaffelhuber, M., Weber, R. Wirbelbettreaktor aus einer Nickel – Chrom -Molibdän – Legierung für die Trichlorsilan-Synthese / WO 02/49754, 27.06.2002.

94. Colomb, M., Palanki, S., Sylvester, N.D. Modeling the hydrochlorination reaction in laboratory-scale fluidized bed reactor. Powder Technol. 2016, 292 (May), P. 242 – 250.

95. Grießhammer, R., Köppl, F., Schrieder, F. Verfahren zur Hersfellung von Trichlorsilan und Silicium / DE 19534922, 20.02.1997.

96. Hazeltine B. Advances in Hydrochlorination Technology within a Polysilicon Plant in: Silicon for the Chemical and Solar Industry XI, Bergen-Ulvik, Norway, June 25-29, 2012, Р. 167-175.

97. Kuyen Li: Zero-Heat-Burden Fluidized Bed Reactor for Hydro-Chlorination of SiCl4 and M.G.-Si/US 2011 / 0311398 22.12.2011.

98. Fan Xiecheng, Liu Xinping, Qin Wenjun et.al. Apparatus and method for converting silicon tetrachloride into trichlorsilane/ CN 109694077, 03.04.2019.

99. Gill Ho Kim, Joon Hwan Kim et. al. Method of preparing trichlorsilane, US 10065864, 04.09.2018.

100. Gandhi, S., Hazeltine, B. Process for producing trichlorsilane/US 2015/0158732, 11.06.2015.

101. Dongming Song, Yanging Hou, Gang Xie, Zhuohuang Ma. Thermodynamic Behavior of SiH2Cl2 in polysilicon production by Siemens Process /Advances Mater. Research. Vols. 712-715(2013), Р.325-328.

102. Яркин В.Н., Петрик А.Г., Фалькевич Э.С. Выбор метода промышленного получения дихлорсилана / Цветные металлы, №6, 1988, С. 70-73.

103. Mc Cormick J.R., Arvidson A.N., Sawyer D.H., Müller D.M. Development of a Polysilicon Process based on chemical vapor deposition of dichlorsilane in an advanced Siemens reactor. Final report, October 11, 1982 May 21, 1983, DOE/JPL – 955533-83/7; osti.gov.

104. Ю.М. Чащинов, В.Н. Яркин, А.Г. Петрик, В.С. Гашенко. Состав и строение стержней кремния, полученных в процессе водородного восстановления дихлорсилана / Цветные металлы, №5, 1989, Р. 86-87.

105. Bucci J.V., Stachowlak M.R., Stibitz C.A. Dichlorsilane compensating control strategy for improved polycrystalline silicon growth /US 2017/0058403, 02.03.2017.

106. Bill J.M., Merkh C.N., Griffit III C.I. /Enhancements for a Chlorsilane redistribution reactor / US 2010/0150809, 17.06.2010.

107. Mauritis J.E.A. / Silicon Production in: Treatise on Process Metallurgy, Vol.3: Industrial Processes, Part. A, Ed. Seshadri Seethav, Elsevier, Amsterdam [et. al.], 2014, 1097 p., p. 945.

108. Bill, J., Drumm, K., Li., Kuyen: Strategies for new Entrants into Polysilicon “The STS Issue”/ Int. Solar Energy Expo 8 Conference, February 3(Wed)-5(Fr), 2010, Kintex, Korea, www. exposolar.org/2010/China/Center/contents.asp.

109. Engineering – GCL Solar Completes DCS Redistribution with Dynamic Engineering / www.ad-hoc-news.de/de/, 16.12.2009

110. Dynamic Engineering completes largest DCS project for GCL Solar/ www.pv-tech.org./lib/printable/7407, 16.12.2009

111. Merkh C., Sun Xiaojing: Polysilicon plan waste recycling/ www.renewable energyworld.com/ articles/2011/10/polysilicon…,17.10.2011

112. Huang Guoqiang, Wang Guofeng, Wang Hongxing, Hua Chao. Method and apparatus for preparing trichlorsilane through rectification by using proportionate reaction /CN 101955187, 21.11.2012.

113. Liu Chunjiang, Duan Changchun, Huang Zheqing, Huang Guoqiang/Reactive distillation device for preparing trichlorsilane and method for device: CN 102491341, 13.06.2012.

114. Huang Guoqians, Sun Shuaishuai, Wang Hongxing. Method and device for treating dichlorsilane waste by utilizing reactive distillation / CN1030863080, 08.05.2013.

115. Zhu Y.- Q., Wang B.- Z., Tang B.- X. et.al. Research and optimization on preparation of trichlorsilane by anti-disproportionation method / Chem. Engineering (Chin.), 2016, 44 (3), Р. 64-67, Abstr.

116. Ju Young Lee, Hee Young Kim et.al. Catalytic hydrodechlorination for the converting silicon tetrachloride (STC) to trichlorsilane (TCS) in: Silicon for

117. Chemical and Solar Industry X, Alesurd-Geiranger Norway, June 28-July 02, 2010, Р.139-140.

118. Choi, W.C., Park, Y.K., Kim, H.Y. Manufacturing Method of Trichlorsilane / KR 101242437, 12.03.2013.

119. Stepp, M., Pätzold, U., Voit, H., Weidner, R. Method for converting silicon tetrachloride or mixtures of silicon tetrachloride and dichlorsilane using methane/WO 2009 /147028, 10.12.2009.

120. Li Bo; Gorg Yousheng; Tanchuan Richard. Method for preparing silane by disproportionating dichlorsilane /CN 102874817, 16.01.2013.

121. Wacker Stellt Jahresprognose 2020 Wegen Coronakrise unter Vorbehalt / https: www. chemie.de/news/1165433/18.03.2020

122. Ceccaroli, B., Johne, O., Øvrelid, E.,J., New advances in polysilicon processes correlating feedstock properties and good crystal and wafer performances Phis. Status Solidi C 9, No.3 .10-11, 2062-2070 (2012)

123. Dazhou Yan: Siemens Process in: Yang D(eds), Handbook of Photovoltaic silicon, Springer, Berlin, Heidelberg, 2019, 971p., pp.37-68

124. Chee, Y., Kunimune, T. 10000 MTA Polysilicon Plan Commercialization Comparsion / News & Information for Chemical Engineering Vol.32, No.3., 2014, pp. 339-355

125. Chee,Y., Kunimune, T. Hybrid TCS-Siemens Process equipped with “turbo charger” FBR; method of saving Electricity and equipment cost from TCS-Siemens process polysilicon plants of capacity over 10000 MT/YR, US 2012 0114546, 10.05.2012

126. César Ramirez-Marquez, Marta Vidal Otero et. al. Process design and intensification for the production of solar silicon / J. of Cleaner Production, vol. 170, Jan. 2018, pp. 1579-1593

127. Митин В.В., Кох А.А. Развитие рынка и технологии производства поликристаллического кремния. Материалы электронной техники, 2017; 20 (2), стр. 99-106.

128. Anu Bhambhani. GCL - Poly Adding 10000 MT Granular Silicon Capacity, http: // taiyangnews. info. /business /gcl–poly–adding- mt- granula…21.10.2000

129. Anu Bhambhani. Increased Demand For Mono-Grade Polysilicon & Higher ASP enabled Dago New Energy…/ http: // taiyangnews. info /business/dagos-q32020-net-iconc 25.11.2020

130. Max Hall REC Silicon könnte die Polyproduktion am Moses Lake wieder aufnehmen, www.pv-magazine.com/2020/10/29/rec-silicon-could-restart...29.10.2020

131. Du Pont de Nemours: Divests Trichlorsilane Business and its Stare in Hemlock Semiconductor Join Venture / www. marketscreener.com /quote /stock/ …09.09.2020

132. Shwetank Yadav, Chandra Veer Singh. Molekular adsorbtion and surface

133. formation of HCl, Н2 and chlorsilanes on Si (I00) – c (4 x 2) with applications for high purity silicon production. Applied Surface Science, 475 (2019), 124-134


Для цитирования:


Яркин В.Н., Критская Т.В., Кисарин О.А. Обзор методов получения трихлорсилана для производства поликристаллического кремния. Известия высших учебных заведений. Материалы электронной техники. 2021;24(1). https://doi.org/10.17073/1609-3577-2021-1-

Просмотров: 147


Creative Commons License
Контент доступен под лицензией Creative Commons Attribution 4.0 License.


ISSN 1609-3577 (Print)
ISSN 2413-6387 (Online)